CSD17577Q3A CSD17577Q3A

數(shù)據(jù)： CSD17577Q3A 30V N 通道 NexFET 功率金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 數(shù)據(jù)表

描述

這款30V，4.0mΩ，SON 3.3mm×3.3mm NexFET功率MOSFET被設(shè)計(jì)成功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中以最大程度降低電阻。

頂部圖標(biāo)

要了解所有可用封裝，請(qǐng)見數(shù)據(jù)表末尾的可訂購產(chǎn)品附錄.R _θJA = 50°C /W ，這是在一個(gè)厚度0.06英寸環(huán)氧樹脂（FR4）印刷電路板（PCB）上的1英寸²，2盎司的銅焊盤上測(cè)得的典型值
。最大R _θJC = 3.0°C /W，脈沖持續(xù)時(shí)間≤100μs，占空比≤1％

特性

低Q _g和Q _gd
低熱阻
雪崩額定值
無鉛
符合RoHS環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)
無鹵素
小外形尺寸無引線（SON）3.3mm×3.3mm封裝

應(yīng)用范圍

網(wǎng)絡(luò)互聯(lián)，電信和計(jì)算系統(tǒng)中的負(fù)載點(diǎn)同步降壓
針對(duì)控制和同步FET應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化

參數(shù) 與其它產(chǎn)品相比?N 通道 MOSFET 晶體管

?
VDS (V)
Configuration
Rds(on) Max at VGS=4.5V (mOhms)
Rds(on) Max at VGS=10V (mOhms)
IDM, Max Pulsed Drain Current (Max) (A)
QG Typ (nC)
QGD Typ (nC)
Package (mm)
VGS (V)
VGSTH Typ (V)
ID, Silicon limited at Tc=25degC (A)
ID, package limited (A)
Logic Level
?