引言

在半導體制造與微納加工領域，光刻膠剝離是重要工序。傳統(tǒng)剝離液常對金屬層產(chǎn)生過度刻蝕，影響器件性能。同時，光刻圖形的精確測量也是確保制造質量的關鍵。本文聚焦金屬低刻蝕的光刻膠剝離液及其應用，并介紹白光干涉儀在光刻圖形測量中的作用。

金屬低刻蝕的光刻膠剝離液

配方設計

金屬低刻蝕光刻膠剝離液需平衡光刻膠溶解能力與金屬保護性能。其核心成分包括有機溶劑、堿性物質和緩蝕劑。有機溶劑（如 N - 甲基吡咯烷酮）負責溶解光刻膠；堿性物質（如四甲基氫氧化銨）促進光刻膠分解；緩蝕劑（如苯并三氮唑衍生物）在金屬表面形成保護膜，抑制刻蝕反應，減少金屬層損傷。

性能優(yōu)化

通過調整各成分比例與添加特殊添加劑來優(yōu)化剝離液性能。例如，引入絡合劑，與金屬離子形成穩(wěn)定絡合物，阻止其參與刻蝕反應；添加表面活性劑，降低表面張力，增強剝離液對光刻膠的滲透能力，提高剝離效率，同時減少對金屬的不良影響。

金屬低刻蝕光刻膠剝離液的應用

在半導體芯片制造中，該剝離液適用于銅互連、鋁柵極等工藝。以銅互連工藝為例，使用金屬低刻蝕剝離液，可在去除光刻膠的同時，有效保護銅導線結構，避免因過度刻蝕導致的線路寬度變化、短路或斷路問題，保障芯片電學性能穩(wěn)定。在微機電系統(tǒng)（MEMS）制造中，針對復雜金屬結構，該剝離液能精準剝離光刻膠，防止金屬結構變形或損壞，確保 MEMS 器件的可靠性和功能性。

白光干涉儀在光刻圖形測量中的應用

測量原理

白光干涉儀利用白光干涉現(xiàn)象，通過測量參考光與樣品表面反射光的光程差，獲取樣品表面形貌信息，可實現(xiàn)納米級精度測量，適用于光刻圖形的關鍵尺寸檢測。

測量過程

將待測樣品置于載物臺，調節(jié)樣品位置使其測量區(qū)域進入干涉儀視場。開啟測量，軟件自動采集干涉圖樣并處理數(shù)據(jù)，可精確獲得光刻圖形的深度、寬度、側壁角度等參數(shù)，為光刻工藝優(yōu)化提供數(shù)據(jù)支持。

優(yōu)勢

白光干涉儀采用非接觸測量方式，避免對光刻圖形的物理損傷；測量精度高，能滿足先進制程對光刻圖形高精度檢測需求；具備快速測量能力，可實現(xiàn)實時在線檢測，有效提高生產(chǎn)效率與質量管控水平。

TopMap Micro View白光干涉3D輪廓儀

一款可以“實時”動態(tài)/靜態(tài) 微納級3D輪廓測量的白光干涉儀

1)一改傳統(tǒng)白光干涉操作復雜的問題，實現(xiàn)一鍵智能聚焦掃描，亞納米精度下實現(xiàn)卓越的重復性表現(xiàn)。

2)系統(tǒng)集成CST連續(xù)掃描技術，Z向測量范圍高達100mm，不受物鏡放大倍率的影響的高精度垂直分辨率，為復雜形貌測量提供全面解決方案。

3）可搭載多普勒激光測振系統(tǒng)，實現(xiàn)實現(xiàn)“動態(tài)”3D輪廓測量。

實際案例

1，優(yōu)于1nm分辨率，輕松測量硅片表面粗糙度測量，Ra=0.7nm

2，毫米級視野，實現(xiàn)5nm-有機油膜厚度掃描

3，卓越的“高深寬比”測量能力，實現(xiàn)光刻圖形凹槽深度和開口寬度測量。

審核編輯 黃宇