今天有多家媒體報道了中國科研人員實現(xiàn)了3nm半導體工藝的突破性進展，香港《南華早報》稱中科院微電子所團隊的殷華湘等人研究出了3nm晶體管，相當于人類DNA鏈條寬度，這種晶體管解決了玻爾茲曼熱力學的限制。在中國半導體芯片正在被美國卡脖子的今天，國內科研人員實現(xiàn)3nm晶體管技術具有重要意義，南華早報在文章中也提到了該技術的意義——過去我們只能看著別人競賽，現(xiàn)在可以參與這場競賽了。

不過這個技術具體如何呢？找了下，南華早報的新聞源是中科院微電子所的通告，官方介紹的內容如下：

現(xiàn)有硅基晶體管受玻爾茲曼熱力學限制，室溫下亞閾值擺幅SS≥60mV/dec，阻礙了工作電壓的繼續(xù)降低。當集成電路技術進入5納米及以下節(jié)點，隨著集成度的持續(xù)增加，在維持器件性能的同時面臨功耗急劇增加的嚴重挑戰(zhàn)。

先導中心殷華湘研究員的團隊在主流后HKMG FinFET集成工藝的基礎上，通過材料工藝優(yōu)化和多柵器件電容匹配設計，結合高質量低界面態(tài)的3納米鉿鋯金屬氧化物薄膜，研制成功性能優(yōu)異的NC-FinFET器件，實現(xiàn)了SS和閾值電壓回滯分別為34.5mV/dec和9mV的500納米柵長NC-FinFET器件，以及SS和閾值電壓回滯分別為53mV/dec和40mV的20納米柵長NC-FinFET器件。

其中，500納米柵長NC-FinFET器件的驅動電流比常規(guī)HfO2基FinFET器件（非NC-FinFET）提升了260%且電流開關比（Ion/Ioff）大于1x106，標志著微電子所在新型NC-FinFET器件的研制方面取得了重要進展。

上述最新研究結果發(fā)表在國際微電子器件領域的頂級期刊《IEEE Electron Device Letters》上（DOI: 10.1109/LED.2019.2891364），并迅速受到國際多家研發(fā)機構的高度關注。

該項集成電路先導工藝的創(chuàng)新研究得到國家科技重大專項02專項和國家重點研發(fā)計劃等項目的資助。

圖1 （a）負電容FinFET基本結構；（b-c）三維器件溝道結構與鐵電HZO膜層結構；

（d-e）器件I-V與SS特性；（f）最新器件性能國際綜合對比（SS與回滯電壓越小越好）

官方通報里用詞要嚴謹?shù)亩?，提到?nm實際上說的是3nm氧化物薄膜的厚度，沒有確定說是3nm工藝，不過這個技術也確實是用于5nm節(jié)點之后的工藝中。

不過這個所謂的負電容技術還是學術研究，南華報道中提到了殷華湘表示該技術具備應用實力，但是殷華湘也提到了這個技術距離商業(yè)化應用還有數(shù)年時間，團隊還在致力于解決材料及質量控制等問題。

簡單來說，這次的國產(chǎn)突破3nm工藝報道依然是一項重要的學術進展，但在半導體工藝上這樣的例子太多了，除非能很快量產(chǎn)并且具備更好的性能或者更低的成本，否則這些工藝很難取代現(xiàn)在的半導體技術。