探索 onsemi 單相逆變器汽車功率 MOSFET 模塊 NXV08A170DB2

在汽車電子領(lǐng)域，功率 MOSFET 模塊扮演著至關(guān)重要的角色，尤其是在電機(jī)控制等應(yīng)用場(chǎng)景中。今天，我們就來深入了解一下 onsemi 的單相逆變器汽車功率 MOSFET 模塊 NXV08A170DB2，看看它有哪些獨(dú)特的特性和優(yōu)勢(shì)。

文件下載：NXV08A170DB2-D.PDF

一、產(chǎn)品特性與優(yōu)勢(shì)

特性亮點(diǎn)

• 多功能集成：該模塊是用于變速電機(jī)驅(qū)動(dòng)的半橋逆變器，集成了電流傳感和溫度傳感功能，并且采用了電氣隔離的 DBC 基板，具有低熱阻特性。
• 緊湊設(shè)計(jì)：其緊湊的設(shè)計(jì)有助于降低模塊的總電阻，同時(shí)支持模塊序列化，可實(shí)現(xiàn)完整的可追溯性。
• 低 EMI 設(shè)計(jì)：配備了 C 緩沖器，能夠有效降低電磁干擾（EMI）。
• 高可靠性認(rèn)證：通過了 AQG324 認(rèn)證，具備 PPAP 能力，符合 Pb - free、RoHS 和 UL94 - V0 標(biāo)準(zhǔn)。

應(yīng)用與效益

• 應(yīng)用場(chǎng)景：主要應(yīng)用于 48V 電機(jī)控制。
• 帶來的效益：能夠助力設(shè)計(jì)出小型、高效且可靠的系統(tǒng)，從而降低車輛的燃油消耗和 (CO_{2}) 排放。同時(shí)，低熱阻特性使得系統(tǒng)散熱更好，還簡(jiǎn)化了車輛的組裝過程。

二、產(chǎn)品標(biāo)識(shí)與訂購信息

標(biāo)識(shí)說明

模塊的標(biāo)識(shí)包含了多種信息，如具體設(shè)備代碼（NXV08A170DB2）、批次 ID（ZZZ）、組裝和測(cè)試地點(diǎn)（AT）、年份（Y）、工作周（WW）以及序列號(hào)（NNN）等。

訂購詳情

訂購和運(yùn)輸?shù)脑敿?xì)信息可在數(shù)據(jù)表的第 10 頁找到。

三、引腳配置與功能

四、電氣與熱特性

絕對(duì)最大額定值

注 1：由設(shè)計(jì)定義，不進(jìn)行生產(chǎn)測(cè)試。該值是計(jì)算結(jié)果，取自（封裝極限最大電流，硅極限最大電流）中的最小值，其中硅極限電流基于最大熱限制和電阻計(jì)算得出，且不超過 (T{J}=175^{circ}C)。注 2：起始 (T{J}=25^{circ}C)，(L = 0.47mH)，(I{AS}=54A)，電感充電時(shí) (V{DD}=80V)，雪崩期間 (V_{DD}=0V)。

熱特性

注 3：測(cè)試方法符合 MIL - STD - 883 - 1012.1，外殼溫度在封裝下方芯片中心處測(cè)量，允許 DBC 表面有輕微氧化和變色。

電氣特性

這里包含了多種電氣參數(shù)，如漏源擊穿電壓、漏源泄漏電流、柵源泄漏電流、柵源閾值電壓等，在不同的測(cè)試條件下有相應(yīng)的數(shù)值范圍。例如，在 (I{D}=250A)，(V{GS}=0V) 時(shí)，漏源擊穿電壓 (B{VSS}) 為 80V；在 (V{DS}=80V)，(V{GS}=0V) 時(shí)，漏源泄漏電流 (I{DSS}) 最大為 1μA。

五、典型特性曲線

數(shù)據(jù)手冊(cè)中提供了一系列典型特性曲線，包括歸一化功率損耗與外殼溫度、最大連續(xù)漏極電流與外殼溫度、傳輸特性、正向二極管特性等。這些曲線能夠幫助工程師更好地了解模塊在不同工作條件下的性能表現(xiàn)，從而在設(shè)計(jì)中做出更合理的選擇。

六、機(jī)械特性與封裝

機(jī)械特性

注 7：通過實(shí)驗(yàn)保證，僅在確認(rèn)的條件下有效。

封裝信息

該模塊采用 APM12 - CBA 封裝，為無鉛且符合 RoHS 標(biāo)準(zhǔn)，包裝方式為托盤包裝。

七、總結(jié)與思考

onsemi 的 NXV08A170DB2 功率 MOSFET 模塊在汽車 48V 電機(jī)控制領(lǐng)域具有眾多優(yōu)勢(shì)，其多功能集成、緊湊設(shè)計(jì)、低 EMI 等特性使其成為一個(gè)頗具吸引力的選擇。然而，在實(shí)際應(yīng)用中，工程師還需要根據(jù)具體的項(xiàng)目需求，仔細(xì)評(píng)估其電氣和熱特性，合理選擇工作條件，并注意封裝和安裝的要求。大家在過往的項(xiàng)目中，是否使用過類似的功率 MOSFET 模塊呢？在應(yīng)用過程中遇到過哪些問題又是如何解決的呢？歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見解。