TPS6420xEVM-023評估模塊:設計與使用全解析
在電子工程師的日常工作中,評估模塊是驗證和開發(fā)電源解決方案的重要工具。今天我們就來深入探討一下德州儀器(TI)的 TPS6420xEVM - 023 評估模塊。
文件下載:TPS64202EVM-023.pdf
一、重要聲明與注意事項
TI 保留對其產品和服務進行更改和停產的權利,用戶在下單前應獲取最新信息。該評估套件僅用于工程開發(fā)或評估,不適用于商業(yè)用途。若套件不符合手冊規(guī)格,可在交付后 30 天內退款。用戶需負責產品的正確安全處理,并對 TI 進行免責賠償。
在操作該 EVM 時,要注意將輸入電壓控制在 3.3 V 至 6 V 范圍內,超出此范圍可能導致意外操作或不可逆損壞。連接負載時,也需確保在指定輸出范圍內,否則可能造成永久性損壞。此外,正常運行時部分電路組件溫度可能超過 125°C,操作時需小心。
二、背景與性能規(guī)格
(一)背景
TPS6420xEVM 使用 TPS64202 降壓控制器、外部 P 溝道 FET 和肖特基二極管。盡管 TPS64202 輸入電壓范圍為 1.8 V 至 6 V,但此 EVM 配置為在 3.3 V 輸出電壓下提供 2 A 電流,因此輸入電壓限制在 3.3 V 至 6 V。選擇 TPS64202 的原因在于,在 (V{I} cong V{O}) 的應用中,其開關頻率由最小關斷時間決定,可實現(xiàn)高開關頻率和小電感。
(二)性能規(guī)格
| 規(guī)格 | 測試條件 | 最小值 | 典型值 | 最大值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|---|
| 輸入電壓范圍 | TPS64202EVM | 3.3 | 6 | V | |
| 輸出電壓 | TPS64202EVM | 3.3 | V | ||
| 輸出電流 | 0 | 2 | A |
三、EVM 操作
(一)輸入/輸出連接
- J1 - Vin:輸入電源的正連接,輸入電源的引線應絞合并盡可能短。
- J2 - GND:輸入電源的返回連接。
- JP1 - Enable:設備的使能引腳,通過板載上拉電阻上拉至 Vin。跨接 J1 的 2 - 3 引腳可使能設備,跨接 1 - 2 引腳則禁用設備。
- J3 - Vout:設備的正輸出。
- J4 - GND:負載的返回連接。
(二)測試設置
絕對最大輸入電壓為 7 V,TPS62402 在 (V_{O}=3.3 ~V) 時設計的最大輸入電壓為 6 V。連接輸出電壓在 3.3 V 至 6 V 之間的電源,并將電流限制設置為至少預期最大輸出電流的 1.3 倍(此 EVM 為 2.6 A)。短接跳線 JP1 上的 2 - 3 引腳(標記為 ON)以啟用設備,連接不超過 2.0 A 的負載到 EVM 輸出。
(三)測試結果
該 EVM 的效率結果可參考圖 2 - 1(TPS64202 效率圖)。
四、電路板布局
電路板布局對于開關模式電源至關重要。TPS6420xEVM 的布局將高頻噪聲的開關節(jié)點與對噪聲敏感的反饋電路隔離開來,并仔細規(guī)劃了高頻電流回路的布線。具體布局可參考圖 3 - 1(頂層組裝層)、圖 3 - 2(頂層布線)和圖 3 - 3(底層布線)。更多詳細的布局指南可參考數據手冊。
五、物料清單和原理圖
(一)物料清單
| 數量 | 參考編號 | 描述 | 尺寸 | 制造商 | 零件編號 |
|---|---|---|---|---|---|
| 1 | C1 | 陶瓷電容,4.7 μF,50 V,C0G,± 10% | 603 | TKD | C1608X7R1H4R7DT |
| 1 | C2 | POSCAP 電容,4.7 μF,6.3 V,100 mΩ,20% | 6032(C) | Sanyo | 6TPA47M |
| 1 | C3, C5 | 多模式電容,603 - D 外殼 | 7343 (D) | ||
| 1 | C4 | 陶瓷電容,10 μF,10 V,X7R,± 10% | 1206 | TDK | C3216X7R1A106KT |
| 0 | C7 | 陶瓷電容,XXX μF,XX V | 603 | ||
| 1 | D1 | 肖特基二極管,1 A,20 V | 457 - 04 | On Semi | MBRM120 |
| 4 | J1, J2, J3, J4 | 2 針插頭,100 密耳間距,(36 針條) | 0.100 x 2” | Sullins | PTC36SAAN |
| 1 | JP1 | 3 針插頭,100 密耳間距,(36 針條) | 0.100 x 3” | Sullins | PTC36SAAN |
| 1 | L1 | 貼片電感,5 μH,2.9 A,24 mΩ | 0.264x0.264 | Sumida | CDRH6D38 - 5R0 |
| 1 | Q1 | P 溝道 MOSFET,?20 V,?3.5 A,68 mΩ | SOT23 | Siliconix | Si2323 |
| 1 | R1 | 貼片電阻,619 kΩ,1/16 W,1% | 603 | Std | Std |
| 1 | R2 | 貼片電阻,356 kΩ,1/16 W,1% | 603 | Std | Std |
| 1 | R3 | 貼片電阻,0.033 Ω,1/4 W,1% | 1210 | Std | Std |
| 1 | R4 | 貼片電阻,100 kΩ,1/16 W,1% | 603 | Std | Std |
| 1 | R5 | 貼片電阻,XX Ω,1/16 W | 603 | ||
| 1 | R6, R7 | 貼片電阻,0 Ω,1/16 W,1% | 603 | Std | Std |
| 1 | R8 | 貼片電阻,XX Ω,1/16 W,1% | 603 | ||
| 1 | U1 | 降壓控制器 IC | SOT23 - 6 | Texas Instruments | TPS64202DBV |
| 1 | — | PCB,2.42 英寸 x 1.395 英寸 x 0.062 英寸 | Any | HPA023 | |
| 1 | — | 分流器,100 密耳,黑色 | 0.100 | 3M | 929950 - 00 |
(二)原理圖
TPS6420xEVM 的原理圖可參考圖 4 - 1。
六、可定制性
該 EVM 為用戶提供了一定的定制空間。例如,任何 TPS6420x IC 都可放置在 EVM 上。此外,EVM 具有兩個 PMOS 控制 FET 焊盤(SOT23 和 1206 - 8 ChipFET)、兩個肖特基二極管焊盤(Powermite 和 SMA)、可移除阻焊層下的大電感區(qū)域、額外的輸入和輸出電容焊盤。同時,通過調整電阻 R6、R7 和 R5,以及添加電阻 R8 和電容 C7 可實現(xiàn)不同的功能。不過,更改組件可能會影響 EVM 的性能,大家在實際操作時需要謹慎考慮。
總之,TPS6420xEVM - 023 評估模塊為電子工程師提供了一個靈活的平臺,用于評估和開發(fā)基于 TPS6420x 的電源解決方案。大家在使用過程中,是否遇到過類似評估模塊的特殊問題呢?歡迎在評論區(qū)分享交流。
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