由Aspencore發(fā)起的全球電子成就獎(jiǎng) (World Electronics Achievement Awards) 和亞洲金選獎(jiǎng)(EE Awards Asia)正在火熱評(píng)選中。安森美(onsemi)的Hyperlux ID iToF 先進(jìn)深度傳感器、采用TOLL封裝的 5mOhm /750V SiC Combo JFET UG4SC075005L8S、先進(jìn)模擬和混合信號(hào)平臺(tái)Treo成功入圍兩個(gè)獎(jiǎng)項(xiàng)。

全球電子成就獎(jiǎng)作為電子領(lǐng)域極具分量的榮譽(yù)，獎(jiǎng)項(xiàng)專(zhuān)注于從眾多參與者中甄選具備頂尖技術(shù)實(shí)力與商業(yè)潛力的標(biāo)桿，以此引導(dǎo)和激勵(lì)電子企業(yè)不斷精進(jìn)，持續(xù)提升自身核心競(jìng)爭(zhēng)力。

亞洲金選獎(jiǎng)的誕生來(lái)自于工程師信賴(lài)的選擇，在《EE Times》及《EDN》專(zhuān)業(yè)技術(shù)媒體與科技人士的共同見(jiàn)證下，發(fā)布半導(dǎo)體電子產(chǎn)業(yè)界年度應(yīng)用產(chǎn)品推薦榜單，以及最佳設(shè)計(jì)解決方案，同時(shí)將表彰對(duì)電子創(chuàng)新與發(fā)展做出重要貢獻(xiàn)的人士。

Hyperlux ID iToF 先進(jìn)深度傳感器

Hyperlux ID 系列使用安森美全新專(zhuān)有全局快門(mén)像素架構(gòu)且自帶存儲(chǔ)，可以捕捉整個(gè)場(chǎng)景，同時(shí)實(shí)時(shí)進(jìn)行深度測(cè)量，突破標(biāo)準(zhǔn) iToF 傳感器的局限性，實(shí)現(xiàn)最遠(yuǎn) 30 米的深度感知。

規(guī)格：

Hyperlux ID 系列包括120 萬(wàn)像素全局快門(mén)、3.5μm背照式(BSI)像素傳感器。AF0130型號(hào)還自帶處理功能，令集成更簡(jiǎn)單并降低系統(tǒng)成本。對(duì)于那些希望集成自有深度檢測(cè)算法的客戶(hù)，AF0131可以提供這一特性，為客戶(hù)增加了選擇靈活性。

應(yīng)用領(lǐng)域：

Hyperlux ID適用于面部識(shí)別、手勢(shì)檢測(cè)和 3D 視頻會(huì)議等消費(fèi)應(yīng)用場(chǎng)景，以及各種工業(yè)環(huán)境，例如自動(dòng)化與機(jī)器人、制造與質(zhì)量控制、物流與物料處理、農(nóng)業(yè)與種植、訪(fǎng)問(wèn)控制系統(tǒng)。

競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)：

傳統(tǒng)的iToF傳感器由于測(cè)距范圍有限、在惡劣光線(xiàn)條件下性能不佳以及無(wú)法對(duì)移動(dòng)物體計(jì)算深度，其應(yīng)用受到了限制。Hyperlux ID 系列能夠?qū)σ苿?dòng)物體和高分辨率圖像進(jìn)行精確測(cè)量，有助于減少錯(cuò)誤和停機(jī)時(shí)間，優(yōu)化制造系統(tǒng)的流程，從而降低運(yùn)營(yíng)成本。Hyperlux ID深度感知距離是標(biāo)準(zhǔn) iToF 傳感器的四倍，而且外形尺寸更小。 此外，該傳感器系列還能同時(shí)生成黑白圖像和深度信息。 通過(guò)結(jié)合這兩種輸出，該傳感器系列可以提供全面的環(huán)境視圖，而無(wú)需為視覺(jué)和深度數(shù)據(jù)分別配置傳感器。

采用TOLL封裝的 5mOhm /750V SiC Combo JFET UG4SC075005L8S

安森美的UG4SC075005L8S在AI PSU設(shè)計(jì)中非常受歡迎，有助于實(shí)現(xiàn)下一代20 kW系統(tǒng)，以創(chuàng)新的Combo架構(gòu)、高能效、高可靠性及系統(tǒng)友好性，解決了AI領(lǐng)域大電流、高功率場(chǎng)景的核心痛點(diǎn)。

關(guān)鍵特性與優(yōu)勢(shì)包括：

Combo JFET的設(shè)計(jì)旨在讓用戶(hù)能夠分別獨(dú)立控制MOSFET和SiC JFET的柵極。

超低導(dǎo)通電阻Rds(on)：采用SiC JFET技術(shù)，UG4SC075005L8S的導(dǎo)通電阻低至5mOhm，顯著降低導(dǎo)通損耗，提高能效。

更高的峰值電流Idm：峰值電流對(duì)于電路保護(hù)應(yīng)用至關(guān)重要，而高 Idm的UG4SC075005L8S正是實(shí)現(xiàn)這一目的的理想選擇。電路保護(hù)應(yīng)用因其特定的工作條件而要求穩(wěn)健性和大電流穿越能力。

低熱阻RθJC：安森美的UG4SC075005L8S采用銀燒結(jié)裸片貼裝技術(shù)，與大多數(shù)焊接材料相比，界面導(dǎo)熱性能提高了六倍，從而在更小的裸片尺寸下實(shí)現(xiàn)相同甚至更低的結(jié)至外殼熱阻RθJC。低RθJC有助于保持較低的結(jié)溫，并確保更高的可靠性。

速度可控性：電路保護(hù)和多路并聯(lián)應(yīng)用的理想選擇。通過(guò)降低關(guān)斷速度來(lái)減少電壓過(guò)沖，可加強(qiáng)電路保護(hù)，尤其是短路保護(hù)。易于并聯(lián)，出色地平衡了開(kāi)關(guān)損耗和動(dòng)態(tài)電流平衡之間的性能。

結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，使用壽命長(zhǎng)，無(wú)參數(shù)漂移

柵極驅(qū)動(dòng)兼容性：支持使用成熟的硅基晶體管驅(qū)動(dòng)器，無(wú)需專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)電路，簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)，加快開(kāi)發(fā)速度。

先進(jìn)模擬和混合信號(hào)平臺(tái)Treo

Treo 平臺(tái)是先進(jìn)的模擬和混合信號(hào)平臺(tái)，基于 65nm 節(jié)點(diǎn)的BCD(Bipolar–CMOS -DMOS)工藝技術(shù)構(gòu)建，為安森美廣泛的電源和感知解決方案奠定了強(qiáng)大的基礎(chǔ)，包括高性能和低功耗感知、高效電源管理和專(zhuān)用通信器件，用于汽車(chē)、工業(yè)和AI數(shù)據(jù)中心等各種應(yīng)用。該平臺(tái)采用模塊化架構(gòu)，擁有一套用于構(gòu)成計(jì)算、電源管理、感知和通信子系統(tǒng)的不斷演進(jìn)且穩(wěn)健的 IP 構(gòu)建模塊，支持業(yè)界領(lǐng)先的 1-90V 寬電壓范圍和高達(dá) 175°C 的工作溫度，使客戶(hù)能夠集成從低功耗到高功耗的一系列功能。

這些功能增強(qiáng)了安森美交付優(yōu)化解決方案和定制產(chǎn)品組合的能力，使客戶(hù)能夠以前所未有的速度將產(chǎn)品推向市場(chǎng)。基于 Treo 平臺(tái)制造的產(chǎn)品可在精度、性能和能效方面實(shí)現(xiàn)顯著提升，從而改善功能、安全性和整個(gè)生命周期的質(zhì)量。