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TPS54380EVM-001評估模塊:設(shè)計、測試與應(yīng)用全解析

chencui ? 2026-04-24 15:05 ? 次閱讀
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TPS54380EVM-001評估模塊:設(shè)計、測試與應(yīng)用全解析

電子工程師的日常工作中,電源管理模塊的設(shè)計與評估是一項重要任務(wù)。今天,我們就深入探討一下德州儀器TI)的TPS54380EVM-001評估模塊,從它的背景特性、測試結(jié)果到實際應(yīng)用,全方位了解其性能和使用方法。

文件下載:TPS54380EVM-001.pdf

一、產(chǎn)品概述

1.1 背景與特性

TPS54380是一款用于負載需要兩個或更多電壓的跟蹤式直流 - 直流轉(zhuǎn)換器,在微處理器、DSPFPGA的核心與I/O電源供應(yīng)等應(yīng)用中,能提供精確的電源排序。例如,在這些設(shè)備的上電和下電序列中,核心電壓和I/O電壓通常需要特定的關(guān)系,TPS54380就能夠?qū)崿F(xiàn)直接跟蹤、比例跟蹤以及與第二個電源的電壓排序。

TPS54380EVM-001是一款雙通道評估模塊,充分展示了TPS54380在跟蹤和排序核心與I/O電壓方面的靈活性。它的核心電壓由TPS54380產(chǎn)生,標稱值為1.8V,而3.3V的I/O電壓則由TPS2013分配開關(guān)提供。該評估模塊的額定輸入電壓范圍為3.0至5.5V,輸出電流范圍為:核心 -3A至3A,I/O 0 - 1.5A。

TPS54380的一大亮點是其開關(guān)頻率標稱設(shè)置為700kHz,這使得可以使用小尺寸的1.0μH輸出電感器,有助于減小PCB面積。同時,MOSFET集成在TPS54380封裝內(nèi)部,無需外部MOSFET及其相關(guān)驅(qū)動器,低導(dǎo)通電阻的MOSFET保證了高效率,并有助于在高輸出電流時降低結(jié)溫。此外,補償組件位于IC外部,可實現(xiàn)可調(diào)輸出電壓和定制化的環(huán)路響應(yīng)。

1.2 性能規(guī)格總結(jié)

TPS54380EVM-001的性能規(guī)格在特定條件下有明確表現(xiàn)。在輸入電壓為3.3V、輸出電壓為1.8V、環(huán)境溫度為25°C且I/O輸出無負載的情況下,其輸入電壓范圍為3.0至5.5V,輸出電壓設(shè)定點為0.9至3.3V,輸出電流范圍為 -3至3A。線路調(diào)節(jié)為±0.1%,負載調(diào)節(jié)為±0.2%。負載瞬態(tài)響應(yīng)中,電壓變化在不同電流階躍下有特定值,恢復(fù)時間為120μs。環(huán)路帶寬在輸入電壓為3V時為50kHz,5.5V時為80kHz;相位裕度在3V時為62°,5.5V時為46°。輸入紋波電壓為50至200mVPP,輸出紋波電壓為6至10mVPP,最大效率在輸入電壓為5.0V、輸出電壓為1.8V、輸出電流為1.0A時可達89%。

1.3 修改與調(diào)整

這款評估模塊雖然設(shè)計用于展示TPS54380的小尺寸優(yōu)勢,但也保留了一定的可修改性。通過改變R2的值,可以將輸出電壓在0.9至3.3V之間調(diào)整,計算公式為(R 2=10 k Omega × frac{0.891 V}{V{O}-0.891 V})。同時,最小輸出電壓受設(shè)備最小可控導(dǎo)通時間(200ns)限制,可通過公式(V{OUTMIN }=200 n sec × f{S} × V{INMAX })近似計算。另外,通過改變R4的值,可以將開關(guān)頻率在280kHz至700kHz之間調(diào)整,但降低開關(guān)頻率會增加輸出紋波,除非增加L1的值。

在電源排序方面,通過選擇不同的R6 - R7電阻分壓器比率,可以設(shè)置不同的電源排序場景。例如,當(frac{R 6}{R 7}=frac{R 1}{R 2})時,核心電壓跟蹤I/O電壓;當(frac{R 6}{R 7}=frac{left(V_{I / O}-0.891right)}{8.891})時,核心與I/O電壓呈比例關(guān)系;當(frac{R 6}{R 7}

二、測試設(shè)置與結(jié)果

2.1 輸入/輸出連接

TPS54380EVM-001有三個輸入/輸出連接器:(V{1}) J1、(V{O}) I/O J2和(V_{O}) Core J3。需要一個能夠提供5A電流的電源通過一對20AWG電線連接到J1,負載通過一對16AWG電線連接到J2,最大負載電流能力應(yīng)為3A。為了減少線路損耗,應(yīng)盡量減小電線長度。測試點TP6方便連接示波器電壓探頭來監(jiān)測輸出電壓。

當使用外部電源作為(V_{1})時,可能需要根據(jù)電源的輸出阻抗和連接線長度添加額外的大容量電容器。在測試中,使用了一個470μF、16V的額外輸入電容器。

2.2 效率

TPS54380EVM - 001的效率在負載電流約為1A至2A時達到峰值,隨著負載電流接近滿載而降低。在環(huán)境溫度為25°C時,MOSFET的漏源電阻隨溫度的變化會導(dǎo)致在較高環(huán)境溫度下效率降低。另外,由于MOSFET的柵極和開關(guān)損耗,700kHz的開關(guān)頻率下效率會略低于較低開關(guān)頻率。

2.3 功耗

PWP封裝的低結(jié)殼熱阻以及良好的電路板布局,使得TPS54380EVM - 001在輸出全額定負載電流時能夠保持安全的結(jié)溫。在3.3V輸入源和3A負載的情況下,結(jié)溫約為60°C,殼溫約為55°C。

2.4 輸出電壓調(diào)節(jié)

輸出電壓的負載調(diào)節(jié)和線路調(diào)節(jié)在環(huán)境溫度為25°C時表現(xiàn)良好。負載調(diào)節(jié)和線路調(diào)節(jié)的圖示展示了不同負載和輸入電壓下輸出電壓的穩(wěn)定性。

2.5 負載瞬態(tài)響應(yīng)

TPS54380EVM - 001對負載瞬態(tài)的響應(yīng)表現(xiàn)為在電流從最大額定負載的25%階躍到75%時,輸出電壓的總峰 - 峰變化情況,包括紋波和噪聲。

2.6 環(huán)路特性

在最小和最大工作電壓下,TPS54380EVM - 001的環(huán)路響應(yīng)特性通過增益和相位圖展示。不同輸入電壓下,環(huán)路帶寬和相位裕度有所不同。

2.7 輸出電壓紋波和輸入電壓紋波

在輸入電壓為3.3V、輸出電流為額定滿載3A的情況下,測量了輸出電壓紋波和輸入電壓紋波。這些紋波的大小反映了電源模塊的穩(wěn)定性。

2.8 上電和下電

TPS54380調(diào)節(jié)器提供了多種核心和I/O電壓的上電和下電排序模式。通過選擇不同的電阻分壓器R6/R7比率,可以設(shè)置核心電壓在上下電時的斜率與I/O電壓的關(guān)系。例如,當(R 6 = R 1)且(R 7 = R 2)時,核心電壓跟蹤I/O電壓;使用跳線JP2還可以實現(xiàn)比例電源排序和改變核心電壓的上升和下降順序。

三、電路板布局

TPS54380EVM - 001的電路板布局采用了典型的用戶應(yīng)用方式。頂層和底層采用1.5oz銅,頂層包含(V{1})、(V{O})和(V{(phase) })的主要電源走線,以及TPS54380其余引腳的連接和大面積的接地層。底層包含接地和(V{O})銅區(qū)域以及一些信號走線。

輸入去耦電容器(C5和C9)、偏置去耦電容器(C4)和自舉電容器(C3)都盡可能靠近IC放置,補償組件也保持與IC的近距離,補償電路連接到調(diào)節(jié)點的輸出電壓,毗鄰高頻旁路輸出電容器。同時,頂層和底層的接地走線通過多個過孔連接,包括在TPS54380器件正下方的10個過孔,為PowerPAD焊盤到接地提供了熱路徑。

四、原理圖與物料清單

4.1 原理圖

原理圖展示了TPS54380EVM - 001的電路結(jié)構(gòu),它是理解模塊工作原理和進行調(diào)試的重要依據(jù)。

4.2 物料清單

物料清單詳細列出了模塊中使用的各種元件,包括電容器、電阻器、電感器、連接器、開關(guān)、IC等。在組裝和維護模塊時,需要注意這些元件的規(guī)格和參數(shù),同時要遵守一些組裝要求,如注意靜電防護、保證組件清潔無污染物、符合工藝標準等。

綜上所述,TPS54380EVM - 001評估模塊在電源管理設(shè)計中具有重要的參考價值。通過對其性能的詳細測試和了解,電子工程師可以更好地將TPS54380應(yīng)用到實際項目中。在實際使用過程中,大家是否也遇到過類似模塊的調(diào)試難題呢?歡迎在評論區(qū)分享交流。

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