電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文 / 吳子鵬）在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向先進(jìn)制程與 3D 集成深度邁進(jìn)的關(guān)鍵階段，量檢測(cè)設(shè)備作為芯片制造良率保障的核心環(huán)節(jié)，其技術(shù)水平直接決定著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的進(jìn)階速度。SEMICON 2026 期間，作為國(guó)內(nèi)量測(cè)與檢測(cè)領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)，中安半導(dǎo)體重磅發(fā)布顆粒檢測(cè)設(shè)備ZP8，以10.5nm的極限靈敏度打破國(guó)際壟斷，標(biāo)志著國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體量檢測(cè)設(shè)備在核心技術(shù)指標(biāo)上實(shí)現(xiàn)對(duì)全球頂尖水平的并跑。

中安半導(dǎo)體表示：“我們深知，只有精準(zhǔn)發(fā)現(xiàn)每一處微小缺陷，才能真正幫助客戶提升生產(chǎn)良率，滿足嚴(yán)苛的制造需求。ZP8 作為一款10.5nm 靈敏度顆粒缺陷檢測(cè)設(shè)備，能夠支持更先進(jìn)制程下的缺陷捕捉。未來(lái)，中安半導(dǎo)體將繼續(xù)秉持客觀、嚴(yán)謹(jǐn)?shù)目蒲袘B(tài)度，深耕半導(dǎo)體量測(cè)與檢測(cè)領(lǐng)域，研發(fā)更多覆蓋全工藝流程的高端設(shè)備?！?br />

AI驅(qū)動(dòng)下-檢測(cè)設(shè)備已成先進(jìn)制程剛需

全球 AI 浪潮的爆發(fā)，正驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)迎來(lái)全方位變革：從先進(jìn)邏輯制程的 GAA/CFET 架構(gòu)，到 DRAM、NAND 的三維升級(jí)，再到 HBM、3D IC、Chiplet 等先進(jìn)封裝技術(shù)的普及，“微型化 + 鍵合”成為器件架構(gòu)演進(jìn)的主流方向。

中安半導(dǎo)體市場(chǎng)應(yīng)用 VP 初新堂（Seddy Chu）指出：“在 AI 浪潮推動(dòng)半導(dǎo)體演進(jìn)的過(guò)程中，我們觀察到兩個(gè)核心工藝挑戰(zhàn)：一是尺寸微縮的極限挑戰(zhàn)，隨著特征尺寸不斷縮小，對(duì)晶圓（Wafer）表面質(zhì)量的要求已達(dá)到近乎苛刻的程度。當(dāng)行業(yè)進(jìn)入 3nm 節(jié)點(diǎn)時(shí)，所需缺陷檢測(cè)靈敏度已逼近11.5nm 甚至更高；二是堆疊架構(gòu)的物理挑戰(zhàn)，在 3D IC 與層疊技術(shù)中，隨著堆疊層數(shù)增加，形變與翹曲問(wèn)題愈發(fā)凸顯。作為設(shè)備供應(yīng)商，中安半導(dǎo)體必須走在主流制程演進(jìn)的前面?！?br />
自 2024 年 ZP3 系列問(wèn)世以來(lái)，中安半導(dǎo)體始終保持著規(guī)律且高效的研發(fā)節(jié)奏——每半年到一年就會(huì)實(shí)現(xiàn)一次技術(shù)跨代。據(jù)介紹，24年6月推出的ZP3系列具有26nm靈敏度；2024年9月，ZP6系列發(fā)布，靈敏度提升至17nm；2025年6月，ZP7系列突破12.5nm靈敏度；直至2026年的ZP8，一舉突破10.5nm。

硬核解碼：ZP8 如何挑戰(zhàn)物理極限？

ZP8 實(shí)現(xiàn) 10.5nm 靈敏度突破并非偶然，而是光學(xué)系統(tǒng)、硬件架構(gòu)與底層算法深度耦合的成果。

包括對(duì)激光系統(tǒng)的優(yōu)化設(shè)計(jì)、針對(duì)高分辨率需求定制的特殊物鏡結(jié)構(gòu)、具備極高穩(wěn)定性的高精度轉(zhuǎn)臺(tái)系統(tǒng)，以及圖像傳感器與深度學(xué)習(xí)算法的融合應(yīng)用，這種“光學(xué)+機(jī)械+算法”的系統(tǒng)級(jí)優(yōu)化，使其能夠在裸硅片（Bare Wafer）上實(shí)現(xiàn)對(duì)超微小缺陷的穩(wěn)定捕獲。

在SEMI M50-1104國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試下，ZP8 對(duì) 10.5nm 顆粒的捕獲率達(dá)到95% 以上。從裸片（Bare Wafer）到復(fù)雜 High-k Layer（高 k 介質(zhì)層）等多種工藝片，ZP8 在不同膜層均展現(xiàn)出優(yōu)異性能。

解決 3D 集成時(shí)代的鍵合痛點(diǎn)

如果說(shuō) ZP8 的突破解決了先進(jìn)制程的顆粒檢測(cè)痛點(diǎn)，那么中安半導(dǎo)體WGT300 系列晶圓幾何量測(cè)設(shè)備，則為 3D 集成帶來(lái)的晶圓鍵合與幾何量測(cè)難題提供全流程解決方案。

初新堂認(rèn)為，三維集成面臨兩大核心挑戰(zhàn)：
·堆疊尺寸持續(xù)微縮：層數(shù)增加，單層厚度與整體結(jié)構(gòu)尺寸不斷減?。?br /> ·檢測(cè)精度極致化：結(jié)構(gòu)越復(fù)雜，缺陷捕獲與量測(cè)精度要求越高。

鍵合（Bonding）是實(shí)現(xiàn) 3D 器件的物理基礎(chǔ)，沒(méi)有高可靠鍵合，就沒(méi)有真正的 3D 芯片。然而，鍵合過(guò)程中產(chǎn)生的晶圓翹曲、形變，會(huì)直接導(dǎo)致上下層電路圖形錯(cuò)位（鍵合對(duì)準(zhǔn)偏差，Bonding Overlay），并影響后續(xù)光刻精度。

中安市場(chǎng)VP初新堂指出，WGT300系列晶圓幾何量測(cè)設(shè)備是破解這一難題的鑰匙。WGT300系列的核心思路是通過(guò)全局?jǐn)?shù)據(jù)量測(cè)，為工藝提供最優(yōu)解。通過(guò)WGT300系列可獲取全場(chǎng)高度信息采集，獲取整片晶圓（Full Wafer）上每一個(gè)像素點(diǎn)的高度信息，從而精確算出晶圓的翹曲度（Warp/Bow）并指導(dǎo)工藝端實(shí)現(xiàn)分區(qū)域精準(zhǔn)調(diào)節(jié)，使晶圓在鍵合前達(dá)到最優(yōu)形貌（Best Shape）。

在硅片廠領(lǐng)域，中安半導(dǎo)體打造了專用的WGT300系列量測(cè)設(shè)備，覆蓋硅片線切、研磨、雙面拋光、刻蝕、清洗到最終出貨檢的全流程關(guān)鍵工藝節(jié)點(diǎn)，配套自主研發(fā)的數(shù)據(jù)分析軟件，可滿足硅片廠生產(chǎn)數(shù)據(jù)實(shí)時(shí)監(jiān)控與全生命周期質(zhì)量追溯的核心需求。針對(duì)大尺寸硅片的量產(chǎn)要求，設(shè)備在平均厚度、GBIR、SFQR、ESFQR 等核心指標(biāo)上展現(xiàn)出了行業(yè)頂尖的 TOR 表現(xiàn)，同時(shí)針對(duì)先進(jìn)制程對(duì)超平整晶圓的極致要求，公司已在下一代產(chǎn)品中布局了高精度干涉測(cè)量、低噪聲厚度測(cè)量模塊、抗條紋印跡效應(yīng)算法等多項(xiàng)革新性技術(shù)，為國(guó)內(nèi)大硅片產(chǎn)業(yè)的技術(shù)升級(jí)提供核心設(shè)備支撐。

結(jié)語(yǔ)

在制程微縮與 3D 集成雙輪驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體未來(lái)，量檢測(cè)設(shè)備如同芯片制造“良率堡壘”上的瞭望塔與刻度尺。中安半導(dǎo)體憑借 ZP8 的 10.5nm 突破與半導(dǎo)體制造全流程的技術(shù)布局：形成了覆蓋顆粒檢測(cè)、3D 集成鍵合量測(cè)、硅片廠全流程管控的三大產(chǎn)品矩陣，真正實(shí)現(xiàn)了從襯底制造到芯片封裝的良率管理全鏈條覆蓋。