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FinFET全稱叫鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體晶體管。FinFET命名根據(jù)晶體管的形狀與魚(yú)鰭的相似性。這種設(shè)計(jì)可以改善電路控制并減少漏電流，縮短晶體管的閘長(zhǎng)。

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finfet技術(shù)

深度解析finFET設(shè)計(jì)規(guī)則

inFET 技術(shù)有幾個(gè)含義。最重要的是，硅鰭片的高度和寬度尺寸是由制造工藝決定的，而不是由電路設(shè)計(jì)者決定的。這意味著每個(gè)晶體管的寬度尺寸是由柵極多晶硅穿...

2024-02-21 標(biāo)簽：多晶硅晶體管集成芯片 4.9k 0

半導(dǎo)體前端工藝：金屬布線—為半導(dǎo)體注入生命的連接

生成接觸孔后，下一步就是連接導(dǎo)線。在半導(dǎo)體制程中，連接導(dǎo)線的過(guò)程與一般電線的生產(chǎn)過(guò)程非常相似，即先制作線的外皮。在一般的電路連接中，直接采用成品電線即可...

2023-07-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 TSMC 晶體管 4.7k 0

未來(lái)半導(dǎo)體制造需要怎樣的EDA工具機(jī)器學(xué)習(xí)為EDA帶來(lái)什么改變

在20／22nm引入FinFET以后，先進(jìn)工藝變得越來(lái)越復(fù)雜。在接下來(lái)的發(fā)展中，實(shí)現(xiàn)“每?jī)赡陮⒕w管數(shù)量增加一倍，性能也提升一倍”變得越來(lái)越困難。摩爾定...

2021-02-06 標(biāo)簽：晶圓 eda FinFET 4.7k 0

淺談鰭式場(chǎng)效晶體管（ finFET）寄生提取的復(fù)雜性和不確定性

鰭式場(chǎng)效晶體管（簡(jiǎn)稱 finFET）的推出標(biāo)志著 CMOS 晶體管首次被看作是真正的三維器件。由于源漏區(qū)以及與其周圍連接的三維結(jié)構(gòu)方式（包括本地互連和接...

2018-01-28 標(biāo)簽：eda finfet 4.6k 0

FinFET與GAA結(jié)構(gòu)的差異及其影響

本文介紹了當(dāng)半導(dǎo)體技術(shù)從FinFET轉(zhuǎn)向GAA（Gate-All-Around）時(shí)工藝面臨的影響。

2025-05-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓制造工藝 4.3k 0

淺談半導(dǎo)體晶體管間距的縮放面積及連續(xù)節(jié)點(diǎn)的有效密度

翻譯自——newelectronics 摩爾定律已經(jīng)不能用了嗎？其實(shí)這取決于哪一方面。斯坦福大學(xué)電氣工程教授Philip Wong與來(lái)自麻省理工學(xué)院、...

2021-01-25 標(biāo)簽：CMOS 電路設(shè)計(jì)eda 4.2k 0

FinFET的效用已趨于極限淺談晶體管縮放的難題

作者：泛林Nerissa Draeger博士 FinFET在22nm節(jié)點(diǎn)的首次商業(yè)化為晶體管——芯片“大腦”內(nèi)的微型開(kāi)關(guān)——制造帶來(lái)了顛覆性變革。與此前...

2021-01-25 標(biāo)簽：晶體管 FinFET 柵極晶體管 4k 0

FinFET 發(fā)展的演變

技術(shù)路線圖始終是雙向的，一半來(lái)自技術(shù)方面的進(jìn)步，另一半來(lái)自市場(chǎng)的需求。

2022-08-10 標(biāo)簽：MOSFET 3D 晶圓 3.9k 0

鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管制造工藝流程

FinFET(鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管)從平面晶體管到FinFET的演變是一種先進(jìn)的晶體管架構(gòu)，旨在提高集成電路的性能和效率。它通過(guò)將傳統(tǒng)的平面晶體管轉(zhuǎn)換為三維...

2025-02-17 標(biāo)簽：晶體管制造工藝 FinFET 3.5k 0

集成電路設(shè)計(jì)與制造過(guò)程

一個(gè)復(fù)雜的處理器可能包含數(shù)億甚至數(shù)十（百）億個(gè)晶體管，這些晶體管通過(guò)細(xì)金屬線彼此互聯(lián)。芯片的制造過(guò)程極其復(fù)雜，需要經(jīng)歷數(shù)百個(gè)精確控制的步驟。

2025-03-03 標(biāo)簽：處理器集成電路半導(dǎo)體 3.2k 0

芯片工程師，是時(shí)候了解GAA晶體管了

雖然只有12年的歷史，但finFET已經(jīng)走到了盡頭。從3nm開(kāi)始，它們將被環(huán)柵 (GAA)取代，預(yù)計(jì)這將對(duì)芯片的設(shè)計(jì)方式產(chǎn)生重大影響。

2023-04-18 標(biāo)簽：芯片晶體管納米 2.9k 0

SoC系統(tǒng)開(kāi)發(fā)人員：FinFET對(duì)你來(lái)說(shuō)意味著什么？

大家都在談?wù)揊inFET——可以說(shuō)，這是MOSFET自1960年商用化以來(lái)晶體管最大的變革。幾乎每個(gè)人——除了仍然熱心于全耗盡絕緣體硅薄膜（FDSOI...

2013-12-09 標(biāo)簽：FPGA MOSFET SoC 2.7k 0

從平面晶體管到FinFET的演變

在90納米制程之前，每一代集成電路技術(shù)節(jié)點(diǎn)的縮放不僅帶來(lái)了更高的器件密度，還提升了器件性能。然而，當(dāng)CMOS IC從90納米發(fā)展到65納米節(jié)點(diǎn)時(shí)，縮放并...

2024-12-04 標(biāo)簽：MOSFET NMOS 晶體管 2.5k 0

體硅FinFET和SOI FinFET的差異

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶體管結(jié)構(gòu)的選擇如同建筑中的地基設(shè)計(jì)，直接決定了芯片的性能上限與能效邊界。當(dāng)制程節(jié)點(diǎn)推進(jìn)到22nm以下時(shí)，傳統(tǒng)平面晶體管已無(wú)法滿足需求...

2025-06-25 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶體管 FinFET 2.5k 0

鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的原理和優(yōu)勢(shì)

自半導(dǎo)體晶體管問(wèn)世以來(lái)，集成電路技術(shù)便在摩爾定律的指引下迅猛發(fā)展。摩爾定律預(yù)言，單位面積上的晶體管數(shù)量每?jī)赡攴环?，而這一進(jìn)步在過(guò)去幾十年里得到了充分驗(yàn)證。

2025-06-03 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體晶體管 2.3k 0

低功耗貫穿芯片設(shè)計(jì)全流程

低功耗一直是便攜式電子設(shè)備的關(guān)鍵要求，但近年來(lái)，在人工智能、5G、大數(shù)據(jù)中心、汽車等應(yīng)用快速發(fā)展的推動(dòng)下，對(duì)低功耗的需求已經(jīng)擴(kuò)散到更多的終端產(chǎn)品中。

2023-02-14 標(biāo)簽：soc 散熱器 RTL 2.3k 0

layout相關(guān)—芯片中相鄰單元的漏電流

看到這個(gè)題目，可能不少朋友都會(huì)滿臉問(wèn)號(hào)，我們知道cell內(nèi)部會(huì)有l(wèi)eakage，難道cell與cell之間也會(huì)有l(wèi)eakage嗎？

2023-12-06 標(biāo)簽：場(chǎng)效應(yīng)管 MOS管 Layout 2.3k 0

如何選擇滿足FPGA設(shè)計(jì)需求的工藝？

當(dāng)今的可編程邏輯供應(yīng)商必須研究各種工藝選擇，才能滿足采用FPGA的設(shè)計(jì)的各類需求。本文將介紹三類工藝特性，它們與現(xiàn)代FPGA內(nèi)部結(jié)構(gòu)的聯(lián)系，以及FPGA...

2013-06-13 標(biāo)簽：FPGA TSMC Altera 2.3k 0

使用虛擬實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)預(yù)測(cè)先進(jìn)FinFET技術(shù)的工藝窗口和器件性能

負(fù)載效應(yīng) (loading) 的控制對(duì)良率和器件性能有重大影響，并且它會(huì)隨著 FinFET（鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管）器件工藝的持續(xù)微縮變得越來(lái)越重要[1-2]...

2023-01-06 標(biāo)簽：晶體管 FinFET 負(fù)載效應(yīng) 2.1k 0

適用于1nm邏輯技術(shù)節(jié)點(diǎn)器件架構(gòu)解析

由于從平面 FET 過(guò)渡到 FinFET，晶體管尺寸減小了，而性能卻提高了。這種轉(zhuǎn)變是必要的，因?yàn)槠矫?FET 的性能在柵極長(zhǎng)度減小時(shí)開(kāi)始下降。FinF...

2022-07-21 標(biāo)簽：晶體管 FinFET 2.1k 0

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Arduino

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Arduino是一款便捷靈活、方便上手的開(kāi)源電子原型平臺(tái)。包含硬件（各種型號(hào)的Arduino板）和軟件（Arduino IDE)。
28nm

28nm

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從背景上看，28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響，當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是，在這之后的幾年，包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力，將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
20nm

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村田

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村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料，設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電，汽車相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等，都有村田公司的身影。
TI公司

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TI是富有遠(yuǎn)見(jiàn)的企業(yè)，我們是敢于開(kāi)拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè)，員工是我們的立足之本。德州儀器（TI）的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工，還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司：業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
羅姆

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提供最新的羅姆公司產(chǎn)品，最活躍的羅姆工程師社區(qū)
工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)

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一般情況，IIoT往往有更結(jié)構(gòu)化的連接環(huán)境，因?yàn)榕c典型的IoT應(yīng)用相比，IIoT 系統(tǒng)履行的職責(zé)更事關(guān)重大。響應(yīng)時(shí)間往往是個(gè)問(wèn)題，像健身跟蹤那樣的IoT應(yīng)用通?？梢韵仍诒镜卮鎯?chǔ)數(shù)據(jù)，無(wú)線鏈路可用時(shí)再行處理。
金升陽(yáng)

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廣州金升陽(yáng)科技有限公司，成立于1998年7月，是國(guó)內(nèi)集生產(chǎn)、研發(fā)和銷售為一體的規(guī)模最大、品種最全的工業(yè)模塊電源的制造商之一。
Vicor

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美國(guó)Vicor 是Vicor Corporation旗下品牌，致力于模塊化電源技術(shù)創(chuàng)新，近年來(lái)專注于48V電源解決方案。Vicor帶來(lái)了全新的配電架構(gòu)、零電流開(kāi)關(guān) （ZCS）及零電壓開(kāi)關(guān) （ZVS）電源轉(zhuǎn)換拓?fù)洹?
MHL

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Bourns

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碳化硅

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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物，莫桑石。
體感控制

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體感控制，在于人們可以很直接地使用肢體動(dòng)作，與周邊的裝置或環(huán)境互動(dòng)，而無(wú)需使用任何復(fù)雜的控制設(shè)備，便可讓人們身歷其境地與內(nèi)容做互動(dòng)。本章詳細(xì)介紹了：體感控制技術(shù)，體溫感應(yīng)控制等內(nèi)容。
模擬芯片

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閃存技術(shù)

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閃存是一種長(zhǎng)壽命的非易失性（在斷電情況下仍能保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)信息）的存儲(chǔ)器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個(gè)的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位（注意：NOR Flash 為字節(jié)存儲(chǔ)。），區(qū)塊大小一般為256KB到20MB。
美滿電子

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Zynq

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　　賽靈思公司（Xilinx）推出的行業(yè)第一個(gè)可擴(kuò)展處理平臺(tái)Zynq系列。旨在為視頻監(jiān)視、汽車駕駛員輔助以及工廠自動(dòng)化等高端嵌入式應(yīng)用提供所需的處理與計(jì)算性能水平。
Kinetis

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Cirrus LogIC

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Cirrus Logic 1984 年創(chuàng)立于硅谷，是音頻和能源市場(chǎng)上高精度模擬和數(shù)字信號(hào)處理元件的主要供應(yīng)商。Cirrus Logic 擅長(zhǎng)于開(kāi)發(fā)具備優(yōu)秀功能集成和創(chuàng)新的復(fù)雜芯片設(shè)計(jì)。
柵極驅(qū)動(dòng)器

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　　柵極驅(qū)動(dòng)器是一個(gè)用于放大來(lái)自微控制器或其他來(lái)源的低電壓或低電流的緩沖電路。在某些情況下，例如驅(qū)動(dòng)用于數(shù)字信號(hào)傳輸?shù)倪壿嬰娖骄w管時(shí)，使用微控制器輸出不會(huì)損害應(yīng)用的效率、尺寸或熱性能。在高功率應(yīng)用中，微控制器輸出通常不適合用于驅(qū)動(dòng)功率較大的晶體管。
研華

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華星光電

華星光電

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深圳市華星光電技術(shù)有限公司（以下簡(jiǎn)稱華星光電）是2009年11月16日成立的一家高新科技企業(yè)，公司注冊(cè)資本183.4億元，投資總額達(dá)443億元，是深圳市建市以來(lái)單筆投資額最大的工業(yè)項(xiàng)目，也是深圳市政府重點(diǎn)推動(dòng)的項(xiàng)目。
驍龍

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驍龍是Qualcomm Technologies（美國(guó)高通）旗下移動(dòng)處理器和LTE調(diào)制解調(diào)器的品牌名稱。
32位單片機(jī)

32位單片機(jī)

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ARM，其中ARM7，9，10是公開(kāi)的32位處理器內(nèi)核，很多公司都有基于ARM的單片機(jī)產(chǎn)品。目前國(guó)內(nèi)應(yīng)用最廣泛的所三星和菲利普。
Cortex-A

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　　Cortex-A 系列處理器是一系列處理器，支持ARM32或64位指令集，向后完全兼容早期的ARM處理器，包括從1995年發(fā)布的ARM7TDMI處理器到2002年發(fā)布的ARMll處理器系列。
Mobileye

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Mobileye在單目視覺(jué)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) （ADAS）的開(kāi)發(fā)方面走在世界前列，提供芯片搭載系統(tǒng)和計(jì)算機(jī)視覺(jué)算法運(yùn)行 DAS 客戶端功能，例如車道偏離警告（LDW）、基于雷達(dá)視覺(jué)融合的車輛探測(cè)、前部碰撞警告（FCW）、車距監(jiān)測(cè) （HMW）、行人探測(cè)、智能前燈控制（IHC）、交通標(biāo)志識(shí)別（TSR）、僅視覺(jué)自適應(yīng)巡航控制（ACC）等。
CC2541

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CC2541 是一款針對(duì)低能耗以及私有 2.4GHz 應(yīng)用的功率優(yōu)化的真正片載系統(tǒng) （SoC）解決方案。
STM32F4

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STM32F4是由ST（意法半導(dǎo)體）開(kāi)發(fā)的一種高性能微控制器。其采用了90 納米的NVM 工藝和ART（自適應(yīng)實(shí)時(shí)存儲(chǔ)器加速器，Adaptive Real-Time MemoryAccelerator?）。
PFM

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壓電力顯微鏡（PFM）即是在AFM基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)利用原子力顯微鏡導(dǎo)電探針檢測(cè)樣品的在外加激勵(lì)電壓下的電致形變量的顯微鏡。為了有效的提取出PFM信號(hào)，通常會(huì)對(duì)探針施加某一固定頻率（遠(yuǎn)低于探針共振頻率）的激勵(lì)信號(hào)，通過(guò)鎖相放大器對(duì)PFM信號(hào)進(jìn)行提取。
超級(jí)本

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超極本Ultrabook是英特爾繼UMPC、MID、上網(wǎng)本netbook、Consumer Ultra Low Voltage超輕薄筆記本之后，定義的全新品類筆記本產(chǎn)品，集成了平板電腦的應(yīng)用特性與PC的性能，超極本是完整的電腦。

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