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標(biāo)簽 > PSRAM
PSRAM,全稱Pseudo static random access memory。指的是偽靜態(tài)隨機存儲器。
PSRAM,全稱Pseudo static random access memory,主要應(yīng)用于手機,電子詞典,掌上電腦,PDA,PMP,MP3/4,GPS接收器等消費電子產(chǎn)品與SRAM(采用6T的技術(shù))相比,PSRAM采用的是1T+1C的技術(shù),所以在體積上更小,同時,PSRAM的I/O接口與SRAM相同。在容量上,有4MB,8MB,16MB,32MB,64MB和128MB。智能手機基本采用256MB以上的PSRAM,很多采用512MB。比較于SDRAM,PSRAM的功耗要低很多。所以對于要求有一定緩存容量的很多便攜式產(chǎn)品是一個理想的選擇。
APS6404L-SQRH-SN實現(xiàn)充電協(xié)議零延遲
愛普科技APS6404L-SQRH-SN是一款64Mb PSRAM,采用SOP-8封裝,支持1.8V電壓與工業(yè)級溫度范圍。其高帶寬和低功耗特性完美適配智...
AR/VR設(shè)備為何需要AP Memory愛普科技PSRAM
AP Memory 64Mb PSRAM APS6404L-SQH-SN以200MHz高帶寬與1.8V低電壓,為AR/VR穿戴設(shè)備提供高速顯示緩存。其工...
【AI技術(shù)支持】ESP32模組PSRAM的CS引腳上拉導(dǎo)致功耗上升處理
啟明云端/01你是否曾遇到過?在游戲機產(chǎn)品上,使用ESP32-WROOM-32E/ESP32-WROOM-32UE模組,ESP-IDF版本為IDFv5....
IAR下手動拷貝自定義程序段到RAM中執(zhí)行的方法分享
在痞子衡舊文 《IAR下RT-Thread工程自定義函數(shù)段重定向失效分析》 里,我們知道 IAR 鏈接器處理自定義程序段重定向是有一些限制的,只要用戶重...
PSRAM的時序比較簡單,主要根據(jù)各個時序圖理解每個時序階段,及其參數(shù)。重點要理解DQS/DM是誰驅(qū)動的,代表什么意思, 數(shù)據(jù)采樣的時間即DQS上升沿延...
高性能并口PSRAM在數(shù)據(jù)緩沖場景中的優(yōu)勢
在嵌入式系統(tǒng)與便攜電子產(chǎn)品的數(shù)據(jù)緩沖設(shè)計中,存儲芯片的選擇往往直接影響整機性能與成本。并口PSRAM(偽靜態(tài)隨機存取存儲器)兼具大容量與低引腳數(shù)的特點,...
在嵌入式開發(fā)中,很多MCU由于引腳數(shù)量有限,無法直接支持并行SRAM或SDRAM的擴(kuò)展接口,這在處理語音、圖像等數(shù)據(jù)密集型或算法密集型任務(wù)時,常常面臨內(nèi)...
內(nèi)存擴(kuò)展的“極簡主義”——APS6404L-3SQN深度解析
APS6404L-3SQN 是愛普科技(AP Memory)推出的一款 64Mbit 四通道 SPI (QSPI) 偽靜態(tài)隨機存取存儲器(PSRAM)。...
PSRAM本質(zhì)上是一種自帶刷新電路的DRAM,其存儲單元采用1T+1C結(jié)構(gòu)(一個晶體管加一個電容),相較于傳統(tǒng)SRAM的6T結(jié)構(gòu),在相同芯片面積下能夠?qū)?..
APS6404L-SQNX-SN:智能設(shè)備內(nèi)存新選擇
這是一顆64Mbit(8MB)的QSPI PSRAM。簡單來說,它內(nèi)部采用高密度的DRAM存儲單元(1T+1C結(jié)構(gòu)),但在外部接口上,它偽裝成了一顆“S...
DDR狂漲不慌!啟明智顯Model3/Model3C HMI芯片攜大容量PSRAM,幫你把硬件成本打下來
當(dāng)下的存儲芯片市場,正經(jīng)歷一場前所未有的價格狂潮。DDR內(nèi)存顆粒價格一路飆升:主流DDR48Gb顆粒累計漲幅超369%,部分規(guī)格半年內(nèi)漲幅更是突破500...
APS6404L-SQN-SN 是 AP Memory 公司推出的一款 64Mb 的低功耗 IoT RAM,它采用創(chuàng)新的 PSRAM(偽靜態(tài)隨機存儲器)...
破解DDR漲價困局 | 匠芯創(chuàng)D12x、D13x系列芯片憑借PSRAM優(yōu)勢打造高性價比產(chǎn)品方案
當(dāng)前,全球存儲芯片市場持續(xù)上漲,DDR內(nèi)存價格一路走高。主流型號DDR48Gb顆粒累計漲幅超369%,DDR416GB規(guī)格芯片半年漲幅突破500%。業(yè)內(nèi)...
2026-03-18 標(biāo)簽:DDRPSRAM匠芯創(chuàng) 638 0
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