美光12層堆疊36GB HBM4能效領(lǐng)先業(yè)界，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)中心和云端AI加速。

隨著數(shù)據(jù)中心對(duì)AI訓(xùn)練與推理工作負(fù)載需求的持續(xù)增長(zhǎng)，高性能內(nèi)存的重要性達(dá)到歷史新高。Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達(dá)克股票代碼：MU）宣布已向多家主要客戶送樣其12層堆疊36GB HBM4內(nèi)存。這一里程碑再次擴(kuò)大了美光在AI內(nèi)存性能和能效方面的領(lǐng)導(dǎo)地位。憑借其成熟的1β（1-beta）DRAM制程、經(jīng)過驗(yàn)證的12層先進(jìn)封裝技術(shù)及功能強(qiáng)大的內(nèi)存內(nèi)建自測(cè)試（MBIST）功能，美光HBM4為開發(fā)下一代AI平臺(tái)的客戶及合作伙伴提供了無縫集成的解決方案。

重要飛躍

隨著生成式AI應(yīng)用的不斷增長(zhǎng)，高效管理推理能力的重要性與日俱增。美光HBM4內(nèi)存具備2048位元接口，每個(gè)內(nèi)存堆疊的傳輸速率超過2.0 TB/s，性能較前一代產(chǎn)品提升超60%1。這樣的擴(kuò)展接口有助于實(shí)現(xiàn)高速通信與高吞吐量設(shè)計(jì)，進(jìn)而提高大型語言模型和思維鏈推理系統(tǒng)的推理性能。簡(jiǎn)而言之，HBM4將使AI加速器響應(yīng)更迅速、推理更高效。

此外，延續(xù)美光前一代HBM3E內(nèi)存2曾在業(yè)界樹立的HBM能效新標(biāo)桿，HBM4的能效再度提升超20%，展現(xiàn)了美光更進(jìn)一步的技術(shù)突破。這項(xiàng)進(jìn)展能以最低功耗提供更大吞吐量，從而更大限度地提高數(shù)據(jù)中心的效率2。

隨著生成式AI應(yīng)用場(chǎng)景的持續(xù)擴(kuò)展，此顛覆性技術(shù)將為社會(huì)創(chuàng)造顯著價(jià)值。HBM4是加速洞察與創(chuàng)新突破的關(guān)鍵推動(dòng)力，能夠促進(jìn)醫(yī)療保健、金融和交通運(yùn)輸?shù)炔煌I(lǐng)域的進(jìn)步與變革。

美光高級(jí)副總裁暨云端存儲(chǔ)事業(yè)部總經(jīng)理Raj Narasimhan表示：“美光HBM4具備卓越的性能、更高的帶寬和業(yè)界領(lǐng)先的能效，印證了美光在內(nèi)存技術(shù)和產(chǎn)品方面的領(lǐng)導(dǎo)地位?；诖饲癏BM3E部署所取得的矚目成就，我們將繼續(xù)通過HBM4及強(qiáng)大的AI內(nèi)存和存儲(chǔ)解決方案組合引領(lǐng)創(chuàng)新。我們的HBM4生產(chǎn)進(jìn)程與客戶下一代AI平臺(tái)的準(zhǔn)備進(jìn)度緊密配合，以確保無縫集成與適時(shí)擴(kuò)大產(chǎn)量，滿足市場(chǎng)需求?！?/p>

1基于美光內(nèi)部HBM4測(cè)試結(jié)果和已發(fā)布的HBM3E內(nèi)存規(guī)格（2.0 TB/s對(duì)比1.2 TB/s的帶寬）

2根據(jù)美光內(nèi)部模擬預(yù)測(cè)，以美光12層堆疊36GB HBM3E內(nèi)存和類似競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品進(jìn)行的比較

加速智慧革新：

美光在AI革命中的關(guān)鍵作用

近五十年來，美光不斷突破內(nèi)存和存儲(chǔ)創(chuàng)新的邊界。如今，美光持續(xù)通過提供廣泛多元的解決方案，將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)化為智慧，推動(dòng)從數(shù)據(jù)中心到端側(cè)設(shè)備的突破，進(jìn)而加速AI發(fā)展。憑借HBM4，美光再次鞏固了其作為AI創(chuàng)新領(lǐng)域關(guān)鍵推手的地位，并成為客戶應(yīng)對(duì)嚴(yán)苛解決方案的可靠合作伙伴。