2016年11月，Qualcomm（美國高通公司，下文簡稱高通）聯(lián)合三星對外宣布，將共同帶來全新的驍龍旗艦處理器——驍龍835，雖然官方發(fā)布這一消息時已是當天傍晚，但這則新聞仍然是在各個科技網(wǎng)站和社交平臺上被刷爆，這也是繼驍龍821之后，高通又一款真正意義上的頂級旗艦處理器。

時隔一個半月之后，高通在CES大會開幕的前一天正式發(fā)布驍龍835，隨之而來的是一系列芯片相關(guān)參數(shù)逐個亮相，我們可以看到的是除了性能方面依然爆表之外，驍龍835在工藝制程、5G網(wǎng)絡(luò)布局以及沉浸式體驗上有著頗多亮點，下面我們不妨就來詳細說說驍龍835為什么能夠引起行業(yè)如此高的關(guān)注。

“數(shù)”讀高通

無論是說起高通還是旗下的驍龍?zhí)幚砥鳎瑤缀醵家呀?jīng)成為了智能手機品質(zhì)的代名詞，而用戶也從最早期對一款產(chǎn)品外觀、參數(shù)等方面的認識變得更加深入。成立于1985年的高通至今已經(jīng)經(jīng)歷了30年的技術(shù)沉淀，目前已經(jīng)是全球最大的無晶圓廠半導體公司。

以高通在技術(shù)方面的投入理念來看，將產(chǎn)品和技術(shù)研發(fā)成功僅僅是作為對行業(yè)推進的一個節(jié)點， 直到讓各個終端廠商和用戶真正用起來才是一個結(jié)果。來自高通方面的數(shù)據(jù)統(tǒng)計顯示，高通成立至今在研發(fā)上的累計投入超過410億美元，每年都有超過20％收入用于產(chǎn)品和技術(shù)上的研發(fā)。

在過去的2016年當中高通共發(fā)布了兩款旗艦級處理器，分別是年初發(fā)布的驍龍820以及年中發(fā)布的驍龍821，而不可否認的是一款優(yōu)秀的移動處理器平臺足以對智能手機產(chǎn)業(yè)發(fā)展帶來促進作用，于是我們可以看到在過去的2016年當中，有著例如三星S7、小米MIX、一加3T、錘子M1等叫好又叫座的優(yōu)秀產(chǎn)品涌現(xiàn)，截止目前已經(jīng)有200款以上的終端產(chǎn)品已經(jīng)上市或正在研發(fā)當中。

驍龍835解析

來到2017年，唱主角的自然是這款剛剛發(fā)布的驍龍835，不過老實說在之前很多人都認為這次的新旗艦會命名為驍龍830，甚至不少媒體已經(jīng)在前期的相關(guān)內(nèi)容當中直接稱其為驍龍830，不過有句話怎么說，打臉總是難免的，這次高通在處理器命名上玩了一點小心思。

驍龍835將是首款采用三星10nm FinFET工藝的量產(chǎn)處理器，在此之前的驍龍821采用的是14nm，一度認為在移動芯片平臺至少會在14nm這個坎上停留一段時間，誰想下半年各家晶圓代工廠紛紛上馬10nm，工藝上的激進突破跟中國手機市場現(xiàn)狀真是一樣一樣的。

10nm究竟是個什么概念？我們知道在處理器當中有著數(shù)以億計的晶體管，據(jù)悉驍龍835和蘋果最新的A10 Fusion處理器晶體管都達到了30億以上。而這個10nm是指晶體管的溝道長度，自然是長度越短體積就越小，從而在同樣處理器尺寸的前提下能夠放下更多的晶體管來提升性能，或是采用同樣的晶體管數(shù)量制造出尺寸更小的處理器。

晶體管數(shù)量增多既能帶來更高效的任務(wù)處理速度，也能達到降低處理器功耗和減少發(fā)熱的目的。在工藝改進之后，相對于上一代旗艦處理器，驍龍835尺寸減小了35％，并實現(xiàn)了25％的功耗降低（相比驍龍801功耗降低50％），這樣的設(shè)計也恰好迎合了目前主流產(chǎn)品在機身尺寸和續(xù)航上的設(shè)計方向。

整體來看驍龍835的各個組成部分，其集成了采用高通自研架構(gòu)的Kryo 280八核CPU（大小核主頻分別為2．45GHz和1．9GHz）和Hexagon 682 DSP，從而實現(xiàn)了任務(wù)處理和性能的提升；Adreno 540 GPU和支持雙攝方案以及平滑光學變焦的Spectra 180 ISP則在圖形處理和拍照方面帶來明顯的改進；驍龍X16 LTE調(diào)制解調(diào)器的應用使驍龍835成為全球首款支持千兆級下行速率的旗艦處理器，此外驍龍835的全新特性還包括Qualcomm Haven安全平臺，通過提升生物識別與終端認證，為移動終端設(shè)備在安全性上提供支持。

驍龍835不止于性能

高通官方表示，全新的驍龍835在性能上的提升僅僅是一個方面，相對過去單純的注重跑分、性能上的表現(xiàn)，此次更新在用戶體驗部分有更多的閃光點。

首先是充電，驍龍835帶來了全新的高通QC 4充電標準，根據(jù)高通的數(shù)據(jù)顯示，和上一代快充技術(shù)QC 3．0相比，QC 4可實現(xiàn)高達20％的充電速度提升，以及高達30％的效率提升，使用QC 4充電五分鐘將能使用五小時以上。來自高通的測試結(jié)果表明，相比QC 3．0，QC 4也會帶來更低的發(fā)熱量，充電的過程中機器的表面溫度可以降低5度。

同時在QC 4快充技術(shù)當中集成了對于USB－PD和USB Type－C的支持，這就意味著QC 4在未來將兼容更多的充電技術(shù)，基于驍龍QC 4技術(shù)的移動終端也可以去主動適配更多的充電器和充電線纜。

在驍龍835正式到來之后，緊接著高通官方宣布了首款搭載驍龍835的設(shè)備，令人意外的是其并不是一款手機產(chǎn)品，而是與ODG聯(lián)合發(fā)布的增強現(xiàn)實智能眼鏡，驍龍835在用戶體驗上的重要改進也體現(xiàn)于此。

在沉浸式體驗上驍龍835將滿足VR／AR在性能、散熱和能效限制上等各方面需求，同時將支持Google Daydream平臺以實現(xiàn)高質(zhì)量的移動VR體驗，帶來視覺、聲音和交互的性能提升。

其中包括高達25％的3D圖形渲染性能提升，以及通過Adreno 540視覺處理子系統(tǒng)支持的、高達60倍的色彩提升。驍龍835還支持4K Ultra HD premium（HDR10）視頻、10位廣色域顯示、基于對象和基于場景的3D音頻，以及出色的、包括基于高通自研的傳感器融合技術(shù)的六自由度（6DoF）VR／AR 運動追蹤。

而作為首款采用千兆級LTE調(diào)制解調(diào)器的驍龍835，在網(wǎng)絡(luò)支持方面足以看出高通在研發(fā)上的前瞻性。驍龍X16 LTE調(diào)制解調(diào)器將為驍龍835帶來Cat 16載波聚合，在真實網(wǎng)絡(luò)下下行平均速率可以到114Mbps，下載一個203分鐘的無損音頻大概只需要2．4分鐘，比Cat 4網(wǎng)絡(luò)快大約3倍，比Cat 6網(wǎng)絡(luò)快大約2倍。

下行速率的提升所帶來的直觀用戶體驗體現(xiàn)在前面所提到的VR視頻當中以及云計算、娛樂體驗以及即使APP應用等方面。而隨著多個千兆級LTE網(wǎng)絡(luò)預計于2017年在全球部署，不久之前高通聯(lián)合合作伙伴NETGEAR和澳洲運營商推出了全球首款千兆級別的移動Wi－Fi產(chǎn)品，澳洲運營也將于幾個月之后面向其終端用戶公開發(fā)售這些產(chǎn)品。

最后是在拍攝方面，驍龍835所配備的Spectra 180 ISP能夠同時支持雙攝方案以及平滑的光學變焦，可以預見的是在2017年將會有更多廠商發(fā)布采用雙攝的產(chǎn)品。高通在驍龍835上推出了統(tǒng)一的全新架構(gòu)，這個架構(gòu)可兼容包括平滑變焦和黑白＋彩色的拍照算法，也能讓OEM方有更靈活的選擇。

在之前EIS 2．0的基礎(chǔ)上，驍龍835推出了EIS 3．0電子穩(wěn)像技術(shù)，能夠在拍照模式和光學變焦模式下盡可能的抑制畫面的抖動，保持拍攝畫面穩(wěn)定。此外從驍龍820開始，高通就已經(jīng)增加了對2PD對焦方式的支持，在驍龍835也將得到延續(xù)，并且未來在技術(shù)逐漸成熟之后或許會下放到更多其他系列的處理器。

總結(jié)：

因為篇幅的關(guān)系，關(guān)于驍龍835還有很多的技術(shù)優(yōu)勢無法一一在這里進行深入探討，但可以肯定的是驍龍835的發(fā)布所影響的已經(jīng)不僅僅是手機行業(yè)，今年或許我們也將在更多不同品類的智能設(shè)備當中看見驍龍835的身影。而對于終端廠商來說，驍龍835在性能以及用戶體驗上的提升也將助力于其在2017年帶來更加優(yōu)秀的旗艦產(chǎn)品。