電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李彎彎）在半導(dǎo)體行業(yè)，先進封裝（Advanced Packaging）已然占據(jù)至關(guān)重要的地位。它不再局限于芯片制造的“后道工序”范疇，而是成為提升芯片性能、在后摩爾定律時代突破算力瓶頸的核心驅(qū)動力。當(dāng)傳統(tǒng)通過縮小晶體管尺寸來提升性能的方式，因愈發(fā)困難且成本高昂而面臨瓶頸時，先進封裝憑借創(chuàng)新的連接和集成技術(shù)脫穎而出。它能讓多個芯片（或芯粒）緊密且高效地協(xié)同工作，進而顯著提升整體性能。

先進封裝的迅速崛起，主要有幾個方面的原因。首先，AI與高性能計算（HPC）的爆發(fā)式增長，對芯片的算力、帶寬和功耗提出了極高要求。傳統(tǒng)封裝方式難以滿足這些嚴苛條件，先進封裝技術(shù)成為必然選擇。其次，當(dāng)晶體管微縮逐漸逼近物理極限時，先進封裝成為延續(xù)半導(dǎo)體性能提升的關(guān)鍵路徑，為行業(yè)突破發(fā)展瓶頸提供了新方向。再者，Chiplet（芯粒）架構(gòu)的興起也起到了重要推動作用。將大芯片拆分為多個小芯片（芯粒），再利用先進封裝技術(shù)將它們集成在一起，既能顯著降低成本，又能提高良率。

臺積電：多技術(shù)路線并行發(fā)展

目前，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體廠商都在大力布局先進封裝，形成了不同的技術(shù)路線。作為行業(yè)龍頭企業(yè)，臺積電構(gòu)建了覆蓋廣泛需求的技術(shù)矩陣。

InFO（集成扇出）技術(shù)，應(yīng)用范圍廣泛且成本較低，主要應(yīng)用于智能手機處理器等領(lǐng)域。CoWoS（晶圓級芯片封裝）技術(shù)，是目前高端AI芯片（如英偉達GPU）的主流選擇。它通過硅中介層實現(xiàn)高密度集成，為高端芯片提供了強大的性能支持。SoIC（系統(tǒng)級集成芯片）技術(shù)，是一種先進的3D堆疊技術(shù)，能夠?qū)⑿酒怪倍询B，實現(xiàn)極致的性能和能效表現(xiàn)。

為應(yīng)對AI需求，臺積電正積極擴充產(chǎn)能，并計劃在2026年投資建設(shè)多座先進封裝設(shè)施。其CoPoS計劃于2028年底實現(xiàn)量產(chǎn)，還計劃在嘉義AP7工廠新建WMCM生產(chǎn)線。WMCM（晶圓級多芯片模塊）封裝技術(shù)采用邏輯SoC與DRAM平面封裝架構(gòu)，以重布線層（RDL）替代傳統(tǒng)Interposer中介層，堪稱CoWoS基礎(chǔ)上的終極演化。該技術(shù)可將內(nèi)存與CPU、GPU、NPU集成于同一晶圓，極大縮短了信號傳輸路徑，顯著提升互連密度與散熱性能。這一技術(shù)將獨家適配蘋果iPhone 18搭載的A20系列芯片，配合2nm制程，實現(xiàn)性能的飛躍式提升。

與當(dāng)前蘋果A系列芯片采用的InFo-PoP技術(shù)相比，WMCM封裝技術(shù)優(yōu)勢明顯。它能在不顯著增加芯片面積的前提下，大幅提升互連帶寬并降低功耗，同時大幅降低制造成本。通過縮短芯片間信號傳輸路徑，提升信號完整性與散熱性能，能夠更好地適配臺積電第二代2nm工藝的A20 SoC，為移動終端AI算力與高端游戲性能的釋放提供有力支撐。

英特爾：IDM 2.0戰(zhàn)略下的技術(shù)布局

英特爾的策略核心在于其IDM 2.0戰(zhàn)略，通過多種技術(shù)組合構(gòu)建生態(tài)系統(tǒng)。EMIB（嵌入式多芯片互連橋接）是一種2.5D技術(shù)，憑借面積和成本優(yōu)勢，成為許多ASIC芯片的主流方案。Foveros是英特爾的3D堆疊技術(shù)，可實現(xiàn)芯片的垂直集成，為芯片設(shè)計提供了更多可能性。此外，英特爾正大力研發(fā)玻璃基板技術(shù)，計劃在未來幾年內(nèi)實現(xiàn)量產(chǎn)，以替代傳統(tǒng)的有機基板，進一步提升芯片性能。

在2026年NEPCON日本電子展上，Intel展示了結(jié)合EMIB與玻璃基板的最新封裝樣品。這款樣品亮點十足，具備78mm×77mm的超大尺寸（達到標(biāo)準(zhǔn)光罩尺寸的2倍）、10-2-10堆疊架構(gòu)（10層RDL + 2層厚核心玻璃基板 + 10層堆疊層），以及45μm超微細凸點間距，遠超傳統(tǒng)基板性能上限。EMIB在玻璃基板之上，利用玻璃基板的物理特性實現(xiàn)更大的尺寸和更高的密度。相較傳統(tǒng)有機基板，玻璃基板具有更佳的平整度、低介電損耗和尺寸穩(wěn)定性，其熱膨脹系數(shù)與硅片接近，可有效解決高溫下基板翹曲導(dǎo)致的芯片接合不良問題。同時，它支持超精細布線與高密度I/O配置，EMIB橋接技術(shù)則突破了多芯?；ヂ?lián)帶寬瓶頸，完美匹配AI加速器、多chiplet GPU等大算力芯片的集成和高速信號傳輸需求。

此外，有消息稱英偉達將在其預(yù)計2028年登場的Feynman（費曼）GPU上導(dǎo)入英特爾代工的先進制程與先進封裝技術(shù)。具體而言，F(xiàn)eynman的GPU Die部分仍由臺積電代工，I/O Die則會部分采用英特爾代工的Intel 18A或Intel 14A先進制程；在后端先進封裝部分，英特爾代工將以EMIB最多承擔(dān)1/4，剩余3/4由臺積電負責(zé)。

三星：依托存儲優(yōu)勢的差異化競爭

三星依托自身在存儲領(lǐng)域的優(yōu)勢，推出了一系列差異化競爭方案。H-Cube/X-Cube分別代表其2.5D和3D封裝方案。SAINT技術(shù)體系專注于存儲芯片與邏輯芯片的協(xié)同封裝，成為其一大特色。SoP（面板級系統(tǒng)）是三星正在全力推進的一項新技術(shù)，采用超大尺寸的面板作為封裝載體，旨在通過尺寸和成本優(yōu)勢打破現(xiàn)有市場格局。

三星在Exynos 2600處理器中導(dǎo)入了Heat Pass Block（HPB）技術(shù)。該技術(shù)核心是在SoC裸晶上方集成銅基導(dǎo)熱塊，與LPDDR DRAM內(nèi)存一起策略性地放置在處理器芯片上方，優(yōu)化熱量傳導(dǎo)路徑。同時搭配高k環(huán)氧模塑復(fù)合材料（EMC），引導(dǎo)熱量快速向?qū)釅K傳導(dǎo)，形成封裝層級的專屬散熱通道，大幅提升處理器散熱效率。

HPB技術(shù)通過縮減DRAM尺寸、加裝HPB導(dǎo)熱塊、應(yīng)用新型EMC材料等關(guān)鍵措施，取得了顯著效果，實現(xiàn)了熱阻降低16%、芯片運行溫度降低30%。這有效減少了高負載場景下的性能降頻現(xiàn)象，為移動芯片超頻潛力釋放提供了可能，解決了旗艦手機高發(fā)熱的行業(yè)痛點。

關(guān)鍵技術(shù)趨勢和產(chǎn)業(yè)格局展望

除上述廠商特定的技術(shù)外，整個行業(yè)正朝著幾個關(guān)鍵方向演進。混合鍵合（Hybrid Bonding）技術(shù)實現(xiàn)了芯片間銅對銅的直接原子級連接，可將互連間距縮小至微米甚至納米級別，是未來提升互連密度和性能的顛覆性技術(shù)。材料革新方面，用玻璃基板替代傳統(tǒng)的有機基板是重要發(fā)展方向。多家廠商（如英特爾、三星、Rapidus）都在積極研發(fā)，目標(biāo)是在2025 - 2030年間實現(xiàn)量產(chǎn)。日本企業(yè)Rapidus于2025年SEMICON Japan展會上首次展示采用600 x 600毫米玻璃基板的面板級封裝原型，計劃2028年前完成技術(shù)優(yōu)化并投入大規(guī)模生產(chǎn)。共封裝光學(xué)（CPO）將光學(xué)引擎與運算芯片共同封裝，是解決AI數(shù)據(jù)中心高帶寬、低功耗通信需求的重要未來方向。

當(dāng)前的全球先進封裝市場呈現(xiàn)出“臺積電主導(dǎo)，專業(yè)封測廠（OSAT）跟進”的格局。對于中國而言，這是一個重要的發(fā)展機遇期。從市場規(guī)模來看，預(yù)計到2029年，中國大陸先進封裝市場規(guī)模將達到1006億元，年復(fù)合增長率高達14.4%。國產(chǎn)廠商中，以長電科技、通富微電為代表的中國封測企業(yè)正在加速技術(shù)突破。長電科技推出了XDFOI?芯粒集成工藝，已具備4nm節(jié)點Chiplet產(chǎn)品的封裝能力。通富微電在大尺寸FCBGA及2.5D/3D封裝方面持續(xù)擴產(chǎn)，競爭力不斷提升。

結(jié)語

先進封裝已然成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)競爭的新高地。它不僅決定了AI芯片的性能上限，也為產(chǎn)業(yè)鏈的參與者提供了新的增長空間和差異化競爭的機會。隨著技術(shù)的不斷演進和市場的持續(xù)擴大，先進封裝必將在未來半導(dǎo)體行業(yè)中發(fā)揮更加重要的作用，推動整個行業(yè)邁向新的發(fā)展階段。