電子發(fā)燒友網報道（文/莫婷婷）SEMI的報告指出，2025年全球半導體設備銷售額達到1351億美元，同比增長15%，創(chuàng)下歷史新高，主要受AI、先進邏輯及存儲產能擴張驅動。分區(qū)域來看，中國大陸、中國臺灣和韓國合計占全球支出的79%。其中，中國大陸2025年設備支出達到493億美元。

在行業(yè)高景氣度與國產化加速的雙重利好下，國內半導體設備公司2025年業(yè)績表現尤為突出。目前，中微公司、盛美上海、京儀裝備已經發(fā)布2025年年度報告，電子發(fā)燒友網將根據報告分析上述三家公司在2025年的業(yè)績以及技術進展。

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中微公司凈賺超21億，未來五年覆蓋60%前道設備
2025年中微公司經營業(yè)績再創(chuàng)歷史新高，實現了高速穩(wěn)健的增長，全年實現營業(yè)收入123.85億元，同比增長36.62%；凈利潤達到21.11億元，同比增長30.69%。其中刻蝕設備銷售約98.32億元，同比增長約35.12%，繼續(xù)保持高速增長。LPCVD設備銷售約5.06億元，同比增長約224.23%。

2025年，全球半導體行業(yè)尤其是存儲市場處于上行周期。中微公司在投資者關系活動中指出，AI的爆發(fā)極大地提升了對存儲器件的需求，國內外存儲客戶的擴產需求旺盛。隨著存儲器件從二維向三維結構轉變，對等離子體刻蝕和薄膜沉積設備的需求量大幅增加，這直接帶動了中微公司核心產品的銷售增長?！肮踞槍ο冗M邏輯和存儲器件制造中關鍵刻蝕工藝的高端產品新增付運量顯著提升，在先進邏輯器件和先進存儲器件中多種關鍵刻蝕工藝實現大規(guī)模量產?！?br />
目前，中微公司在高深寬比刻蝕、高深寬比填充等核心工藝均已經實現機臺穩(wěn)定運行，并大批量出貨。中微公司認為，存儲器件3D化的趨勢非常明確，公司已經在硅鍺EPI、PECVD等產品儲備充分，將加快更多的高端刻蝕、薄膜等新品在存儲客戶的導入，未來將受益于存儲行業(yè)大發(fā)展。

在技術研發(fā)和產品迭代上也取得了多項突破性進展，公司刻蝕設備在2025年繼續(xù)保持強勁的增長勢頭，累計裝機量超過6000個反應腔。公司在CCP（電容性耦合等離子體）和ICP（電感性耦合等離子體）兩大類刻蝕設備上均實現了重要技術升級。CCP方面，公司的60比1超高深寬比介質刻蝕設備已經成為國內標配設備，累計裝機數量超過300個反應腔，Uptime超過90%。ICP方面，適用于下一代邏輯和存儲客戶用ICP刻蝕設備和化學氣相刻蝕設備開發(fā)取得了良好進展，加工的精度和重復性已達到單原子水平。

新產品方面，預計下一代超高深寬比介質刻蝕設備很快會進入市場，目前已進入客戶端驗證。此外，公司還推出了可調節(jié)電極間距的單反應臺刻蝕產品，以滿足7納米及以下邏輯器件對更高選擇比和均勻度的嚴苛需求，今年第一季度進行工藝驗證和馬拉松測試。

2025年是中微公司薄膜沉積設備的“豐收年”，產品組合不斷豐富。鎢系列，公司開發(fā)的CVD（化學氣相沉積）鎢設備，HAR（高深寬比）鎢設備和ALD（原子層沉積）鎢設備，滿足先進存儲應用中所有金屬互連應用及三維存儲器件字線應用各項性能指標，已獲得先進邏輯和存儲客戶的重復量產訂單。柵系列：針對先進邏輯器件的金屬柵系列產品（ALD氮化鈦、ALD鈦鋁等），已通過多個先進邏輯客戶和存儲客戶的驗證。

MOCVD設備方面，中微公司保持全球市場領先地位。用于Micro-LED生產的Preciomo Udx設備在領先客戶生產線驗證通過并獲得重復訂單。同時，公司也啟動了應用于碳化硅功率器件外延生產設備的開發(fā)，該新型8寸碳化硅外延設備已進入國內頭部企業(yè)的試產驗證階段。

先進封裝領域方面，目前已覆蓋的 CCP和TSV設備等核心刻蝕設備已經批量交付，并已布局PVD、CVD、 ECP、鍵合和量檢測等設備。中微公司計劃在先進封裝領域的設備覆蓋度將做到70%以上。公司開發(fā)的CuBSPVD 集成設備正與多家領先客戶開展商務洽談。

在研發(fā)投入方面，公司全年研發(fā)投入高達37.44億元，同比增長52.65%，研發(fā)投入占營業(yè)收入比例約為30.23%。正是這種高強度的研發(fā)投入，確保了公司產品能夠緊跟甚至引領最先進的工藝節(jié)點。

中微公司正加速向“平臺化”和“集團化”邁進。公司擬通過收購杭州眾硅，實現從“干法”向“干法+濕法+量檢測”的整體解決方案跨越，杭州眾硅在多家先進存儲和多家邏輯客戶的12寸 CMP設備已有批量訂單。

中微公司已經成為國內同時具備“刻蝕+薄膜沉積+量檢測+濕法”四大 前道核心加工工藝能力的廠商。中微公司透露，公司未來五年的戰(zhàn)略是通過外延收購和內生研發(fā)覆蓋超過60%的半導體前道設備品類，包括刻蝕、薄膜、濕 法及量檢測設備等。“我們對行業(yè)內的外延收并購機會保持積極且開放的態(tài)度?！敝形⒐颈硎?。


盛美上海：先進封裝與面板級市場帶來第二增長曲線
2025年，盛美上海實現了經營業(yè)績的持續(xù)攀升，全年實現營業(yè)收入67.86億元，同比增長20.80%；凈利潤為13.96億元，同比增長21.05%；毛利率為47.48%。

具體來看，受益于半導體行業(yè)景氣以及公司產品結構多元化的發(fā)展策略，盛美上海半導體清洗設備收入為45.06億元，同比增長約11.06%；公司2025年其他半導體設備（電鍍、立式爐管、無應力拋銅等設備）收入為16.61億元，同比增長約46.05%，是增長最為迅猛的業(yè)務，也是毛利率最高的業(yè)務，達到60.04%；先進封裝濕法設備收入為3.37億元，同比增長約37.04%。
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隨著AI芯片對算力和集成度要求的提升，先進封裝成為兵家必爭之地。盛美上海在2025年交出了亮眼的成績單：

面板級封裝（PLP）方面，公司重點推出的面板級先進封裝的新設備包括 Ultra ECP ap-p 面板級電鍍設備、Ultra C vac-p 面板級 負壓清洗設備和 Ultra C bev-p 面板級邊緣刻蝕設備三款新產品。

其中，Ultra ECP ap-p面板級電鍍設備創(chuàng)新性地采用了水平（平面）電鍍方式，讓方形電場與面板實現同步旋轉，能夠更好地控制電鍍均勻性；Ultra C vac-p面板級負壓清洗設備已經在客戶端實現量產；Ultra C bev-p面板級邊緣刻蝕設備采用專為邊緣刻蝕和銅殘留清除而設計的濕法刻蝕工藝，在扇出型面板級封裝技術中起到至關重要的作用。

在面板級設備方面，市場上的面板級封裝設備主要有600*600mm、510*515mm、310*310mm 這三個尺寸，偏向面積大的AI芯片。盛美上海表示，公司的面板級電鍍及負壓清洗設備已進入中國的頭部企業(yè)并實現產品驗證和生產應用，同時，公司正積極推進上述三類產品在中國臺灣市場的應用及拓展。

此外，公司的晶圓級封裝無應力拋光（SFP）技術和電鍍設備在扇出型封裝（Fan-Out）和2.5D/3D封裝中得到廣泛應用，有效解決了銅互連的平坦化問題。

2025年，公司立式爐管、Track以及PECVD設備等平臺化產品已陸續(xù)投放市場。 Track設備方面，2025年第三季度推出首款自主研發(fā)的高產出（300WPH）KrF工藝前道涂膠顯影（Track）設備Ultra LITH KrF，并已順利交付中國頭部邏輯晶圓廠客戶。

在等離子體增強化學氣相沉積PECVD設備方面，新推出的Ultra Pmax PECVD 設備，配置了自主知識產權的腔體、 氣體分配裝置和卡盤設計，能夠提供更好的薄膜均勻性、更小的 薄膜應力和更少的顆粒特性。2025年Ultra PmaxTM PECVD 設備在多工藝成膜上實現突破，在公司臨港測試研發(fā)線上成功完成demo測試。

該設備的推出，標志著盛美上海在前道 半導體應用中進一步擴展到全新的干法工藝領域。

未來，受益于Chiplet（芯粒）和先進封裝需求的增長，以及對PECVD設備的差異化技術構 架帶來的優(yōu)勢，盛美上海的業(yè)績將保持穩(wěn)定的增長。

中國大陸晶圓廠的持續(xù)擴產是其業(yè)績增長的原因之一。2025年，受AI算力需求爆發(fā)的帶動，本土晶圓廠（如中芯國際、長江存儲等）的資本開支增長。報告顯示，公司在中國大陸區(qū)域主營業(yè)務收入達64.74億元，同比增長19.68%，本土市場滲透率逐漸提升。

盛美上海預計2026年全年的營業(yè)收入將在82.00億元至88.00億元之間。

京儀裝備營收破14億，進軍真空設備新藍海
2025年，北京京儀裝備實現了營收的跨越式增長，全年營收達14.26億元，較上年同期大幅增長38.95%。主要系公司積極把握半導體產業(yè)市場需求持續(xù)增長所帶來的市場機遇，積極開拓新市場。
但是京儀裝備也面臨著利潤端的短期承壓，凈利潤為1.48億元，同比微降3.26%。主要是由于公司高強度投入，財報顯示，2025年公司研發(fā)投入高達1.40億元，同比增長48.65%，研發(fā)投入占營收比例提升至9.81%。公司為了搶占技術制高點，公司加速下一代超低溫溫控、真空設備等前沿技術的研發(fā)。

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分業(yè)務來看，京儀裝備的主打產品半導體專用溫控設備（Chiller）銷售勢頭迅猛，營收達到9.37億元，同比增長49.03%，成為拉動公司業(yè)績增長的核心引擎。

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京儀裝備的產品主要應用于成熟或先進制程集成電路制造的集成電路制造產線。在邏輯芯片領域， 28nm以下為業(yè)內先進制程，公司產品已經適配國內最先進的邏輯芯片制造產線；在3DNAND存 儲芯片領域，128層以上（含128層）為業(yè)內先進制程，公司產品已經適配國內最先進的存儲芯片制造產線。
例如溫控設備的溫控范圍覆蓋-120°C至120°C，空載溫控精度達到±0.05°C，帶載精度±0.5°C。這一精度指標已能滿足14nm邏輯芯片及192層3D NAND存儲芯片制造中對溫度精準控制的嚴苛要求。

此外，公司的半導體專用工藝廢氣處理設備已經批量應用于90nm-28nm邏輯芯 片、64層-192層 3DNAND存儲芯片等 各種工藝需求，適配泛林半導體、東京電子、應用材料、中微公司、北方華創(chuàng)等設備公司的主工藝設備。

值得一提的是，京儀裝備還在推進定制化產品，例如為適應不同晶圓制造客戶的需求，公司的半導體專用工藝廢氣處理設備在處理容量、進氣口數量以及燃料類型等方面又進行了多機型擴展，滿足了客戶的不同需求。

公司在年報中明確指出，其整體技術水平已處于國內領先、國際先進水平。

除了溫控設備和廢氣處理設備，公司還投入了晶圓傳片設備的研發(fā)，京儀裝備自主研發(fā)并掌握了晶圓自動尋心裝置技術、晶圓傳控技術、晶圓翻片技術和微晶背接觸傳控技術等核心技術。目前營收占比尚小，約為3564萬元，但同比增長45.34%，但長期來看，該領域有著極高的成長性。

財報顯示的在研項目中看到，京儀裝備試圖切入真空零部件及設備領域。公司的目標：目標抽速為 600立方米每小時、 1200立方米每小時、 1800立方米每小時，面向的半導體應用工藝為刻蝕工藝、薄膜工藝和擴散工藝。未來新產品的推出，將給京儀裝備帶來全新的增長點。

小結：
2025年，在AI算力爆發(fā)與全球半導體設備市場創(chuàng)下1351億美元新高的背景下，國內設備廠商也迎來了業(yè)績“高光時刻”。以中微公司、盛美上海和京儀裝備為代表的龍頭企業(yè)，普遍實現了營收的顯著增長。與此同時，從各家2025年的布局可以看到，不少企業(yè)進行“平臺化”的戰(zhàn)略路徑，通過豐富技術版圖，覆蓋更多核心工藝環(huán)節(jié)的競爭策略，也意味著著中國半導體設備產業(yè)正從“單點突圍”邁向“全面開花”的新階段。