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FQD17P06TM

深圳市和諾泰科技有限公司 ? 2022-04-21 11:12 ? 次閱讀
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FQD17P06TM是一款大功率MOS管,

制造商: onsemi
產(chǎn)品種類: MOSFET
RoHS: 詳細(xì)信息
技術(shù): Si
安裝風(fēng)格: SMD/SMT
封裝 / 箱體: DPAK-3
晶體管極性: P-Channel
通道數(shù)量: 1 Channel
Vds-漏源極擊穿電壓: 60 V
Id-連續(xù)漏極電流: 12 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻: 135 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓: - 25 V, + 25 V
Vgs th-柵源極閾值電壓: 4 V
Qg-柵極電荷: 27 nC
最小工作溫度: - 55 C
最大工作溫度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
封裝: Reel
封裝: Cut Tape
封裝: MouseReel
商標(biāo): onsemi / Fairchild
配置: Single
下降時(shí)間: 60 ns
正向跨導(dǎo) - 最小值: 8.7 S
高度: 2.39 mm
長(zhǎng)度: 6.73 mm
產(chǎn)品類型: MOSFET
上升時(shí)間: 100 ns
系列: FQD17P06
2500
子類別: MOSFETs
晶體管類型: 1 P-Channel
類型: MOSFET
典型關(guān)閉延遲時(shí)間: 22 ns
典型接通延遲時(shí)間: 13 ns
寬度: 6.22 mm
單位重量: 330 mg

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 功率MOSFET
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