SuperFET
III MOSFET是安森美半導(dǎo)體全新的高壓超結(jié)（SJ）MOSFET系列，采用電荷平衡技術(shù)，具有出色的低導(dǎo)通電阻和降低柵極電荷性能。這種先進(jìn)技術(shù)專為最大限度地降低傳導(dǎo)損耗，提供卓越的開關(guān)性能和承受極高的dv / dt速率而量身定制。因此，SuperFET III MOSFET非常適用于各種小型化和高效率的電源系統(tǒng)。 優(yōu)化電容 700 V @ TJ = 150°C 低效輸出電容（典型值Coss（eff。）= 248 pF） 超低柵極電荷（典型值Qg = 24 nC） 典型值。 RDS（on）=210mΩ 100％雪崩測(cè)試 內(nèi)部柵極電阻：1.1ohm 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)