優(yōu)勢和特點

• 寬帶射頻(RF)、中頻(IF)和本機振蕩器(LO)端口
• 變頻損耗：6.8 dB
• 噪聲系數(shù)：6.5 dB
• 高輸入IP3：25 dBm
• 高輸入P1dB：19 dBm

• 低LO驅(qū)動電平
• 單端設計：無需平衡-非平衡變換器
• 單電源供電：3 V (19 mA)
• 2 mm × 3 mm、8引腳小型LFCSP封裝
• 符合RoHS標準

產(chǎn)品詳情

ADL5350是一款高線性度、上/下變頻混頻器，能夠在較寬的輸入頻率范圍內(nèi)工作，非常適合要求高靈敏度和高效抗擾度的蜂窩基站混頻器設計。這款器件基于GaAs pHEMT、單端混頻器架構(gòu)，能提供出色的輸入線性度和低噪聲系數(shù)，而無需高功耗本機振蕩器(LO)驅(qū)動。

在850 MHz/900 MHz接收應用中，ADL5350的典型變頻損耗僅為6.8 dB。集成的LO放大器只需一個低LO驅(qū)動電平，對于大多數(shù)應用，其典型值僅為4 dBm。輸入IP3典型值大于25 dBm，輸入壓縮點為19 dBm。該器件具有高輸入線性度，因而是適合GSM 850/900和800 MHz CDMA2000等要求高抗擾度通信系統(tǒng)的出色混頻器。在2 GHz時，需要一個略微較高的電源電流才能獲得類似的性能。

借助單端寬帶RF/IF端口，該器件能夠利用簡單的外部濾波器網(wǎng)絡，針對所需工作頻帶進行定制。LO至RF隔離基于RF端口濾波器網(wǎng)絡的LO抑制。采用更高階濾波器網(wǎng)絡可以實現(xiàn)更大的隔離，詳情參見本數(shù)據(jù)手冊的應用信息部分。

ADL5350采用GaAs pHEMT、高性能IC工藝制造，提供3 mm x 2 mm、8引腳LFCSP封裝，工作溫度范圍為?40°C至+85°C，同時提供評估板。

應用

蜂窩基站

點對點無線電鏈路

RF儀器儀表

數(shù)據(jù)手冊，Rev. 0，2/08

方框圖