合作將支持快速增長的應(yīng)用市場，共同推廣 CGD 的可持續(xù)節(jié)能型 ICeGaN 技術(shù)

英國劍橋，2025 年 10 月 13 日 —— 無晶圓廠半導(dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices（CGD） 13日宣布與領(lǐng)先的半導(dǎo)體代工企業(yè)格芯（GlobalFoundries，簡稱 GF）達成合作伙伴關(guān)系。此次合作強化了 CGD 的無晶圓廠戰(zhàn)略，拓展了其 ICeGaN? 功率器件的供應(yīng)鏈。

CGD 的創(chuàng)新單芯片技術(shù)可與標準硅 MOSFET 驅(qū)動器兼容，并基于標準硅 CMOS 晶圓制造工藝。這意味著制造 GaN 晶圓無需專用工藝——通過利用 GF 的先進 8 英寸制造工藝，CGD 產(chǎn)品的制造成本將保持高度競爭力。

ICeGaN 的知識產(chǎn)權(quán)基于設(shè)計而非工藝，具備“晶圓廠無關(guān)性”（fab agnostic），可輕松遷移至新的代工廠。此外，CGD 的設(shè)計流程建立在多年 GaN 技術(shù)經(jīng)驗之上，采用成熟的方法學(xué)，實現(xiàn)快速工藝移植。GF 通過對專有測試芯片特征數(shù)據(jù)應(yīng)用先進的機器學(xué)習(xí)算法，持續(xù)優(yōu)化模型，從而實現(xiàn)新產(chǎn)品的可靠、可預(yù)測性能，并確保及時交付。

這一能力實現(xiàn)了“設(shè)計一次成功”的目標，使 ICeGaN 功率器件能夠更快推向市場，為 CGD 提供快速創(chuàng)新和靈活應(yīng)對應(yīng)用變化的能力。

CGD 首席運營官 Simon Stacey 表示：

“將 CGD 的設(shè)計流程與 GF 優(yōu)秀的工藝設(shè)計套件（PDK）結(jié)合，是我們加速下一代 GaN 功率器件開發(fā)與量產(chǎn)的關(guān)鍵。我們非常高興能與 GF 合作，他們在代工服務(wù)方面的專業(yè)實力及對 GaN 技術(shù)的投入，與我們的 ICeGaN 器件完美契合?！?br />

GaN 技術(shù)優(yōu)勢與市場前景

氮化鎵（GaN）技術(shù)具有獨特優(yōu)勢：更高效率、更高功率密度、更小體積及更快開關(guān)速度。這些特性使電力電子設(shè)計師能夠開發(fā)出更加可持續(xù)、節(jié)能的系統(tǒng)。結(jié)合無晶圓廠商業(yè)模式具有的靈活性，CGD 得以充分把握快速增長的市場需求。對 GaN 技術(shù)持續(xù)增長的需求見證了這一趨勢。

ICeGaN 的獨特之處在于：它將 GaN 開關(guān)、接口電路及保護電路集成于同一 GaN 芯片，而非像市面其他方案那樣采用多芯片或共封裝設(shè)計。CGD 的集成方案簡化了驅(qū)動設(shè)計，使其可直接使用標準硅驅(qū)動器，并具備極高的可靠性。CGD 目前是全球唯一能夠在標準驅(qū)動器上運行的單芯片 GaN 技術(shù)供應(yīng)商，使新一代電源系統(tǒng)更高效、更具可擴展性。這讓設(shè)計工程師們相信GaN 技術(shù)在效率、尺寸及熱性能方面均顯著優(yōu)于傳統(tǒng)硅器件。

關(guān)于 Cambridge GaN Devices（CGD）

Cambridge GaN Devices（CGD）是一家設(shè)計、開發(fā)并商業(yè)化GaN 晶體管和集成電路的公司，致力于實現(xiàn)能效和緊湊性的新突破。我們的使命是通過提供易于使用的高效 GaN 解決方案，將創(chuàng)新帶入日常生活。
CGD 的 ICeGaN? 技術(shù)已被驗證適用于大規(guī)模量產(chǎn)，公司正通過完善的供應(yīng)鏈與客戶合作伙伴關(guān)系快速擴張。CGD 是一家無晶圓廠企業(yè)，源自劍橋大學(xué)，由首席執(zhí)行官 Giorgia Longobardi 博士 和首席技術(shù)官 Florin Udrea 教授 創(chuàng)立，他們與劍橋大學(xué)著名的高壓微電子與傳感器研究組（HVMS）保持著緊密聯(lián)系。

CGD 的 ICeGaN HEMT 技術(shù)受到強大且不斷擴展的知識產(chǎn)權(quán)組合保護，體現(xiàn)了公司對創(chuàng)新的長期承諾。CGD 團隊的技術(shù)與商業(yè)專長，加之在功率電子市場的豐富經(jīng)驗，是其專有技術(shù)獲得市場認可的關(guān)鍵。