在移動設(shè)備市場中，對內(nèi)存帶寬的需求日益增長，促使三星電子和SK海力士兩大巨頭積極探索移動DRAM堆疊封裝技術(shù)的創(chuàng)新應(yīng)用。這一努力旨在大幅提升移動設(shè)備的內(nèi)存性能，滿足市場對于更快、更高效的移動設(shè)備的需求。

隨著人工智能在智能手機、筆記本等移動設(shè)備上的廣泛應(yīng)用，端側(cè)AI已經(jīng)成為行業(yè)熱議的焦點。為了支持端側(cè)運行模型的高效運行，移動DRAM的性能要求也在不斷提升。在這樣的背景下，三星電子和SK海力士開始研究并應(yīng)用堆疊芯片技術(shù)，將其視為在HBM內(nèi)存領(lǐng)域的一種具有潛力的解決方案。

然而，傳統(tǒng)的HBM連接方案如TSV并不適用于移動DRAM芯片，因為這些芯片往往尺寸較小。此外，HBM的高制造成本和低良率也限制了其在高產(chǎn)能移動DRAM市場的廣泛應(yīng)用。因此，三星電子和SK海力士決定另辟蹊徑，采用一種創(chuàng)新的封裝技術(shù)——垂直布線扇出技術(shù)（VFO）。

VFO技術(shù)為移動DRAM芯片堆疊難題提供了有效的解決方案。它結(jié)合了FOWLP和DRAM堆疊兩項技術(shù)的優(yōu)勢，通過垂直連接顯著縮短了電信號在多層DRAM間的傳輸路徑，從而提高了能效。SK海力士透露，其去年中期的VFO技術(shù)驗證樣品在導(dǎo)線長度上僅為傳統(tǒng)布線產(chǎn)品的四分之一，能效提升了4.9%。雖然散熱量有所增加，但封裝厚度減少了27%，為移動設(shè)備的設(shè)計提供了更多靈活性。

與此同時，三星也推出了采用類似技術(shù)的產(chǎn)品——LLW DRAM。這款產(chǎn)品不僅實現(xiàn)了低延遲和高達128GB/s的帶寬性能，而且能耗僅為1.2 pJ / b，充分展示了VFO技術(shù)的優(yōu)勢。據(jù)悉，三星計劃于明年下半年實現(xiàn)LLW DRAM的量產(chǎn)，而SK海力士的相關(guān)產(chǎn)品也已進入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段。

業(yè)內(nèi)專家普遍認為，采用VFO技術(shù)的產(chǎn)品有望繼HBM之后成為下一個AI內(nèi)存熱點。這些產(chǎn)品的推出將為移動設(shè)備市場帶來新的發(fā)展機遇，推動移動設(shè)備的性能提升和創(chuàng)新。

審核編輯：黃飛