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TPS54610/810/910評(píng)估模塊:設(shè)計(jì)與性能全解析

chencui ? 2026-04-24 16:55 ? 次閱讀
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TPS54610/810/910評(píng)估模塊:設(shè)計(jì)與性能全解析

電子工程師的日常工作中,電源管理模塊的設(shè)計(jì)與評(píng)估是至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。今天,我們就來深入探討德州儀器TI)的TPS54610/810/910評(píng)估模塊(EVM),看看它在實(shí)際應(yīng)用中的表現(xiàn)如何。

文件下載:TPS54810EVM-213.pdf

一、模塊背景與特性

1.1 背景概述

SLVP213評(píng)估模塊采用了TPS54610、TPS54810或TPS54910同步降壓調(diào)節(jié)器,能夠從標(biāo)稱3.3V或5V的輸入提供1.8V的輸出電壓。不同型號(hào)的評(píng)估模塊在輸入電壓范圍和輸出電流范圍上有所差異,具體如下表所示: EVM Input Voltage Range Output Current Range
TPS54610EVM?213 3 V to 6 V 0 A to 6 A
TPS54810EVM?213 4 V to 6 V 0 A to 8 A
TPS54910EVM?213 3 V to 4 V 0 A to 9 A

這些評(píng)估模塊旨在展示使用TPS54x10系列調(diào)節(jié)器設(shè)計(jì)時(shí)可實(shí)現(xiàn)的小PCB面積。其開關(guān)頻率設(shè)定為標(biāo)稱700kHz,允許使用小尺寸的0.65μH輸出電感器。此外,TPS54x10的MOSFET集成在封裝內(nèi)部,無需外部MOSFET及其相關(guān)驅(qū)動(dòng)器,低導(dǎo)通電阻的MOSFET提供了高效率,并有助于在高輸出電流時(shí)保持較低的結(jié)溫。補(bǔ)償組件位于IC外部,可實(shí)現(xiàn)可調(diào)輸出電壓和特定應(yīng)用的環(huán)路響應(yīng)。

1.2 性能規(guī)格總結(jié)

不同型號(hào)的評(píng)估模塊在性能規(guī)格上也有所不同,以下是各型號(hào)的主要性能規(guī)格總結(jié):

  • TPS54610EVM - 213:輸入電壓范圍3 - 6V,輸出電壓設(shè)定點(diǎn)0.9 - 1.8V(VIN大于3.8V時(shí)為3.3V),最大輸出電流6A,在5V輸入、2.5A負(fù)載時(shí)最大效率可達(dá)89.7%。
  • TPS54810EVM - 213:輸入電壓范圍4 - 6V,輸出電壓設(shè)定點(diǎn)0.9 - 1.8V(可至3.3V),最大輸出電流8A,在5V輸入、2A負(fù)載時(shí)最大效率為89.4%。
  • TPS54910EVM - 213:輸入電壓范圍3 - 4V,輸出電壓設(shè)定點(diǎn)0.9 - 1.8V(可至2.5V),最大輸出電流9A,在3.3V輸入、2A負(fù)載時(shí)最大效率高達(dá)92.4%。

1.3 模塊修改

雖然SLVP213設(shè)計(jì)旨在展示TPS54x10的小尺寸特性,但仍有一些參數(shù)可以進(jìn)行修改。

  • 輸出電壓調(diào)整:通過改變R4的值,可以在0.9V - 3.3V(TPS54910為2.5V)范圍內(nèi)改變輸出電壓。計(jì)算公式為[R 4=10 k Omega × frac{0.891 V}{V_{O}-0.891 V}],常見輸出電壓對(duì)應(yīng)的R4值如下表所示: Output Voltage (V) R4 Value (k Ω )
    0.9 1000
    1.2 28.7
    1.5 14.7
    1.8 9.76
    2.5 5.49
    3.3 3.74
  • 開關(guān)頻率調(diào)整:通過改變R5的值,可以將開關(guān)頻率調(diào)整到280kHz - 700kHz之間。需要注意的是,降低開關(guān)頻率會(huì)增加輸出紋波,除非同時(shí)增加L1的值。
  • 慢啟動(dòng)時(shí)間調(diào)整:修改C6的值可以改變SLVP213的慢啟動(dòng)時(shí)間,計(jì)算公式為[R 6=frac{T_{SS} × 5 mu A}{0.891 V}],當(dāng)C6開路時(shí),慢啟動(dòng)時(shí)間通常為3.6ms,且無法小于該值。

二、測試設(shè)置與結(jié)果

2.1 輸入/輸出連接

SLVP213有四個(gè)輸入/輸出連接點(diǎn):輸入、輸入返回、輸出和輸出返回。應(yīng)使用能夠提供10A電流的電源通過一對(duì)20AWG電線連接到J2,負(fù)載通過一對(duì)16AWG電線連接到J1。為減少電線損耗,應(yīng)盡量縮短電線長度。測試點(diǎn)TP1可方便連接示波器電壓探頭以監(jiān)測輸出電壓。

2.2 效率

SLVP213的效率在約2A的負(fù)載電流時(shí)達(dá)到峰值,隨后隨著負(fù)載電流增加至滿載而降低。在環(huán)境溫度為25°C時(shí),5V(TPS54610、TPS54810)和3.3V(TPS54910)輸入下的效率如圖所示。由于MOSFET的漏源電阻隨溫度變化,環(huán)境溫度升高時(shí)效率會(huì)降低。此外,由于MOSFET的柵極和開關(guān)損耗,700kHz的開關(guān)頻率下效率略低于較低開關(guān)頻率。

2.3 功率耗散

PWP封裝的低結(jié)殼熱阻以及精心設(shè)計(jì)的電路板布局,使得SLVP213 EVM能夠在保持安全結(jié)溫的情況下輸出全額定負(fù)載電流。例如,對(duì)于TPS54610,在5V輸入源和6A負(fù)載下,結(jié)溫約為60°C,殼溫約為55°C。25°C時(shí)的總電路板損耗如圖所示,TPS54910由于MOSFET的低導(dǎo)通電阻,在給定輸出電流下耗散的功率更少。

2.4 輸出電壓調(diào)節(jié)

輸出電壓的負(fù)載調(diào)節(jié)和線路調(diào)節(jié)情況分別如圖所示,測量是在環(huán)境溫度為25°C時(shí)進(jìn)行的。

2.5 負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)

SLVP213對(duì)負(fù)載瞬態(tài)的響應(yīng)如圖所示,電流階躍為最大額定負(fù)載的25% - 75%,輸出的總峰 - 峰電壓變化包括紋波和噪聲。

2.6 環(huán)路特性

SLVP213的環(huán)路響應(yīng)特性如圖所示,展示了每個(gè)器件在最小和最大工作電壓下的增益和相位圖。

2.7 輸出電壓紋波

各器件類型的輸出電壓紋波如圖所示,輸入電壓對(duì)于TPS54610和TPS54910為3.3V,對(duì)于TPS54810為5V,輸出電流為額定滿載的50%。

2.8 輸入電壓紋波

輸入電壓紋波情況如圖所示,輸入電壓和輸出電流條件與輸出電壓紋波測試相同。

2.9 啟動(dòng)特性

SLVP213的啟動(dòng)電壓波形如圖所示,輸入電壓上升到啟動(dòng)電壓閾值(TPS54610為2.9V,TPS54810為3.8V)以上后,約有9ms的延遲,輸出電壓才開始上升到最終的1.8V值。輸出電壓跟蹤內(nèi)部和外部慢啟動(dòng)電壓中的較大值,導(dǎo)致斜坡率發(fā)生變化。

三、電路板布局

SLVP213的電路板布局采用了類似典型應(yīng)用中的層疊結(jié)構(gòu)。頂層和底層為1.5oz銅,兩個(gè)內(nèi)層為0.5oz銅。

  • 頂層:包含(V_{IN})、(OUT)和(Phase)的主要功率走線,以及TPS54x10其余引腳的連接和大面積接地平面。
  • 內(nèi)層:兩個(gè)內(nèi)層相同,均為專用接地平面。
  • 底層:包含補(bǔ)償網(wǎng)絡(luò)電路以及額外的(VIN)、(VOUT)和接地走線。頂層和底層的接地走線通過45個(gè)過孔連接到內(nèi)部接地平面,其中12個(gè)過孔直接位于TPS54x10器件下方,為PowerPAD?焊盤提供熱路徑到地。

輸入去耦電容(C4和C8)、偏置去耦電容(C9)和自舉電容(C6)都盡可能靠近IC放置。補(bǔ)償組件也靠近IC位于PCB背面,補(bǔ)償電路在調(diào)節(jié)點(diǎn)連接到輸出電壓,該調(diào)節(jié)點(diǎn)是連接到輸出連接器(J2)的寬走線。

四、原理圖與物料清單

4.1 原理圖

SLVP213的原理圖如圖所示,模擬和功率接地連接到IC封裝下方的PowerPAD。

4.2 物料清單

SLVP213的物料清單詳細(xì)列出了各個(gè)元件的信息,包括電容、電阻、電感、連接器、IC等,具體信息如下表所示: COUNT REF DES DESCRIPTION SIZE MFR PART NUMBER
2 C1, C4 Capacitor, ceramic, 470 pF, 50 V, C0G, 5% 603 Panasonic GRM1885C1H471JA01
2 C10, C12 Capacitor, ceramic, 10 μ F, 10 V, X5R, 20% 1210 Taiyo Yuden LMK325BJ106MN
1 C11 Capacitor, ceramic, 3300 pF, 50 V, X7R, 10% 603 Panasonic ECJ?1VB1H332K
1 C2 Capacitor, ceramic, 12 pF, 50 V, C0G, 5% 603 Murata GRM1885C1H120JZ01
1 C3 Capacitor, ceramic, 1 μ F, 10 V, X5R, 10% 603 TDK C1608X5R1A105M
3 C5, C7, C8 Capacitor, ceramic, 22 μ F, 6.3 V, X5R, 20% 1210 Taiyo Yuden JMK325BJ226MN
2 C6, C9 Capacitor, ceramic, 0.047 μ F, 25 V, X7R, 10% 603 Murata GRM188R71E473KA01
2 J1, J2 Terminal block, 2 pin, 15 A, 5,1 mm 148830 OST ED1609
1 L1 Inductor, 0.65 μ H, 12 A 0.340 × 0.250 Pulse PA0277
2 R1, R5 Resistor, chip, 10.0 k Ω , 1/16 W, 1% 603 Panasonic ERJ?3EKF1002
1 R2 Resistor, chip, 301 Ω , 1/16 W, 1% 603 Panasonic ERJ?3EKF301
1 R3 Resistor, chip,10.0 k Ω , 1/16 W, 1% 603 Panasonic ERJ?3EKF1002
1 R4 Resistor, chip, 9.76 k Ω , 1/16 W, 1% 603 Std Std
1 R6 Resistor, chip, 71.5 k Ω , 1/16 W, 1% 603 Std Std
1 R7 Resistor, chip, 2.4 Ω , 1/8 W, 1% 1206 Panasonic ERJ?8RQF2R4
1 TP1 Adaptor, 3.5-mm probe clip (or 131?5031?00) 72900 Tektronix 131?4244?00
5 TP2, TP4, TP6, TP7, TP9 Test point, red, 1 mm 0.038” Farnell 240?345
3 TP3, TP5, TP8 Test point, black, 1 mm 0.038” Farnell 240?333
1 U1 IC, IFET power controller, 3 V to 6 V, 6 A PWP28 TI TPS54610PWP
1 IC, IFET power controller, 4 V to 6 V, 8 A PWP28 TI TPS54810PWP
1 IC, IFET power controller, 3 V to 3.6 V, 9 A PWP28 TI TPS54910PWP
1 PCB, 3 in × 3 in × 0.062 in Any SLVP213

通過對(duì)TPS54610/810/910評(píng)估模塊的全面分析,我們可以看到它在電源管理方面具有出色的性能和一定的可調(diào)節(jié)性。在實(shí)際設(shè)計(jì)中,電子工程師可以根據(jù)具體需求合理選擇和調(diào)整模塊參數(shù),以滿足不同應(yīng)用場景的要求。你在使用類似電源管理模塊時(shí)遇到過哪些問題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見解。

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