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• JesFS Flash文件系統(tǒng)：高效管理小型控制器大數(shù)據(jù)存儲(chǔ)新方案

  CC13xx/26xx系列處理器的Launchpad開(kāi)發(fā)平臺(tái)物美價(jià)廉，配備TI的CCSTUDIO[3]IDE，可以進(jìn)行源代碼調(diào)試。CC13xx/26xx開(kāi)發(fā)平臺(tái)配備了一片1MB的串行Flash存儲(chǔ)器，大小只有2mmx3mm!...

  2129次閱讀 · 0評(píng)論 控制器FlaSh數(shù)據(jù)存儲(chǔ)文件系統(tǒng)
  

• RDMA在高速網(wǎng)絡(luò)中的應(yīng)用及其實(shí)現(xiàn)策略

  在大型模型應(yīng)用領(lǐng)域，要獲得最佳性能，關(guān)鍵在于精密配置，特別是當(dāng)GPU與InfiniBand網(wǎng)卡協(xié)同工作時(shí)。這里參考了合作伙伴NVIDIA推出的DGX系統(tǒng)，它倡導(dǎo)了一種GPU與InfiniBand網(wǎng)卡一對(duì)一配對(duì)的設(shè)計(jì)理念，并樹(shù)立了行業(yè)標(biāo)桿。...

  2383次閱讀 · 0評(píng)論 cpugpu適配器計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)RDMA
  

• 什么是相變存儲(chǔ)器？如何表征相變材料及器件電學(xué)性能？

  相變存儲(chǔ)器（Phase-Change Random Access Memory，簡(jiǎn)稱(chēng) PCRAM 或者PCM），是一種非易失性存儲(chǔ)器，利用電能(熱量)使相變材料在晶態(tài)(低阻)與非晶態(tài)(高阻)之間的相互轉(zhuǎn)換來(lái)實(shí)現(xiàn)信息的存儲(chǔ)和擦除，通過(guò)測(cè)量電阻的變化讀出信息。...

  2395次閱讀 · 0評(píng)論 存儲(chǔ)器非易失性存儲(chǔ)器
  

• DDR SDRAM 和SDRAM的主要差異

  DDR內(nèi)存通過(guò)在時(shí)鐘周期的上升沿和下降沿都傳輸數(shù)據(jù)，從而實(shí)現(xiàn)雙倍數(shù)據(jù)率。這意味著在每個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)，DDR內(nèi)存能夠傳輸兩次數(shù)據(jù)，提高了數(shù)據(jù)傳輸效率。...

  3703次閱讀 · 0評(píng)論 DRAMSDRAM存儲(chǔ)器DDR內(nèi)存
  

• 企業(yè)存儲(chǔ)設(shè)備資源劃分之存儲(chǔ)基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)探究

  1.web訪(fǎng)問(wèn)存儲(chǔ)管理頁(yè)面 2.創(chuàng)建硬盤(pán)域 根據(jù)業(yè)務(wù)需求調(diào)整硬盤(pán)域 3.在硬盤(pán)域之上創(chuàng)建存儲(chǔ)池，分別創(chuàng)建一個(gè)文件及存儲(chǔ)StoragePool002和塊級(jí)存儲(chǔ)StoragePool001...

  682次閱讀 · 0評(píng)論 Web文件系統(tǒng)塊存儲(chǔ)
  

• 3D DRAM進(jìn)入量產(chǎn)倒計(jì)時(shí)，3D DRAM開(kāi)發(fā)路線(xiàn)圖

  目前，各大內(nèi)存芯片廠(chǎng)商，以及全球知名半導(dǎo)體科研機(jī)構(gòu)都在進(jìn)行3D DRAM的研發(fā)工作，并且取得了不錯(cuò)的進(jìn)展，距離成熟產(chǎn)品量產(chǎn)不遠(yuǎn)了。...

  1939次閱讀 · 0評(píng)論 處理器DRAM三星電子晶體管3D DRAM
  

• 存算一體架構(gòu)的優(yōu)勢(shì)及分類(lèi)

  存內(nèi)計(jì)算同樣是將計(jì)算和存儲(chǔ)合二為一的技術(shù)。它有兩種主要思路。第一種思路是通過(guò)電路革新，讓存儲(chǔ)器本身就具有計(jì)算能力。...

  2812次閱讀 · 0評(píng)論 芯片DRAM邏輯電路存儲(chǔ)器存算一體
  

• 先進(jìn)工藝下的SRAM功耗和性能挑戰(zhàn)

  隨著AI設(shè)計(jì)對(duì)內(nèi)部存儲(chǔ)器訪(fǎng)問(wèn)的要求越來(lái)越高，SRAM在工藝節(jié)點(diǎn)遷移中進(jìn)一步增加功耗已成為一個(gè)的問(wèn)題。...

  2263次閱讀 · 0評(píng)論 CMOSDRAMsram數(shù)據(jù)中心人工智能

• 如何打破內(nèi)存限制融合HBM與DDR5創(chuàng)新

  正如我們?cè)谧畛跎孀鉉elestial的產(chǎn)品戰(zhàn)略時(shí)所討論的那樣，該公司的零件分為三大類(lèi)：小芯片、中介層和英特爾EMIB或臺(tái)積電CoWoS的光學(xué)旋轉(zhuǎn)，稱(chēng)為OMIB。...

  1275次閱讀 · 0評(píng)論 芯片交換機(jī)HBMDDR5

• 韓國(guó)研究團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)新型超低功耗存儲(chǔ)設(shè)備

  DRAM是最常用的存儲(chǔ)器之一，速度非?？?，但具有易失性特性，當(dāng)電源關(guān)閉時(shí)，數(shù)據(jù)會(huì)消失。NAND閃存是一種存儲(chǔ)設(shè)備，讀/寫(xiě)速度相對(duì)較慢，但它具有非易失性特性，即使在電源被切斷時(shí)也能保存數(shù)據(jù)。...

  753次閱讀 · 0評(píng)論 閃存DRAMNAND存儲(chǔ)器
  

• 一文解析NAND的閃存接口ONFI

  ONFI 由100多家制造、設(shè)計(jì)或使用 NAND 閃存的公司組成的行業(yè)工作組，其中包括主要成員如 Intel 和鎂光。該工作組旨在簡(jiǎn)化將 NAND 閃存集成到消費(fèi)電子產(chǎn)品、計(jì)算平臺(tái)以及其他需要大容量固態(tài)存儲(chǔ)的應(yīng)用程序中的過(guò)程。...

  11825次閱讀 · 0評(píng)論 控制器NAND閃存芯片閃存接口
  

• DDR SDRAM和SDRAM功能及結(jié)構(gòu)差異

  在計(jì)算機(jī)運(yùn)算速度發(fā)展的過(guò)程中，需要提高內(nèi)存的讀寫(xiě)速率，只能通過(guò)提高時(shí)鐘頻率來(lái)提高SDRAM的讀寫(xiě)速率。由于溫度等因素的影響，SDRAM的內(nèi)核時(shí)鐘頻率受限，無(wú)法進(jìn)一步提升。...

  3721次閱讀 · 0評(píng)論 SDRAM寄存器接收器時(shí)鐘信號(hào)DDR SDRAM
  

• 工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)：工業(yè)應(yīng)用的關(guān)鍵要素與挑戰(zhàn)解析

  工業(yè)級(jí)存儲(chǔ)的廣泛應(yīng)用范圍涵蓋了工業(yè)PLC、工業(yè)HMI、工業(yè)網(wǎng)關(guān)、電力數(shù)據(jù)采集器、電力通訊管理器、工業(yè)控制、能源電力、軌道交通、電力DTU、運(yùn)動(dòng)控制器等多個(gè)領(lǐng)域，并在這些領(lǐng)域中扮演著至關(guān)重要的角色。...

  1608次閱讀 · 0評(píng)論 風(fēng)力發(fā)電機(jī)工業(yè)控制存儲(chǔ)芯片
  

• 超快移動(dòng)固態(tài)硬盤(pán)是什么極速體驗(yàn)？

  如果選擇常規(guī)的 USB?C 接口，那么速度將限制在 1000MB/s 左右。例如體驗(yàn)期間同時(shí)使用了 MacBook?Pro?16 (M1?Pro，2021) 進(jìn)行測(cè)試，英睿達(dá) X10?Pro 的順序讀取速度在 900MB/s，寫(xiě)入速度在 850MB/s，性能與英睿達(dá) X9?Pro 基本一致。...

  1831次閱讀 · 0評(píng)論 usb移動(dòng)硬盤(pán)固態(tài)硬盤(pán)英睿達(dá)

• 一文解析DARM工藝流程

  DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）的工藝流程包括多個(gè)關(guān)鍵步驟。...

  11509次閱讀 · 0評(píng)論 電容晶圓存儲(chǔ)單元光刻晶圓制備
  

• NAND存儲(chǔ)種類(lèi)和優(yōu)勢(shì)

  非易失性存儲(chǔ)器芯片又可分為快閃存儲(chǔ)器 （Flash Memory） 與只讀存儲(chǔ)器 （Read-Only Memory）。其中，快閃存儲(chǔ)器又可以分為 NAND 存儲(chǔ)和 NOR 存儲(chǔ)。...

  2261次閱讀 · 0評(píng)論 閃存NAND非易失性存儲(chǔ)器快閃存儲(chǔ)器
  

• 什么是HBM3E內(nèi)存？Rambus HBM3E/3內(nèi)存控制器內(nèi)核

  Rambus HBM3E/3 內(nèi)存控制器內(nèi)核針對(duì)高帶寬和低延遲進(jìn)行了優(yōu)化，以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓(xùn)練提供了最大的性能和靈活性。...

  5140次閱讀 · 0評(píng)論 處理器DRAM人工智能內(nèi)存控制器HBMHBM3E
  

• 3D NAND的溝道通孔刻蝕工藝步驟

  溝道通孔（Channel Hole）指的是從頂層到底層垂直于晶圓表面，穿過(guò)多層存儲(chǔ)單元的細(xì)長(zhǎng)孔洞。這些通孔貫穿整個(gè)堆疊結(jié)構(gòu)，并填充了導(dǎo)電材料，它們?cè)诿總€(gè)存儲(chǔ)層之間形成導(dǎo)電通道，從而使電子能夠在在存儲(chǔ)單元間移動(dòng)，進(jìn)行讀取、寫(xiě)入和擦除操作。...

  2800次閱讀 · 0評(píng)論 刻蝕3d nand
  

• 3D NAND的主要制作流程

  SiO2與SiNx交替鍍膜，每層膜層在幾十納米左右。根據(jù)產(chǎn)品的不同，膜層的層數(shù)也不同。圖中只是示意圖，只有幾層。但實(shí)際有64，128，400層等層數(shù)。...

  3607次閱讀 · 0評(píng)論 3d nand芯片制程
  

• JEDEC發(fā)布：GDDR7 DRAM新規(guī)范，專(zhuān)供顯卡與GPU使用

  三星電子和SK海力士計(jì)劃在今年上半年量產(chǎn)下一代顯卡用內(nèi)存GDDR7 DRAM，這是用于圖形處理單元（GPU）的最新一代高性能內(nèi)存。...

  2169次閱讀 · 0評(píng)論 DRAM三星電子內(nèi)存JEDEC圖形處理
  
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