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Power Integrations榮獲2025全球電子成就獎之年度電源管理獎

PI電源芯片 ? 來源:PI電源芯片 ? 2025-12-01 15:47 ? 次閱讀
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2025國際集成電路展覽會暨研討會(IIC Shenzhen)正于11月25日至26日在深圳大中華喜來登酒店舉辦。在此次展會上,Power Integrations(簡稱:PI)旗下的InnoMux-2 1700V氮化鎵IC榮獲2025 ASPENCORE全球電子成就獎(WEAA)年度電源管理獎。PI公司FAE經(jīng)理蔣海華上臺領(lǐng)獎,代表公司接受這一榮譽(yù)。

這是PI繼去年憑借1250V InnoSwitch3-EP IC獲得該獎項(xiàng)后,InnoMux-2 1700V IC 再次獲此殊榮,進(jìn)一步提升了氮化鎵功率器件的先進(jìn)水平,彰顯了PI在電源管理領(lǐng)域的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)力。

01InnoMux-2 1700V

1700V額定耐壓進(jìn)一步提升了氮化鎵功率器件的先進(jìn)水平,此前的業(yè)界首創(chuàng)產(chǎn)品是Power Integrations于2023年推出的900V和1250V器件。1700V InnoMux-2 IC可在反激設(shè)計(jì)中輕松支持1000VDC額定輸入電壓,并在需要一個、兩個或三個供電電壓的應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)90%以上的效率。每路輸出的調(diào)整精度都控制在1%以內(nèi),無需后級穩(wěn)壓器,并將系統(tǒng)效率進(jìn)一步提高了約10%。在汽車充電器、太陽能逆變器、三相電表和各種工業(yè)電源系統(tǒng)等電源應(yīng)用中,這種新型器件可取代昂貴的碳化硅(SiC)晶體管。

1700V額定耐壓大大高于任何其他市售的氮化鎵HEMT(高電子遷移率晶體管)。到2029年底,功率氮化鎵器件市場規(guī)模將達(dá)到20億美元,并將擴(kuò)展到各個應(yīng)用領(lǐng)域,與碳化硅器件相比,其成本優(yōu)勢更具吸引力。

02關(guān)于獎項(xiàng)

全球電子成就獎 (World Electronics Achievement Awards) 旨在評選并表彰對推動全球電子產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新做出杰出貢獻(xiàn)的企業(yè)和管理者,對獲獎公司以及個人來說,全球電子成就獎的獲得是一項(xiàng)崇高的榮譽(yù),各類獎項(xiàng)獲得提名的企業(yè)、管理者及產(chǎn)品均為行業(yè)領(lǐng)先者,充分體現(xiàn)了其在業(yè)界的領(lǐng)先地位與不凡表現(xiàn)。

全球電子成就獎是由AspenCore全球資深產(chǎn)業(yè)分析師組成的評審委員會以及來自亞、美、歐洲的網(wǎng)站用戶群共同評選出得獎?wù)摺?/p>

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原文標(biāo)題:PI 1700V氮化鎵IC 榮獲ASPENCORE WEAA年度電源管理獎

文章出處:【微信號:Power_Integrations,微信公眾號:PI電源芯片】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請注明出處。

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