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mos管

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mos管是金屬（metal）—氧化物（oxide）—半導(dǎo)體（semiconductor）場效應(yīng)晶體管，或者稱是金屬—絕緣體（insulator）—半導(dǎo)體。MOS管的source和drain是可以對調(diào)的，他們都是在P型backgate中形成的N型區(qū)。

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mos管技術(shù)

MOS管該如何抉擇

MOS管是電子制造的基本元件，但面對不同封裝、不同特性、不同品牌的MOS管時，該如何抉擇？有沒有省心、省力的遴選方法？

2022-08-25 標簽：元器件 MOS管電壓 2.5k 0

MOS管損壞的五種原因

如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達到擊穿電壓V（BR）DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。

2022-08-23 標簽：電流 MOSFET MOS管 4.6k 0

米勒效應(yīng)是什么？MOS管能避免米勒效應(yīng)嗎？

從t1時刻開始，MOS進入了飽和區(qū)。在飽和有轉(zhuǎn)移特性：Id=Vgs*Gm。其中Gm是跨導(dǎo)，只要Id不變Vgs就不變。Id在上升到最大值以后，而此時又處于...

2022-08-22 標簽：MOS管電容充電輸出電容 5.1k 0

一文讀懂IGBT

在我們實際的應(yīng)用當中最流行和最常見的電子器件就是常見的雙極結(jié)晶體管BJT和MOS管。雖然BJT和MOS管是最流行最常見的元器件，但是在一些相對較高電流的...

2022-08-22 標簽：MOS管 IGBT 晶體管 1.7萬 0

MOSFET晶體管的制造工藝

MOS場效應(yīng)管（以下簡稱MOS管）中間是部分是金屬-絕緣體-半導(dǎo)體組成的MOS電容結(jié)構(gòu)，是上圖中的中間柵極-絕緣層和n-Si襯底部分的結(jié)構(gòu)。

2022-08-20 標簽：集成電路 MOSFET 場效應(yīng)管 1.0萬 0

徹底了解MOS管，我們應(yīng)從兩點入手

MOS管的開關(guān)損耗跟設(shè)計有直接的關(guān)系，縮短導(dǎo)通和關(guān)斷時間可有效降低開關(guān)損耗；最后，驅(qū)動MOS管的推挽電路很多都已集成在驅(qū)動芯片內(nèi)部，輸出能力很強，通常電...

2022-08-19 標簽：MOSFET 場效應(yīng)管 MOS管 6.8k 0

MOS管緩啟動電路的RC參數(shù)

從上圖可以看出沖擊電流很大，達23.0A，遠大于滿載工作電流（1A左右），板上電源設(shè)計指南要求是滿載工作電流的3～5倍，所以需要整改以達到板上電源要求，...

2022-08-18 標簽：電路 MOS管浪涌電流 8.9k 0

功率Mos管損壞主要原因

過快的充電會導(dǎo)致激烈的米勒震蕩，但過慢的充電雖減小了震蕩，但會延長開關(guān)從而增加開關(guān)損耗。Mos開通過程源級和漏級間等效電阻相當于從無窮大電阻到阻值很小的...

2022-08-17 標簽：CMOS MOS管控制器電路 1.9k 0

如何利用STM32F0單片機PWM + ADC去控制有刷電機

讀取 ADC 的值，寫入 TIM 的 CCR 寄存器，觀察 PWM 占空比的變化。根據(jù)電機的特性，還可能需要改變 PWM 的周期。

2022-08-15 標簽：MOS管驅(qū)動電路 STM32F0 3.9k 0

3.7v升壓5v電路圖分享

NCP1400ASN50、NCP1402SN50、CS5171、TPS60110、TPS60111、MAX756、MAX777、MAX731、MAX77...

2022-08-15 標簽：電路圖 MOS管升壓轉(zhuǎn)換器 9.2k 0

MOS管的GS波形分析

對于咱們電源工程師來講，我們很多時候都在看波形，看輸入波形，MOS開關(guān)波形，電流波形，輸出二極管波形，芯片波形，MOS管的GS波形，我們拿開關(guān)GS波形為...

2022-08-14 標簽：MOS管波形 RLC 4.6k 0

OC門和OD門的主要區(qū)別

OC門，又稱集電極開路(漏極開路)與非門門電路，Open Collector(Open Drain)。

2022-08-12 標簽：MOS管三態(tài)門 OC門 1.8萬 0

從應(yīng)用側(cè)出發(fā)來給大家介紹一下MOS管里面最常見的NMOS

對于這個高速的PWM波控制場景是致命的。當PWM波的周期接近于這個爬升時間時，這個波形就會失真。一般來說Cgs大小和Rds(on)是成反比的關(guān)系。Rds...

2022-08-12 標簽：場效應(yīng)管 MOS管 NMOS 3.9k 0

MOS管內(nèi)的體二極管簡析

PMOS管做開關(guān)用，S極作電源輸入，D極作輸出，當Vsg大于閾值電壓，MOS管導(dǎo)通，一般MOS管的導(dǎo)通內(nèi)阻都很小，毫歐級別，過幾安培的電流，壓降也才毫伏...

2022-08-12 標簽：MOS管體二極管高電平 1.6萬 0

關(guān)于MOS管的詳細講解

1、三個極怎么判定？2、他們是N溝道還是P溝道？3、寄生二極管的方向如何判定？

2022-08-10 標簽：MOS管寄生二極管 2k 0

低邊MOS管驅(qū)動器是如何工作的

當控制電壓由低變高時，柵極電壓開始時有一個3V的臺階，分析認為是Q3截止后，3.3偏置電壓經(jīng)過BC結(jié)饋電引起的。

2022-08-09 標簽：驅(qū)動器 MOS管射極輸出器 3.9k 0

MOS管知識全面解析

每一個MOS管都提供有三個電極：Gate柵極（表示為“G”）、Source源極（表示為“S”）、Drain漏極（表示為“D”）。接線時，對于N溝道的電源...

2022-08-09 標簽：半導(dǎo)體 MOS管電極 5.2k 0

MOS管導(dǎo)通截止原理詳解

NMOS管的主回路電流方向為D—>S，導(dǎo)通條件為VGS有一定的壓差，如 5V（G電位比S電位高）。

2022-08-08 標簽：MOS管 PMOS管 3.9萬 0

MOS管的測試，MOS管的更換

把紅表筆接到MOS管的源極S；把黑表筆接到MOS管的漏極D，此時表針指示應(yīng)該為無窮大，如圖5-3所示。如果有歐姆指數(shù)，說明被測管有漏電現(xiàn)象，此管不能用。

2022-08-08 標簽：三極管 MOS管引腳 4.3k 0

同步BUCK芯片的電性能參數(shù)解讀（上）

Sink Current即灌電流的意思，是數(shù)字電路的表示方式，電流方向指向芯片IO，與Souce Current 拉電流相對應(yīng)。

2022-08-07 標簽：BUCK MOS管數(shù)字電路 3.4k 0

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