哈哈哈哈哈操欧洲电影,久草网在线,亚洲久久熟女熟妇视频,麻豆精品色,久久福利在线视频,日韩中文字幕的,淫乱毛视频一区,亚洲成人一二三,中文人妻日韩精品电影

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

為什么采用多晶硅作為柵極材料

中科院半導體所 ? 來源:Tom聊芯片智造 ? 2025-02-08 11:22 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

本文解釋了為什么采用多晶硅作為柵極材料

柵極材料的變化

3aab3986-e556-11ef-9310-92fbcf53809c.png

如上圖,gate就是柵極,柵極由最開始的鋁柵,到多晶硅柵,再到HKMG工藝中的金屬柵極。 柵極的作用 柵極的主要作用是控制晶體管中的溝道的電流。柵極電壓的變化使得晶體管在導通和關閉狀態(tài)之間切換。 多晶硅柵的優(yōu)勢 1. 多晶硅耐高溫。在源漏離子注入后,需要高溫退火。而鋁柵的熔點在六百多攝氏度。而高溫退火過程中,多晶硅柵能夠保持較好的穩(wěn)定性,不易受到影響。 2. 可以作為離子注入的遮蔽層,實現(xiàn)多晶硅柵與源漏的自對準,這樣就不會出現(xiàn)柵極和源漏套刻不對齊的問題。

3abb3084-e556-11ef-9310-92fbcf53809c.png

3.可以通過摻雜來提高閾值電壓。多晶硅柵通過控制其摻雜物的種類和濃度,能夠調(diào)節(jié)工作函數(shù),從而精確控制閾值電壓。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉(zhuǎn)載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 多晶硅
    +關注

    關注

    3

    文章

    250

    瀏覽量

    30711
  • 柵極
    +關注

    關注

    1

    文章

    188

    瀏覽量

    21745

原文標題:為什么采用多晶硅作為柵極材料?

文章出處:【微信號:bdtdsj,微信公眾號:中科院半導體所】歡迎添加關注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    導熱凝膠材料對比:基 vs 非基 vs 復合材料

    導熱凝膠作為高效熱界面材料,主要分為基、非基和復合材料體系。本文對比三者熱導率、穩(wěn)定性、適用場景及優(yōu)缺點,幫助您選擇最適合消費電子、新能
    的頭像 發(fā)表于 04-09 00:35 ?84次閱讀
    導熱凝膠<b class='flag-5'>材料</b>對比:<b class='flag-5'>硅</b>基 vs 非<b class='flag-5'>硅</b>基 vs 復合<b class='flag-5'>材料</b>

    氣體檢測儀在多晶硅生產(chǎn)車間的重要作用

    多晶硅作為光伏產(chǎn)業(yè)和半導體制造的核心基礎材料,其生產(chǎn)過程涉及多步復雜化學反應,尤其是改良西門子法等主流工藝,需要使用氫氣、三氯氫、四氯化硅等多種易燃易爆及有毒氣體。這些氣體一旦泄漏,
    的頭像 發(fā)表于 03-23 17:03 ?568次閱讀
    氣體檢測儀在<b class='flag-5'>多晶硅</b>生產(chǎn)車間的重要作用

    燒結銀膏在光技術和EML技術的應用

    燒結銀膏在光技術和EML技術的應用 燒結銀膏作為一種高導熱、低溫兼容、高可靠性的先進電子封裝材料,在光技術Silicon Photonics和電吸收調(diào)制激光器EML
    發(fā)表于 02-23 09:58

    破解高耗能困局:虛擬電廠綠色微電網(wǎng)驅(qū)動多晶硅產(chǎn)業(yè)零碳轉(zhuǎn)型

    工業(yè)綠色微電網(wǎng)與虛擬電廠的結合,正在重構工業(yè)能源的“血脈系統(tǒng)”。對于多晶硅等產(chǎn)業(yè)而言,這不僅是應對碳約束、降低用能成本的必然選擇,更是提升產(chǎn)業(yè)韌性、搶占綠色競爭優(yōu)勢的戰(zhàn)略機遇。未來,隨著技術迭代
    的頭像 發(fā)表于 01-21 17:32 ?231次閱讀
    破解高耗能困局:虛擬電廠綠色微電網(wǎng)驅(qū)動<b class='flag-5'>多晶硅</b>產(chǎn)業(yè)零碳轉(zhuǎn)型

    納米碳復合負極:鋰電池高容量升級的核心材料

    電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 在鋰離子電池能量密度迭代的核心賽道中,納米碳復合負極憑借材料的高儲鋰潛力與碳材料的結構穩(wěn)定性,成為突破傳統(tǒng)石墨負極性能瓶頸的關鍵方向。這種通過納米尺度復合技術
    的頭像 發(fā)表于 11-19 09:11 ?2922次閱讀

    12寸晶圓的制造工藝是什么

    12寸晶圓(直徑300mm)的制造工藝是一個高度復雜且精密的過程,涉及材料科學、半導體物理和先進設備技術的結合。以下是其核心工藝流程及關鍵技術要點: 一、單晶生長與晶圓成型 高純度多晶硅提純 原料
    的頭像 發(fā)表于 11-17 11:50 ?1029次閱讀

    紅外傳感器技術:微測輻射熱計解析

    微測輻射熱計(Microbolometer)是一種基于MEMS工藝制造的非制冷型紅外傳感器,通過探測物體輻射的紅外線實現(xiàn)溫度測量與熱成像。其核心原理是利用熱敏材料(如氧化釩、多晶硅)的電阻隨溫度變化的特性,將紅外輻射能轉(zhuǎn)換為電信號,最終形成熱圖像。
    的頭像 發(fā)表于 10-22 09:11 ?1049次閱讀
    紅外傳感器技術:微測輻射熱計解析

    一文詳解半導體與CMOS工藝

    天然沙子里富含二氧化硅(SiO?),人們能夠從沙子中提取高純度單晶,以此制造集成電路。單晶對純度要求極高,需達到99.9999999%(即9個9)以上,且原子需按照金剛石結構排列形成晶核。當晶核的晶面取向一致時,就能形成單
    的頭像 發(fā)表于 09-17 16:13 ?1773次閱讀
    一文詳解半導體與CMOS工藝

    PECVD硼發(fā)射極與poly-Si鈍化接觸共退火,實現(xiàn)高效TOPCon電池

    TOPCon電池憑借背面超薄SiO?/多晶硅疊層的優(yōu)異鈍化性能,成為n型電池主流工藝。然而傳統(tǒng)硼擴散工藝成本較高。本研究提出創(chuàng)新解決方案:PECVD單側(cè)沉積+同步退火集成工藝,正面:PECVD沉積
    的頭像 發(fā)表于 07-14 09:03 ?1716次閱讀
    PECVD硼發(fā)射極與poly-Si鈍化接觸共退火,實現(xiàn)高效TOPCon電池

    多晶硅在芯片制造中的作用

    在芯片的納米世界中,多晶硅(Polycrystalline Silicon,簡稱Poly-Si) 。這種由無數(shù)微小晶粒組成的材料,憑借其可調(diào)的電學性能與卓越的工藝兼容性,成為半導體制造中不可或缺的“多面手”。
    的頭像 發(fā)表于 07-08 09:48 ?4057次閱讀
    <b class='flag-5'>多晶硅</b>在芯片制造中的作用

    與其他材料在集成電路中的比較

    與其他半導體材料在集成電路應用中的比較可從以下維度展開分析。
    的頭像 發(fā)表于 06-28 09:09 ?2185次閱讀

    基于厚度梯度設計的TOPCon多晶硅指狀結構,實現(xiàn)25.28%量產(chǎn)效率突破

    隧穿氧化層鈍化接觸(TOPCon)技術作為當前太陽能電池領域的核心技術之一,憑借其優(yōu)異的背面鈍化性能,在工業(yè)生產(chǎn)中實現(xiàn)了廣泛應用。然而,多晶硅薄膜材料固有的窄帶隙和高吸收系數(shù)特性,導致其在
    的頭像 發(fā)表于 06-23 09:03 ?1413次閱讀
    基于厚度梯度設計的TOPCon<b class='flag-5'>多晶硅</b>指狀結構,實現(xiàn)25.28%量產(chǎn)效率突破

    自對準硅化物工藝詳解

    源漏區(qū)的單晶柵極上的多晶硅即使在摻雜后仍然具有較高的電阻率,自對準硅化物(salicide)工藝能夠同時減小源/漏電極和柵電極的薄膜電阻,降低接觸電阻,并縮短與柵相關的RC延遲。另外,它避免了
    的頭像 發(fā)表于 05-28 17:30 ?3174次閱讀
    自對準硅化物工藝詳解

    使用共聚焦拉曼顯微鏡進行多晶硅太陽能電池檢測

    圖1.多晶硅太陽能電池的顯微鏡光學圖像。在此圖像上可以觀察到大塊的熔融和凝固的。 可再生能源,例如太陽能,預計將在不久的將來發(fā)揮重要作用。為了將太陽光的能量直接轉(zhuǎn)化為電能,太陽能電池(晶體或
    的頭像 發(fā)表于 05-26 08:28 ?774次閱讀
    使用共聚焦拉曼顯微鏡進行<b class='flag-5'>多晶硅</b>太陽能電池檢測

    硅單晶片電阻率均勻性的影響因素

    直拉硅單晶生長的過程是熔融的多晶硅逐漸結晶生長為固態(tài)的單晶的過程,沒有雜質(zhì)的本征硅單晶的電阻率很高,幾乎不會導電,沒有市場應用價值,因此通過人為的摻雜進行雜質(zhì)引入,我們可以改變、控制硅單晶的電阻率。
    的頭像 發(fā)表于 05-09 13:58 ?1972次閱讀
    硅單晶片電阻率均勻性的影響因素
    融水| 仁布县| 贵溪市| 姚安县| 梁河县| 肥城市| 潍坊市| 汾阳市| 秦安县| 蒙山县| 浦城县| 忻州市| 陕西省| 白河县| 虞城县| 鄂尔多斯市| 鹰潭市| 工布江达县| 丰都县| 大田县| 古浪县| 奈曼旗| 营山县| 策勒县| 铅山县| 石泉县| 顺平县| 湘潭市| 和田县| 饶阳县| 临安市| 肇庆市| 资讯 | 沾化县| 女性| 高密市| 赤水市| 佛教| 新乐市| 高淳县| 宁乡县|