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東芯半導(dǎo)體榮獲2025中國(guó)IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)之年度最佳存儲(chǔ)器

東芯半導(dǎo)體 ? 來(lái)源:東芯半導(dǎo)體 ? 2025-03-31 14:57 ? 次閱讀
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2025年是IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)舉辦的第23年,一路伴隨和見(jiàn)證產(chǎn)業(yè)的成長(zhǎng)與發(fā)展,是中國(guó)電子業(yè)界最重要的技術(shù)獎(jiǎng)項(xiàng)之一,頒獎(jiǎng)典禮已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)領(lǐng)袖的年度盛會(huì)及行業(yè)領(lǐng)航標(biāo)!活動(dòng)評(píng)選并表彰業(yè)內(nèi)優(yōu)秀的IC設(shè)計(jì)公司、上游服務(wù)供應(yīng)商、熱門(mén)模塊/設(shè)計(jì)方案和熱門(mén)產(chǎn)品。

深耕存儲(chǔ),創(chuàng)新不斷,3月27日頒獎(jiǎng)晚宴上,東芯半導(dǎo)體3.3V 64Mb SPI NOR Flash–DS25Q64A-13IA4很榮幸獲選了“2025年度中國(guó)IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)之熱門(mén)IC產(chǎn)品獎(jiǎng):年度最佳存儲(chǔ)器”。同時(shí),進(jìn)入“Aspencore2025中國(guó)IC設(shè)計(jì)Fabless100排行榜--TOP 10 存儲(chǔ)器公司”,這不但是對(duì)我們成果的肯定,也鼓舞我們持續(xù)研發(fā)創(chuàng)新,為日益發(fā)展的存儲(chǔ)需求提供高效可靠的解決方案!”

Dosilicon

從消費(fèi)級(jí)到車(chē)規(guī)級(jí):

存儲(chǔ)芯片如何定義終端用戶體驗(yàn)

3月27日下午,東芯半導(dǎo)體股份有限公司副總經(jīng)理陳磊也在IC領(lǐng)袖峰會(huì)中,以本土存儲(chǔ)廠商視角,結(jié)合目前存儲(chǔ)市場(chǎng)現(xiàn)狀和熱門(mén)的應(yīng)用領(lǐng)域,為大家解析從消費(fèi)級(jí)到車(chē)規(guī)級(jí):存儲(chǔ)芯片如何定義終端用戶體驗(yàn)。

活動(dòng)現(xiàn)場(chǎng)

據(jù)公開(kāi)數(shù)據(jù)顯示,在AI服務(wù)器的強(qiáng)勁需求帶動(dòng)下,2024年全球DRAM和NAND Flash銷(xiāo)售收入創(chuàng)1615億美元的歷史新高。其中,NAND Flash市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到656.353美元,DRAM市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到958.63億美元。

一方面,由于5G/AI/汽車(chē)電子等領(lǐng)域的不斷發(fā)展,DRAM、NAND、NOR在不同階梯中的技術(shù)演進(jìn)滿足應(yīng)用市場(chǎng)多樣化需求,產(chǎn)品需要不斷迭代創(chuàng)新。

另一方面,利基型存儲(chǔ)主流廠商正在逐步退出,或能實(shí)現(xiàn)份額替換,AI 需求高企,產(chǎn)能擠壓下,部分國(guó)際大廠逐步轉(zhuǎn)向利潤(rùn)更高的高帶寬內(nèi)存等產(chǎn)品線。

加以政府政策支持、全球化轉(zhuǎn)型加速推進(jìn)下游需求增長(zhǎng)、產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)協(xié)同合作以及數(shù)據(jù)安全等多重因素體現(xiàn)了芯片國(guó)產(chǎn)替代的重要性幾方面驅(qū)動(dòng)行業(yè)發(fā)展,刷新本土芯片市場(chǎng)需求,本土存儲(chǔ)廠商或?qū)@得更多市場(chǎng)機(jī)遇。

作為Fabless芯片企業(yè),東芯半導(dǎo)體擁有獨(dú)立自主的知識(shí)產(chǎn)權(quán),聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研發(fā)、設(shè)計(jì)和銷(xiāo)售,是目前國(guó)內(nèi)少數(shù)可以同時(shí)提供NAND/NOR/DRAM設(shè)計(jì)工藝和產(chǎn)品方案的存儲(chǔ)芯片研發(fā)設(shè)計(jì)公司,

現(xiàn)有六大產(chǎn)品矩陣,提供定制化解決方案

SPINANDFlash

單顆粒芯片設(shè)計(jì)的串行通信方案,

在同一顆粒上集成了存儲(chǔ)陣列和控制器

高傳輸速度,高可靠

產(chǎn)品現(xiàn)擁有38nm及2xnm的成熟工藝制程,

目前工藝制程已經(jīng)推進(jìn)至1xnm先進(jìn)工藝制程。

PPINAND Flash

兼容傳統(tǒng)的并行接口標(biāo)準(zhǔn),高可靠性??商峁┤萘繌?Gb到16Gb,1.8V / 3.3V兩種電壓,多種封裝方式的產(chǎn)品,以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景。在網(wǎng)絡(luò)通信,智能音箱,機(jī)頂盒等領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用。

NORFlash

可提供通用SPI接口、不同規(guī)格的NOR Flash,

容量從64Mb到2Gb,1.8V/3.3V 兩種電壓,

支持Single/Dual/Quad SPI和QPI四種指令模式、DTR傳輸模式和多種封裝方式。

DDR3(L)

具備高傳輸速率以及低工作電壓。

可提供1.5V/1.35V兩種電壓模式,具有標(biāo)準(zhǔn)SSTL接口、8n-bit prefetch DDR架構(gòu)和8個(gè)內(nèi)部bank的DDR3 SDRAM,是主流的內(nèi)存產(chǎn)品。

LPDDR

具有LPDDR1, LPDDR2, LPDDR4X三個(gè)系列。LPDDR1的核心電壓與IO電壓均低至1.8V,LPDDR2的VDDCA/VDDQ低至1.2V,

LPDDR4X的VDDQ更低至0.6V,

因此非常適合應(yīng)用在各種移動(dòng)設(shè)備中,

產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于可穿戴/遙控設(shè)備等便攜式產(chǎn)品。

MCP

產(chǎn)品具有NAND Flash和DDR多種容量組合,

均為低電壓設(shè)計(jì),核心電壓1.8V

其中DDR包含LPDDR1/2/4X 多種規(guī)格使其選擇更加靈活豐富。MCP可將Flash和DDR合二為一進(jìn)行封裝,簡(jiǎn)化走線設(shè)計(jì),節(jié)省組裝空間,高效集成電路,提高產(chǎn)品穩(wěn)定性。

東芯半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)全球化運(yùn)營(yíng)布局,構(gòu)建完整生態(tài)體系,以“存儲(chǔ)”為核心,向“存、算、聯(lián)”一體化領(lǐng)域進(jìn)行技術(shù)探索,拓展行業(yè)應(yīng)用領(lǐng)域,優(yōu)化業(yè)務(wù)布局。

供應(yīng)鏈構(gòu)建:

我們一直秉持“本土深度、全球廣度”的供應(yīng)鏈布局,堅(jiān)持“雙軌并行”的發(fā)展策略,積極拓展境內(nèi)外雙代工模式,在搭建和完善自主可控的國(guó)產(chǎn)化供應(yīng)鏈體系的同時(shí),與國(guó)內(nèi)外的供應(yīng)商建立了互助、互利、互信的合作關(guān)系,保證了供應(yīng)鏈運(yùn)轉(zhuǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量。

市場(chǎng)布局:

我們的產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于工業(yè)控制、通訊設(shè)備、安防監(jiān)控、可穿戴設(shè)備和移動(dòng)終端等領(lǐng)域。我們也持續(xù)聚焦高附加值產(chǎn)品,目前我們SLC NAND Flash、NOR Flash以及MCP均有產(chǎn)品通過(guò)AEC-Q100測(cè)試,將適用于更嚴(yán)苛的車(chē)規(guī)環(huán)境,也歡迎大家多多咨詢。

·SLC NAND Flash :

Automotive Grade 1 -40℃~105℃

·NOR Flash:

Automotive Grade 2 -40℃~125℃

·MCP:

Automotive Grade 1 -40℃~105℃

質(zhì)量把控:

我們以“品質(zhì)”、“競(jìng)爭(zhēng)力”、“客戶滿意”、“持續(xù)改進(jìn)”為公司質(zhì)量方針,不斷優(yōu)化服務(wù)流程和運(yùn)營(yíng)系統(tǒng),持續(xù)提升相應(yīng)的產(chǎn)品質(zhì)量與服務(wù)質(zhì)量管理體系,能夠?yàn)槿蚩蛻舻谝粫r(shí)間提供高效的服務(wù)支持。公司持續(xù)加強(qiáng)產(chǎn)品可靠性及生產(chǎn)制程的監(jiān)控力度并建立了優(yōu)秀的客戶服務(wù)團(tuán)隊(duì),將客戶服務(wù)理念貫穿到產(chǎn)品研發(fā)至售后的各個(gè)環(huán)節(jié),在內(nèi)部形成良好的處理閉環(huán),并持續(xù)提升客戶服務(wù)管理能力。

東芯,為日益發(fā)展的存儲(chǔ)需求提供高效可靠的解決方案!

關(guān)于東芯

東芯半導(dǎo)體以卓越的MEMORY設(shè)計(jì)技術(shù),專(zhuān)業(yè)的技術(shù)服務(wù)實(shí)力,通過(guò)國(guó)內(nèi)外技術(shù)引進(jìn)和合作,致力打造成為中國(guó)本土優(yōu)秀的具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的存儲(chǔ)芯片設(shè)計(jì)公司。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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原文標(biāo)題:創(chuàng)新領(lǐng)跑!東芯半導(dǎo)體獲選中國(guó)IC設(shè)計(jì)成就獎(jiǎng)之年度最佳存儲(chǔ)器!

文章出處:【微信號(hào):東芯半導(dǎo)體,微信公眾號(hào):東芯半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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