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mos管

mos管

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mos管是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,或者稱是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對(duì)調(diào)的,他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

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2019-05-05 標(biāo)簽:芯片MOS管數(shù)字電路 1.8萬(wàn) 0

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2023-02-27 標(biāo)簽:驅(qū)動(dòng)器MOS管柵極 1.8萬(wàn) 0

深度解析MOS管的GS波形

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反激電源高壓MOS管尖峰電流的來(lái)源和減小方法

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2023-09-17 標(biāo)簽:MOS管變量 1.8萬(wàn) 0

一文詳解MOS管的基本知識(shí)

MOS,是MOSFET的縮寫。MOSFET 金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor ...

2022-12-26 標(biāo)簽:MOS管可變電阻VDS 1.8萬(wàn) 0

OC門和OD門的主要區(qū)別

OC門,又稱集電極開路(漏極開路)與非門門電路,Open Collector(Open Drain)。

2022-08-12 標(biāo)簽:MOS管三態(tài)門OC門 1.8萬(wàn) 0

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淺談MOS管的高端驅(qū)動(dòng)和低端驅(qū)動(dòng)

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MOS管相對(duì)于負(fù)載在電勢(shì)的低端,其中D通過(guò)負(fù)載接電源,S直接接地。對(duì)于NMOS,只有當(dāng)Vgs大于開啟電壓時(shí),MOS管才能導(dǎo)通。

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什么是半橋驅(qū)動(dòng)芯片?與普通芯片區(qū)別點(diǎn)在哪里?

由于低側(cè)MOS管驅(qū)動(dòng)電壓的參考點(diǎn)為地,較容易設(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路;而高側(cè)的驅(qū)動(dòng)電壓的參考點(diǎn)是跟隨VS電壓浮動(dòng)的,因此如何很好地驅(qū)動(dòng)高側(cè)MOS管是設(shè)計(jì)能否成功的關(guān)鍵。

2022-09-14 標(biāo)簽:MOS管半橋驅(qū)動(dòng)芯片 1.7萬(wàn) 0

一文讀懂IGBT

在我們實(shí)際的應(yīng)用當(dāng)中最流行和最常見的電子器件就是常見的雙極結(jié)晶體管BJT和MOS管。雖然BJT和MOS管是最流行最常見的元器件,但是在一些相對(duì)較高電流的...

2022-08-22 標(biāo)簽:MOS管IGBT晶體管 1.7萬(wàn) 0

什么是軟開關(guān)?為什么選用LLC諧振拓?fù)鋵?shí)現(xiàn)軟開關(guān)?

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本文主要參考楊波博士的論文《Topology Investigation for Front End DC/DC Power Conversion fo...

2023-12-03 標(biāo)簽:MOS管軟開關(guān)LLC 1.7萬(wàn) 0

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