電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道，全球半導體存儲產(chǎn)品市場規(guī)模受AI在智能設(shè)備中快速滲透帶來的存儲擴容需求激增推動，從2020年的128億塊增長至2024年的138億塊。2022年至2023年期間，由于供需關(guān)系，市場規(guī)模出現(xiàn)短暫下跌。2020年至2024年期間年復合增長率達到1.8%。預計未來五年，隨著AI技術(shù)突破帶來的新的存儲需求與存儲產(chǎn)品本身的技術(shù)產(chǎn)品升級驅(qū)動，全球半導體存儲產(chǎn)品市場規(guī)模（以出貨量計）將增長至2029年的194億塊，2024年至2029年的年復合增長率達7.1%。

全球嵌入式存儲產(chǎn)品市場規(guī)模（以出貨量計）從2020年的77億塊增長至2024年的86億塊，年復合增長率達到2.9%。這一階段的增長主要受到人工智能發(fā)展、智能設(shè)備、工業(yè)自動化以及物聯(lián)網(wǎng)等因素推動，市場規(guī)模持續(xù)擴大。于2024年至2029年，預計市場將增長至123億塊，年復合增長率為7.4%。

嵌入式存儲

嵌入式存儲產(chǎn)品是將半導體存儲芯片與控制器及其他必要組件進行統(tǒng)一封裝，形成一個功能完備、高度優(yōu)化的單一模塊，然后集成到電子設(shè)備主系統(tǒng)中的存儲產(chǎn)品。作為集成在電子設(shè)備主板上的核心存儲介質(zhì)，采用大容量嵌入式的NAND Flash解決方案、DRAM解決方案或NAND及DRAM復合解決方案，專為滿足智能手機、IoT設(shè)備和車載電子等對空間、功耗和性能的嚴苛要求而設(shè)計。嵌入式存儲產(chǎn)品包括 eMMC、UFS、eMCP、LPDDR、DDR、uMCP、ePOP等。

eMMC：embedded Multi Media Card嵌入式多媒體存儲器；當前嵌入式終端設(shè)備的主流閃存解決方案，在尺寸、成本等方面具有優(yōu)勢，廣泛應用于智能手機、平板計算機、車載電子、智能穿戴、機頂盒等領(lǐng)域。

UFS：Universal Flash Storage通用閃存存儲；UFS是eMMC的迭代產(chǎn)品，具有更高的存儲容量和傳輸速率，已成為中高端智能手機的主流選擇，其他應用領(lǐng)域包括車載電子、物聯(lián)網(wǎng)、智能穿戴、機頂盒等領(lǐng)域。

eMCP：embedded Multiple Chip Package嵌入式多芯片封裝；由eMMC和LPDDR封裝在一起，最大限度地減少空間和增強芯片之間的連接性，同時實現(xiàn)大容量固態(tài)存儲和動態(tài)隨機存儲，適用于空間受限的移動設(shè)備。

LPDDR：Low Power Double Data Rate低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率；是一種專為提高能效和性能而設(shè)計的特殊隨機存取存儲器(RAM)，為需要快速數(shù)據(jù)訪問且不消耗過多電量的系統(tǒng)提供了解決方案，以低功耗和小體積著稱，廣泛應用于智能手機、平板計算機、超薄筆記本、智能穿戴等移動設(shè)備領(lǐng)域。其中LPDDR4/4X相比LPDDR3/3X在性能上顯著提升，提供更高的數(shù)據(jù)傳輸速率和更低的功耗，目前正向LPDDR5/5X及更高版本發(fā)展，以滿足對更高帶寬和更低功耗的需求。

DDR：Double Data Rate雙倍數(shù)據(jù)速率同步動態(tài)隨機存取存儲；是一種廣泛使用的內(nèi)存技術(shù)，具有較高的數(shù)據(jù)傳輸速率，適用于計算機、服務(wù)器等設(shè)備。

uMCP：Ultra Multi-Chip Package超多芯片封裝；這是一種將大容量閃存與高速RAM整合于單一芯片的封裝技術(shù)，具備更高的性能密度、更大的儲存容量及更低的功耗，主要應用于智能手機、平板計算機及其他移動設(shè)備。

ePOP：Embedded Package-on-Package嵌入式疊層封裝；這是一種將高性能eMMC與LPDDR整合為單一產(chǎn)品的封裝技術(shù)。其采用疊層封裝(PoP)方式，存儲器垂直堆棧于CPU之上，實現(xiàn)更為緊湊、省空間的設(shè)計。因此，ePOP特別適用于對尺寸限制嚴苛的超薄設(shè)備，如智能手表、智能手環(huán)、VR眼鏡等可穿戴設(shè)備，亦見于部分旗艦智能手機。

根據(jù)弗若斯特沙利文的資料，eMCP、uMCP及ePOP為高度集成的嵌入式存儲產(chǎn)品，專為緊湊型應用場景而設(shè)計。此外，eMCP及uMCP基于多芯片封裝技術(shù)，將 eMMC或UFS與LPDDR集成到單一封裝中，顯著減少PCB占用空間，并為智能手機及 平板計算機等設(shè)備提供更緊湊的存儲解決方案。相比uMCP，eMCP因其成本效益而獲廣泛用于智能手機及平板計算機，而性能更高的uMCP主要用于高端產(chǎn)品線。與eMCP不同，ePOP在 處理器上直接堆棧eMMC及LPDDR，進一步降低空間需求，特別適用于智能手表及智 能眼鏡等可穿戴設(shè)備。

而LPDDR及DDR均屬于DRAM產(chǎn)品，廣泛應用于智能手機、平板計算機、智能電視、可穿戴設(shè)備及車載電子等多類智能終端設(shè)備。LPDDR具備高頻率、大容量及低功耗的特點，主要應用于對能耗敏感的場景，如智能手機、平板計算機、筆記本計算機及可穿戴設(shè)備。DDR因其高帶寬、穩(wěn)定性強及性價比高優(yōu)勢，主要應用于個人計算機、智能電視及智慧家居設(shè)備等場景。未來，隨著人工智能、邊緣 計算的快速普及以及智能應用日益復雜，LPDDR及DDR產(chǎn)品的需求預計將持續(xù)增長，這主要受到多元化應用場景中對計算能力、存儲容量及能效更高要求的驅(qū)動。

存儲原廠與獨立存儲廠商優(yōu)勢互補

全球嵌入式存儲產(chǎn)品市場參與者可被分為存儲產(chǎn)品原廠和獨立存儲器廠商。存儲產(chǎn)品原廠在全球嵌入式存儲產(chǎn)品市場占據(jù)大部分市場份額。主要通過與大型下游客戶建立長期合作關(guān)系，利用規(guī)?；a(chǎn)和標準化產(chǎn)品來滿足大批量需求，從而保持優(yōu)勢。

獨立存儲器廠商憑借快速響應市場需求變化，提供定制化解決方案的能力，逐漸獲得更多客戶青睞。這包括提供更廣泛的容量選擇或特殊封裝形式，以及針對小批量、多品類的訂單提供更快速的響應。獨立存儲器廠商對細分市場的深入理解和快速響應能力，與存儲產(chǎn)品原廠互補，共同推動了整個存儲生態(tài)的健康發(fā)展和技術(shù)創(chuàng)新。

以2024年出貨量計，前五大嵌入式存儲獨立廠商共占據(jù)7.1%的市場份額。以2024年出貨量計，全球前五大LPDDR獨立廠商共占據(jù)6.2%的市場份額。

嵌入式存儲的代際演進與先進封測技術(shù)很關(guān)鍵

存儲產(chǎn)品技術(shù)的演進帶來性能的優(yōu)化。在存儲密度方面，NAND Flash技術(shù)通過增加3D堆棧層數(shù)不斷突破極限，為主流嵌入式和移動設(shè)備提供TB級的高容量存儲，有效降低每比特成本。與此同時，帶寬的提升同樣關(guān)鍵。作為嵌入式市場核心內(nèi)存的LPDDR，其技術(shù)正加速從LPDDR4向LPDDR5乃至更高代際演進，顯著提升數(shù)據(jù)傳輸速率并優(yōu)化能耗，以滿足AI終端設(shè)備對高性能、低功耗內(nèi)存的嚴苛需求。

與此同時，存儲產(chǎn)品的封測技術(shù)也在進步。AI對內(nèi)存和閃存的需求呈現(xiàn)差異化。在端側(cè)推理場景中，設(shè)備更側(cè)重于高能效比、低延遲的存儲，以支持AI模型的實時運行和響應。為了高效整合這些不同需求的存儲芯片，先進的模塊封測技術(shù)至關(guān)重要，它通過將高密度NAND Flash與高性能LPDDR芯片進行合封，實現(xiàn)了小尺寸、高集成度的存儲解決方案。這一趨勢推動新興組合方式的發(fā)展，為智能穿戴、AIoT設(shè)備等小型AI 端側(cè)市場打開新的增長空間，成為存儲市場未來發(fā)展的重要方向。

新興智能設(shè)備的快速迭代和發(fā)展，為存儲產(chǎn)品帶來更多機遇。AI顯著推動新興智能設(shè)備興起。例如，AI眼鏡、具身智能機器人等創(chuàng)新產(chǎn)品層出不窮。這些AI驅(qū)動的設(shè)備對嵌入式存儲提出了更高的要求，因為它們需要在有限的體積和功耗預算下，高效存儲并運行日益復雜的AI模型進行端側(cè)推理，同時處理和傳輸海量高帶寬的多媒體數(shù)據(jù)，并支持更豐富、更實時的用戶交互體驗。為滿足這些嚴苛需求，小尺寸、高度集成、高性能、低功耗的存儲器正逐漸成為這類設(shè)備的核心配置。