在2024年度全球電子成就獎的頒獎典禮上，安世半導體憑借其1200 V SiC（碳化硅）MOSFET在功率半導體領域的卓越表現(xiàn)，榮獲“年度功率半導體產品獎”。這一成就不僅彰顯了安世半導體在全球功率半導體市場的領先地位，也是對其產品競爭力和技術創(chuàng)新的國際認可。安世半導體碳化硅高級產品經理董建云代表公司受邀出席并領取了這一榮譽獎項。

獎項介紹

全球電子成就獎(World Electronics Achievement Awards)旨在表彰對推動全球電子產業(yè)創(chuàng)新做出杰出貢獻的企業(yè)和管理者，各類獎項獲得提名的企業(yè)、管理者及產品均為行業(yè)領先者，充分體現(xiàn)了其在業(yè)界的領先地位與不凡表現(xiàn)。

IIC Shenzhen 2024同期舉行的高效電源管理及寬禁帶半導體技術論壇上，安世半導體碳化硅高級產品經理董建云帶來了Nexperia碳化硅技術，賦能電氣化和綠色節(jié)能的未來的專題報告。

獲獎產品

安世半導體于2024年5月推出了NSF030120D7A0 ，一款基于碳化硅的 1200 V 功率 MOSFET。它采用成熟的 7 引腳 TO-263 塑料封裝，適用于表面貼裝 PCB 技術。出色的 RDSon 溫度穩(wěn)定性、高開關速度和高短路耐用性，使其成為電動汽車充電、基礎設施、光伏逆變器和電機驅動的首選產品。

RDS(on)會影響傳導功率損耗，是SiC MOSFET的關鍵性能參數(shù)。但是通過創(chuàng)新工藝技術，Nexperia 的SiC MOSFET實現(xiàn)了業(yè)界領先的溫度穩(wěn)定性，在25℃至175℃的工作溫度范圍內，RDS(on)的標稱值僅增加38%。這與市場上其他許多目前可用的 SiC 器件不同。

安世半導體SiC MOSFET的VGS(th)閾值電壓器件間分布差異極低，這使得器件并聯(lián)工作時，在靜態(tài)和動態(tài)條件下都能實現(xiàn)非常均衡的載流性能。此外，較低的體二極管正向電壓(VSD)有助于提高器件穩(wěn)健性和效率，同時還能放寬對異步整流和續(xù)流操作的死區(qū)時間要求。

Nexperia (安世半導體)

Nexperia（安世半導體）總部位于荷蘭，是一家在歐洲擁有豐富悠久發(fā)展歷史的全球性半導體公司，目前在歐洲、亞洲和美國共有14,000多名員工。作為基礎半導體器件開發(fā)和生產的領跑者，Nexperia（安世半導體）的器件被廣泛應用于汽車、工業(yè)、移動和消費等多個應用領域，幾乎為世界上所有電子設計的基本功能提供支持。

Nexperia（安世半導體）為全球客戶提供服務，每年的產品出貨量超過1,000億件。這些產品在效率（如工藝、尺寸、功率及性能）方面成為行業(yè)基準，獲得廣泛認可。Nexperia（安世半導體）擁有豐富的IP產品組合和持續(xù)擴充的產品范圍，并獲得了IATF 16949、ISO 9001、ISO 14001和ISO 45001標準認證，充分體現(xiàn)了公司對于創(chuàng)新、高效、可持續(xù)發(fā)展和滿足行業(yè)嚴苛要求的堅定承諾。

Nexperia：效率致勝。