Onsemi NXV10V160ST1汽車功率MOSFET模塊:設(shè)計(jì)與應(yīng)用解析
在汽車電子領(lǐng)域,功率MOSFET模塊的性能對(duì)系統(tǒng)的效率、可靠性和整體性能起著關(guān)鍵作用。Onsemi的NXV10V160ST1汽車功率MOSFET模塊憑借其卓越的特性和廣泛的應(yīng)用場景,成為眾多工程師的首選。本文將深入解析該模塊的特點(diǎn)、應(yīng)用、電氣特性等方面,為電子工程師在設(shè)計(jì)中提供有價(jià)值的參考。
文件下載:NXV10V160ST1-D.PDF
產(chǎn)品特點(diǎn)
三相設(shè)計(jì)與低熱阻
NXV10V160ST1采用三相MOSFET模塊設(shè)計(jì),其電氣隔離的DBC基板有效降低了熱阻,同時(shí)具備溫度傳感功能。這種設(shè)計(jì)不僅有助于提高模塊的散熱效率,還能實(shí)時(shí)監(jiān)測溫度,確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性。
緊湊設(shè)計(jì)與可追溯性
模塊的緊湊設(shè)計(jì)降低了總模塊電阻,提高了系統(tǒng)的效率。此外,模塊序列化功能實(shí)現(xiàn)了全程可追溯性,方便在生產(chǎn)和售后過程中進(jìn)行質(zhì)量管控和問題排查。
合規(guī)性
該模塊符合AQG324標(biāo)準(zhǔn),具備PPAP能力,同時(shí)滿足Pb - free、RoHS和UL94V - 0等環(huán)保和安全標(biāo)準(zhǔn),為汽車應(yīng)用提供了可靠的保障。
典型應(yīng)用
NXV10V160ST1主要應(yīng)用于48V E - 壓縮機(jī)和其他48V輔助設(shè)備。其優(yōu)勢在于能夠設(shè)計(jì)出小型、高效且可靠的系統(tǒng),有助于降低車輛的燃油消耗和CO?排放,同時(shí)簡化車輛組裝過程。
訂購信息
| 設(shè)備 | 封裝 | 包裝方式 | 運(yùn)輸 |
|---|---|---|---|
| NXV10V160ST1 | APM21 - CGA | 管裝 | 44個(gè)/盒 |
引腳配置與描述
| 該模塊的引腳配置明確,每個(gè)引腳都有特定的功能。例如,NTC + 和NTC - 用于連接NTC熱敏電阻,G1 - G6為MOSFET的柵極引腳,U、V、W分別對(duì)應(yīng)三相輸出等。詳細(xì)的引腳描述如下表所示: | 引腳編號(hào) | 引腳名稱 | 描述 |
|---|---|---|---|
| 1 | NTC + | NTC熱敏電阻端子1 | |
| 2 | NTC - | NTC熱敏電阻端子2 | |
| 3 | Sense Q6 | Q6的源極 | |
| 4 | G3 | 高端W相MOSFET Q3的柵極 | |
| 5 | Sense Q3 | Q3的源極 | |
| 6 | G6 | 低端W相MOSFET Q6的柵極 | |
| 7 | Sense Q5 | Q5的源極 | |
| 8 | G2 | 高端V相MOSFET Q2的柵極 | |
| 9 | Sense Q2 | Q2的源極 | |
| 10 | G5 | 低端V相MOSFET Q5的柵極 | |
| 11 | G4 | 低端U相MOSFET Q4的柵極 | |
| 12 | Sense Q4 | Q4的源極 | |
| 13 | Sense Q1 | Q1的源極 | |
| 14 | G1 | 高端U相MOSFET Q1的柵極 | |
| 15 | Vbat Sense | Vbat感測的公共引腳 | |
| 16 | Vbat Sense | Vbat感測的公共引腳,引腳15或16可用于Vbat感測 | |
| 17 | B + | 電池電壓電源引線 | |
| 18 | GND | 電池返回電源引線 | |
| 19 | U | U相(相1) | |
| 20 | V | V相(相2) | |
| 21 | W | W相(相3) |
電氣特性
絕對(duì)最大額定值
| 在正常工作條件下,需要注意模塊的絕對(duì)最大額定值,以避免損壞設(shè)備。例如,漏源電壓(VDS)最大為100V,柵源電壓(VGS)為±20V,最大結(jié)溫(TJ(max))為175°C等。具體參數(shù)如下表所示: | 符號(hào) | 參數(shù) | 值 | 單位 |
|---|---|---|---|---|
| VDS | 漏源電壓 | 100 | V | |
| VGS | 柵源電壓 | ±20 | V | |
| EAS | 單脈沖雪崩能量(IPK = 50A) | 587 | mJ | |
| TJ(max) | 最大結(jié)溫 | 175 | °C | |
| TSTG | 存儲(chǔ)溫度范圍 | -45至150 | °C |
熱特性
模塊的熱特性對(duì)于其性能和可靠性至關(guān)重要。熱阻(RθJC)典型值為0.26°C/W,最大值為0.36°C/W,測試方法符合MIL - STD - 883 - 1012.1標(biāo)準(zhǔn)。
電氣參數(shù)
在25°C的結(jié)溫下,模塊的電氣參數(shù)包括漏源擊穿電壓(Bvbss)、漏源泄漏電流、柵源泄漏電流等。例如,Bvbss最小值為100V,漏源泄漏電流最大值為5aA等。同時(shí),不同MOSFET的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))也有所不同,這與模塊內(nèi)部的訪問路徑有關(guān)。
機(jī)械特性
平整度
模塊的平整度參數(shù)參考特定的測量位置,最小值為0,最大值為150m。
安裝扭矩
推薦使用M3安裝螺絲,安裝扭矩為0.7Nm,范圍在0.4 - 1.4Nm之間。需要注意的是,最大扭矩額定值可能因螺絲類型而異。
重量
模塊的重量為21.2g。
總結(jié)
Onsemi的NXV10V160ST1汽車功率MOSFET模塊以其出色的性能和豐富的特性,為汽車電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)提供了可靠的解決方案。在實(shí)際應(yīng)用中,工程師需要根據(jù)具體的設(shè)計(jì)需求,合理選擇和使用該模塊,同時(shí)注意其電氣和機(jī)械特性,以確保系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性。你在使用類似的MOSFET模塊時(shí),是否也遇到過一些挑戰(zhàn)呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)。
-
電氣特性
+關(guān)注
關(guān)注
0文章
343瀏覽量
10312
發(fā)布評(píng)論請(qǐng)先 登錄
探索 onsemi NXV08H350XT1 汽車功率 MOSFET 模塊:設(shè)計(jì)與應(yīng)用解析
汽車功率MOSFET模塊NXV08H300DT1:高效可靠的汽車電子解決方案
Onsemi NXV10V160ST1汽車功率MOSFET模塊:設(shè)計(jì)與應(yīng)用解析
評(píng)論