解析onsemi AFGHL50T65SQ:高性能場截止溝槽IGBT的卓越表現(xiàn)
在電子工程領域,IGBT(絕緣柵雙極晶體管)一直是功率電子應用中的關鍵器件。今天,我們來深入了解一下安森美半導體(onsemi)推出的AFGHL50T65SQ場截止溝槽IGBT,看看它在汽車應用等領域的獨特魅力。
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產品概述
AFGHL50T65SQ采用了新穎的第四代場截止高速IGBT技術,并且通過了AEC - Q101認證。這意味著它能夠為汽車應用中的硬開關和軟開關拓撲提供最佳性能,是一款獨立的IGBT。
產品特性
高可靠性與穩(wěn)定性
- AEC - Q101認證:該認證確保了產品在汽車應用中的高可靠性,能夠適應復雜的汽車工作環(huán)境。
- 高結溫能力:最大結溫 (T_J = 175^{circ}C),這使得它在高溫環(huán)境下也能穩(wěn)定工作,大大提高了產品的可靠性和使用壽命。
- 正溫度系數(shù):具有正溫度系數(shù),便于進行并聯(lián)操作,在多個IGBT并聯(lián)使用時能更好地均衡電流,提高系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
出色的電氣性能
- 高電流能力:具備高電流能力,在不同溫度下都能提供穩(wěn)定的電流輸出。在 (T_C = 25^{circ}C) 時,集電極電流 (I_C) 可達80A;在 (T_C = 100^{circ}C) 時,(I_C) 為50A。
- 低飽和電壓:典型的飽和電壓 (V_{CE(Sat)} = 1.6V)(在 (I_C = 50A) 時),低飽和電壓意味著在導通狀態(tài)下的功率損耗較小,能夠提高系統(tǒng)的效率。
- 快速開關特性:能夠實現(xiàn)快速的開關動作,減少開關損耗,提高系統(tǒng)的響應速度。
其他特性
- 參數(shù)分布緊密:保證了產品的一致性和穩(wěn)定性,降低了系統(tǒng)設計的難度。
- RoHS合規(guī):符合環(huán)保標準,滿足現(xiàn)代電子產品對環(huán)保的要求。
典型應用
AFGHL50T65SQ在汽車領域有著廣泛的應用,主要包括:
- 汽車HEV - EV車載充電器:能夠高效地將交流電轉換為直流電,為電動汽車的電池充電。
- 汽車HEV - EV DC - DC轉換器:實現(xiàn)不同電壓等級之間的轉換,為汽車的電氣系統(tǒng)提供穩(wěn)定的電源。
- 圖騰柱無橋PFC:提高功率因數(shù),減少諧波污染,提高電源的效率和質量。
- PTC(正溫度系數(shù))應用:在一些需要溫度控制的場合發(fā)揮作用。
電氣參數(shù)
最大額定值
| 額定參數(shù) | 符號 | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|
| 集電極 - 發(fā)射極電壓 | (V_{CES}) | 650 | V |
| 柵極 - 發(fā)射極電壓(瞬態(tài)) | (V_{GES}) | ±20(正常),±30(瞬態(tài)) | V |
| 集電極電流((T_C = 25^{circ}C)) | (I_C) | 80 | A |
| 集電極電流((T_C = 100^{circ}C)) | (I_C) | 50 | A |
| 脈沖集電極電流 | (I_{LM}) | 200 | A |
| 脈沖集電極電流(重復額定) | (I_{CM}) | 200 | A |
| 最大功耗((T_C = 25^{circ}C)) | (P_D) | 268 | W |
| 最大功耗((T_C = 100^{circ}C)) | (P_D) | 134 | W |
| 工作結溫/存儲溫度范圍 | (TJ, T{STG}) | -55 至 +175 | (^{circ}C) |
| 焊接用最大引腳溫度(距外殼1/8英寸,5秒) | (T_L) | 300 | (^{circ}C) |
電氣特性
導通特性
- 柵極 - 發(fā)射極閾值電壓 (V_{GE(th)}):在 (V{GE} = V{CE}),(I_C = 50mA) 時,典型值為3.4V,最大值為6.4V。
- 集電極 - 發(fā)射極飽和電壓 (V_{CE(sat)}):在 (V_{GE} = 15V),(I_C = 50A) 時,典型值為1.6V,最大值為2.1V;在 (T_J = 175^{circ}C) 時,典型值為1.95V。
動態(tài)特性
- 輸入電容 (C_{ies}):在 (V_{CE} = 30V) 時,典型值為3209pF。
- 輸出電容 (C_{oes}):在 (V_{GE} = 0V),(f = 1MHz) 時,典型值為42pF。
- 反向傳輸電容 (C_{res}):典型值為12pF。
- 柵極總電荷 (Q_g):在 (V_{CE} = 400V),(IC = 50A),(V{GE} = 15V) 時,典型值為99nC。
開關特性(感性負載)
不同的測試條件下,開關特性有所不同。例如,在 (TC = 25^{circ}C),(V{CC} = 400V),(I_C = 25A),(RG = 4.7Omega),(V{GE} = 15V) 的感性負載條件下,開通延遲時間 (t{d(on)}) 為19ns,關斷延遲時間 (t{d(off)}) 為87ns等。
熱特性
文檔中給出了部分熱特性參數(shù),但部分數(shù)據(jù)可能需要進一步補充和明確。熱特性對于IGBT的性能和可靠性至關重要,在實際應用中需要根據(jù)具體情況進行散熱設計。
封裝與訂購信息
AFGHL50T65SQ采用TO - 247 - 3L封裝,每導軌30個單位。這種封裝形式便于安裝和散熱,適用于多種應用場景。
總結
AFGHL50T65SQ作為一款高性能的場截止溝槽IGBT,憑借其出色的特性和廣泛的應用場景,在汽車電子等領域具有很大的優(yōu)勢。電子工程師在設計相關系統(tǒng)時,可以充分考慮其高可靠性、低損耗、快速開關等特點,以提高系統(tǒng)的性能和穩(wěn)定性。同時,在實際應用中,還需要根據(jù)具體的設計要求和工作條件,對其電氣參數(shù)和熱特性進行進一步的優(yōu)化和驗證。大家在使用這款IGBT時,有沒有遇到過什么特殊的問題或者有什么獨特的應用經驗呢?歡迎在評論區(qū)分享。
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