概述：

MS8816/MS8816P 采用先進的制造工藝，功耗低，可靠性高，隔離度好。該

電路包含 8×16 個模擬開關(guān)陣列，7 到 128 個地址譯碼和鎖存電路。通過不同的

地址信號，可以對 128 個開關(guān)尋址。DATA 端口輸入邏輯電平“1”或“0”，可對

模擬開關(guān)打開或關(guān)閉。模擬信號范圍從 VDD 到 VEE。還可以通過芯片 CS，允許對

芯片開關(guān)陣列擴展。

芯片特性：

■ 內(nèi)含控制鎖存器，地址譯碼

■ 很短的建立時間和保持時間

■ 寬電壓范圍：4.5V～13.2V

■ 12Vpp 模擬信號

■ Ron 最大 65Ω@VDD=12V,25℃

■ ⊿Ron≤10Ω@VDD=12V,25℃

■ 低失真，全 CMOS 開關(guān)

■ 小的饋通和串?dāng)_

■ 獨立的模擬數(shù)字參考電壓源

芯片應(yīng)用：

■ 按鍵系統(tǒng)

■ PBX 系統(tǒng)

■ 模擬/數(shù)字多路開關(guān)

■ 音頻/視頻開關(guān)

■ 移動設(shè)備

■ 測試設(shè)備

芯片系統(tǒng)框圖：

封裝信息：

管腳描述：

功能描述：

MS8816/MS8816P是一個8×16模擬開關(guān)矩陣電路。開關(guān)矩陣是Y方向8列，X方

向16行。當(dāng)開關(guān)斷開時，模擬開關(guān)陣列相應(yīng)X行和Y行之間實現(xiàn)絕對的隔離；當(dāng)開

關(guān)接通時，X行和Y行之間相連。

控制寄存器由一個128位可寫RAM組成，其位數(shù)可通過地址輸入線

（AX0-AX3,AY0-AY2）來選擇。數(shù)據(jù)由DATA端口寫入到存儲器。當(dāng)STROBE和CS輸

入為高電平時，不同的數(shù)據(jù)可以寫入DATA端口，在STROBE下降沿，數(shù)據(jù)被鎖存，

為確保有效寫入，在下降沿前數(shù)據(jù)端口必須保持穩(wěn)定。當(dāng)邏輯“1”寫入存儲單

元時，就把相應(yīng)的交叉點開關(guān)導(dǎo)通；當(dāng)邏輯“0”寫入存儲單元時，就把相應(yīng)的

交叉點開關(guān)斷開。當(dāng)數(shù)據(jù)寫入到存儲器，被尋址的存儲器位置的交叉點的狀態(tài)改

變。其余的的開關(guān)保持原先的狀態(tài)。在控制器寫入不同的數(shù)據(jù)，可以得到X和Y

不同組合。當(dāng)RESET輸入邏輯“1”，CS不管任何狀態(tài)，關(guān)閉所有開關(guān)，存儲器的

數(shù)據(jù)清零。兩個電壓參考腳（VSS和VEE）可以提供MS8816/MS8816P負的模擬信號。

數(shù)字信號電壓范圍從VDD到VSS，模擬信號的電壓范圍從VDD到VEE。如果只有一個

電源時，可以把VSS和VEE接到一起。

地址譯碼：

在STROBE和CS使能信號的控制下，7根地址線輸入到7-128地址譯碼器。DATA經(jīng)過

緩沖以后作為所有儲存器的輸入。當(dāng)RESET低電平同時CS高電平下，數(shù)據(jù)和地址

才可以寫入鎖存器，數(shù)據(jù)在STROBE下降沿鎖存。只有當(dāng)STROBE高電平的時候，數(shù)

據(jù)才可以寫入，開關(guān)可以打開和關(guān)閉。為保證數(shù)據(jù)有效寫入，STROBE下降沿之前

應(yīng)保持?jǐn)?shù)據(jù)穩(wěn)定。

極限參數(shù)

（長時間工作在極限狀態(tài)下，會影響電路使用壽命）

推薦條件

直流參數(shù) (VEE=VSS=0V，VDD＝12V)

直流參數(shù)－導(dǎo)通電阻

交流參數(shù)－交叉點性能

（VEE=-7V，VDD=5V，VSS=0V）

交流參數(shù)－時序控制

（VEE=-7V，VDD=5V，VSS=0V）

地址譯碼真值表

封裝信息：

PLCC44

LQFP44:

——愛研究芯片的小王

審核編輯 黃宇