近日，LG 電子宣布正式啟動混合鍵合設備的開發(fā)項目，目標在 2028 年實現(xiàn)該設備的大規(guī)模量產，這一舉措標志著 LG 電子在半導體先進封裝領域邁出了重要一步?；旌湘I合技術作為半導體制造中的前沿工藝，正逐漸成為提升芯片性能與集成度的關鍵手段，LG 電子的加入有望為該領域帶來新的活力與變革。

混合鍵合技術通過銅對銅、介質對介質的直接鍵合方式，實現(xiàn)芯片間的電氣與機械連接，相比傳統(tǒng)封裝技術，它能夠顯著減小芯片間的間距，提升信號傳輸速度，并提高芯片的集成度與性能。在當前芯片制造向更高性能、更小尺寸發(fā)展的趨勢下，混合鍵合技術對于滿足人工智能、高性能計算等領域對芯片的嚴苛要求具有重要意義。例如，在高帶寬內存（HBM）的生產中，混合鍵合技術可有效降低 DRAM 層間距，提升信號傳輸速率，更好地適配 AI 計算對高帶寬的需求。

據了解，LG 電子此次投入大量研發(fā)資源，組建了專業(yè)的研發(fā)團隊，專注于混合鍵合設備的技術攻關。研發(fā)團隊將聚焦于提升設備的鍵合精度、效率以及可靠性等關鍵性能指標，以滿足大規(guī)模量產的需求。同時，LG 電子也在積極與上下游企業(yè)展開合作，確保在設備開發(fā)過程中能夠充分整合產業(yè)鏈資源，實現(xiàn)技術的快速突破與產品的優(yōu)化。

目前，全球范圍內已有部分企業(yè)在混合鍵合技術與設備領域取得一定進展。SK 海力士計劃于 2026 年在其 HBM 生產中采用混合鍵合技術，Genesem 已為其提供兩臺下一代混合鍵合設備用于試驗工廠的工藝測試 。三星電子也在積極布局相關技術，據悉其與長江存儲達成了 3D NAND 混合鍵合專利許可協(xié)議，用于下一代高堆疊層數(shù)閃存芯片的研發(fā) 。在這樣的競爭環(huán)境下，LG 電子選擇此時切入市場，既是對自身技術實力的自信，也展現(xiàn)出其對半導體先進封裝領域未來發(fā)展?jié)摿Φ目春谩?/p>

對于 LG 電子而言，混合鍵合設備的開發(fā)與量產將為其業(yè)務版圖帶來新的增長機遇。一方面，設備的成功推出有望為 LG 電子開拓新的客戶群體，在半導體設備市場中占據一席之地；另一方面，這也將助力 LG 電子在自身的芯片制造與封裝業(yè)務中實現(xiàn)技術升級，提升產品競爭力。特別是在 LG 電子大力發(fā)展的 OLED 顯示、車載電子等業(yè)務領域，高性能芯片的需求日益增長，混合鍵合設備的應用將為其產品創(chuàng)新提供有力支撐 。

展望 2028 年，若 LG 電子能夠如期實現(xiàn)混合鍵合設備的大規(guī)模量產，無疑將對全球半導體先進封裝產業(yè)格局產生深遠影響。屆時，隨著更多企業(yè)能夠采用 LG 電子的混合鍵合設備，芯片制造的效率與質量有望得到進一步提升，從而推動整個半導體產業(yè)向更高性能、更小尺寸的方向加速發(fā)展。而 LG 電子也將憑借這一技術突破，在半導體領域樹立新的里程碑，為自身在全球科技競爭中贏得更為有利的地位。

來源：半導體芯科技

審核編輯 黃宇