這張圖是CoWoS（Chip-on-Wafer-on-Substrate）先進封裝工藝的材料全景圖，清晰展示了從底層基板到頂層芯片的全鏈條材料體系，以及各環(huán)節(jié)的全球核心供應(yīng)商。下面我們分層拆解：

一、中間結(jié)構(gòu)：CoWoS 的分層邏輯

從下到上，CoWoS 的核心結(jié)構(gòu)分為三大層：

1. 底層：基板承載層（Substrate Layer）

這是整個封裝的 “地基”，負責機械支撐和電氣連接：

Substrate Core（基板核心）：核心是低介電常數(shù)玻璃纖維（Glass Fiber, Low Dk），提供絕緣與支撐，供應(yīng)商包括 RESONAC、DOOSAN、Panasonic 等。

Build-up film（積層膜）：即 IC 載板的關(guān)鍵絕緣層（如 ABF 膜），用于構(gòu)建高密度布線，核心供應(yīng)商是日本味之素（AJINOMOTO，ABF 膜壟斷者），還有 SEKISUI、Nittobo、萬華化學等。

Solder Ball（焊球）：實現(xiàn)基板與 PCB 的電氣連接，供應(yīng)商包括中芯國際（SMIC）、Accurus、MacDermid Alpha 等。

Solder Mask（阻焊層）：保護基板線路，防止短路和氧化，供應(yīng)商有 RESONAC、TAMURA、TAIYO HOLDINGS 等。

2. 中層：芯片互聯(lián)層（Chip Interconnection Layer）

這是實現(xiàn)芯片與基板高密度互聯(lián)的核心：

C4 Bump（C4 凸點）：即控制塌陷芯片凸點，是 SoC/HBM 與基板的核心電氣連接結(jié)構(gòu)，供應(yīng)商包括中芯國際（SMIC）、NIPPON STEEL 等。

RDL Material (PSPI)（重布線層材料，光敏聚酰亞胺）：用于構(gòu)建芯片間的重布線層，實現(xiàn)超高帶寬信號傳輸，供應(yīng)商包括 tok、TORAY、JSR、Dupont，以及國內(nèi)的強力新材（TRONLY）。

Underfill（底填材料）：填充凸點與基板的間隙，緩沖熱應(yīng)力、保護焊點，供應(yīng)商有 NAMICS、NAGASE、Henkel、MacDermid Alpha 等。

3. 頂層：芯片與熱管理層（Chip & Thermal Management Layer）

這一層保障高算力芯片的穩(wěn)定運行：

核心芯片：包括 SoC（計算芯片）和 HBM（高帶寬內(nèi)存），通過硅中介層（Silicon Wafer）實現(xiàn) 3D 堆疊，硅片供應(yīng)商有信越（ShinEtsu）、SUMCO、SK Siltron 等。

TIM（熱界面材料）：填充在芯片與散熱結(jié)構(gòu)之間，降低熱阻、提升散熱效率，供應(yīng)商包括陶氏（Dow）、杜邦（DuPont）、3M、Henkel、Indium 等國際巨頭。

NCF（非導電膜）：用于芯片鍵合的絕緣與粘接，供應(yīng)商有 Henkel、TORAY、RESONAC 等。

LMC（低模量化合物）：用于封裝保護和應(yīng)力緩沖，供應(yīng)商包括 Panasonic、NAMICS、NAGASE、RESONAC、Henkel 等。

二、行業(yè)解讀：供應(yīng)鏈格局與國產(chǎn)機遇

從這張圖可以清晰看到：

高端材料仍被國際巨頭主導：ABF 積層膜、高端 TIM、PSPI 等核心材料，話語權(quán)仍在日本、美國企業(yè)手中。

國產(chǎn)廠商已在部分環(huán)節(jié)實現(xiàn)突破：在焊球、阻焊層、部分 RDL 材料（如強力新材）等領(lǐng)域，國內(nèi)企業(yè)已進入供應(yīng)鏈。

供應(yīng)鏈高度全球化：CoWoS 作為臺積電主導的先進封裝工藝，其材料體系依賴全球協(xié)作，同時也凸顯了自主可控的戰(zhàn)略緊迫性。

這張圖不僅是材料清單，更是先進封裝領(lǐng)域 “卡脖子” 環(huán)節(jié)和國產(chǎn)替代機會的直觀映射。

三、CoWoS 關(guān)鍵材料國產(chǎn)替代進展清單

1、底層基板與承載材料

2、芯片互聯(lián)與重布線材料

3、熱管理與封裝保護材料

4、硅片與輔助材料

總結(jié)：國產(chǎn)替代的關(guān)鍵突破點

1. 已規(guī)?；娲鹤韬笇?、焊球、中低端 TIM、普通積層膜等材料，國產(chǎn)廠商已占據(jù)主導地位。
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3. 技術(shù)追趕中：ABF 膜、高端 PSPI、高流動性底填等高端材料，國內(nèi)企業(yè)完成實驗室突破，正推進量產(chǎn)驗證。
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5. 核心瓶頸：高端 TIM、NCF、LMC 等材料，仍面臨分子設(shè)計、工藝穩(wěn)定性等技術(shù)壁壘，是未來攻關(guān)重點。