電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，據(jù)報道，有業(yè)內(nèi)人士透露，三星在上個月向英偉達提供了HBM4樣品，目前已經(jīng)通過了初步的質(zhì)量測試，將于本月底進入預(yù)生產(chǎn)階段。如果能通過英偉達最后的驗證步驟，最早可能在11月或12月開始實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)。這一進展將使得三星參與到下一階段HBM訂單的有力競爭。

三星還在HBM3E上提供了非常具有吸引力的報價，傳聞向英偉達提供比SK海力士低20%至30%的報價，三星不得不通過激進定價策略來提升市場競爭力。

近日消息，SK海力士已向英偉達小批量供應(yīng)HBM4，以支持英偉達的下一代AI加速器RubinGPU的出樣計劃。據(jù)悉，英偉達計劃在2025年9月推出RubinGPU的樣品，而SK海力士則提前調(diào)整供應(yīng)節(jié)奏，以滿足這一緊迫需求。

除了英偉達之外，SK海力士7月1日表示，正在與英特爾就GaudiAI加速器相關(guān)的HBM進行合作，SK海力士的第6代高帶寬內(nèi)存（HBM4）有可能安裝在英特爾JaguarShoresAI顯卡加速器產(chǎn)品中。

美光已經(jīng)向多家主要客戶提供其最新研發(fā)的12層堆疊36GBHBM4內(nèi)存樣品。美光的12層堆疊36GBHBM4內(nèi)存采用成熟的1β（1-beta）DRAM制程，并結(jié)合先進的12層封裝技術(shù)。與之前的產(chǎn)品相比，HBM4每個內(nèi)存堆疊的傳輸速率超過2.0TB/s，性能較前一代產(chǎn)品提升超過60%。美光HBM4內(nèi)存的2048位元接口為AI加速器提供了更廣泛的帶寬，顯著提高AI推理的速度。

美光在發(fā)布會上透露，HBM4內(nèi)存的生產(chǎn)進程已經(jīng)與客戶下一代AI平臺的準備進度緊密配合，旨在確保無縫集成，并適時擴大產(chǎn)量以滿足市場需求。

近日，美光首席商務(wù)官SumitSadana表示，與客戶就2026年HBM供貨量談判取得顯著進展。12層HBM3E良率提升速度遠超8層，12層產(chǎn)品出貨量已超過8層。預(yù)計明年供應(yīng)產(chǎn)品大部分為12層的HBM3E，也可能包含HBM4。

另據(jù)韓媒報道，三星電子正在加緊招聘經(jīng)驗豐富的高帶寬存儲器(HBM)專家。此次招聘的目標是招募下一代半導(dǎo)體和芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域的經(jīng)驗豐富的工程師，包括混合鍵合，這一工藝被視為提高人工智能和其他計算應(yīng)用性能的關(guān)鍵。與之相對應(yīng)的是，三星電子正在縮減其表現(xiàn)不佳的晶圓代工部門的招聘規(guī)模。

具體來說，三星正在尋找能夠為先進HBM設(shè)計新架構(gòu)的封裝開發(fā)專家，而產(chǎn)品規(guī)劃人員則負責(zé)與對定制HBM感興趣的客戶進行溝通。定制HBM指的是垂直堆疊DRAM產(chǎn)品的一種版本，其底層芯片配備了客戶指定的功能。預(yù)計三星電子最早將于明年將定制HBM推向市場。