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芯片是業(yè)內(nèi)外認(rèn)識(shí)避不開(kāi)的話題。而光刻膠（PR）是芯片八大核心材料之一。據(jù)統(tǒng)計(jì)，光刻膠（PR）在半導(dǎo)體晶圓制造材料價(jià)值占比5%，光刻膠（PR）輔助材料占比7%，二者合計(jì)占比12%，光刻膠（PR）及輔助材料是繼硅片、電子特氣和光掩模之后的第四大半導(dǎo)體材料。

而嚴(yán)格來(lái)說(shuō)，在芯片制造這場(chǎng)微觀世界的雕刻盛宴中，光刻膠（PR）如同一位技藝精湛的工匠手中的隱形畫(huà)筆，在硅片這片“晶圓畫(huà)布”上勾勒出億萬(wàn)個(gè)晶體管組成的復(fù)雜電路。然而，這支“畫(huà)筆”卻成了中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)最難突破的瓶頸之一：

全球高端光刻膠（PR）市場(chǎng)93%的份額被日本企業(yè)壟斷，我國(guó)KrF、ArF、EUV等高端光刻膠（PR）自給率不足5%。更嚴(yán)峻的是，光刻膠（PR）保質(zhì)期僅6-12個(gè)月，無(wú)法囤貨，中芯國(guó)際、長(zhǎng)江存儲(chǔ)等頭部晶圓廠隨時(shí)面臨斷供停產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn)。

一、光刻膠（PR）的起源

光刻開(kāi)始于一種稱作光刻膠（PR）的感光性液體的應(yīng)用。圖形能被映射到光刻膠（PR）上，然后用一個(gè)developer就能做出需要的模板圖案。光刻膠（PR）溶液通常被旋轉(zhuǎn)式滴入wafer。wafer被裝到一個(gè)每分鐘能轉(zhuǎn)幾千轉(zhuǎn)的轉(zhuǎn)盤(pán)上。幾滴光刻膠（PR）溶液就被滴到旋轉(zhuǎn)中的wafer的中心，離心力把溶液甩到表面的所有地方。光刻膠（PR）溶液黏著在wafer上形成一層均勻的薄膜。多余的溶液從旋轉(zhuǎn)中的wafer上被甩掉。薄膜在幾秒鐘之內(nèi)就縮到它最終的厚度，溶劑很快就蒸發(fā)掉了，wafer上就留下了一薄層光刻膠（PR）。最后通過(guò)烘焙去掉最后剩下的溶劑并使光刻膠（PR）變硬以更后續(xù)處理。鍍過(guò)膜的wafer對(duì)特定波成的光線很敏感，特別是紫外(UV)線。相對(duì)來(lái)說(shuō)他們?nèi)耘f對(duì)其他波長(zhǎng)的，包括紅，橙和黃光不太敏感。所以大多數(shù)光刻車(chē)間有特殊的黃光系統(tǒng)。

二、光刻膠（PR）的發(fā)展歷史

1826年，法國(guó)人涅普斯（J. N. Niepce）最先發(fā)現(xiàn)了具有感光性的天然瀝青，使用低黏度優(yōu)質(zhì)瀝青涂覆玻璃板，預(yù)干后，置于相機(jī)暗盒內(nèi)，開(kāi)啟曝光窗，經(jīng)光學(xué)鏡頭長(zhǎng)時(shí)間曝光后，瀝青涂層感光逐漸交聯(lián)固化，形成潛像，再經(jīng)溶劑松節(jié)油清洗定影，獲得最早的瀝青成像圖案。

1832年，德國(guó)人舒柯（G. Suckow）發(fā)現(xiàn)重鉻酸鹽在明膠等有機(jī)物中具有感光性。

1839年，英國(guó)人龐頓（S. M. Ponton）首先將重鉻酸鹽用于照相研究。

1850年，英國(guó)人塔爾博特（F. Talbot）將重鉻酸鹽與明膠混合后涂在鋼板上制作照相凹版獲得了成功。

19世紀(jì)中葉，德國(guó)人格里斯（J. P. Griess）合成出芳香族重氮化合物，并發(fā)現(xiàn)重氮化合物不但遇熱不穩(wěn)定，而且對(duì)光照也不穩(wěn)定。

1884年，德國(guó)人韋斯特（West）首先利用重氮化合物的感光性顯示出影像。

1890年。德國(guó)人格林（Green）和格羅斯（Gross）等人將重氮化的混合物制成感光材料。取得了第一個(gè)重氮感光材料的專(zhuān)利。不久，德國(guó)的卡勒（Kalle）公司推出了重氮印相紙，從而使重氮感光材料商品化，并逐漸代替了鐵印相技術(shù)。

1921年，美國(guó)人畢勃（M. C. Beeb）等人將碘仿與芳香胺混合在一起，用紫外光照射得到染料像，稱它為自由基成像體系。

1925年，美國(guó)柯達(dá)（Eastman-Kodak）公司發(fā)現(xiàn)了聚乙烯醇和肉桂酸酯在紫外光下有很強(qiáng)的交聯(lián)反應(yīng)并且感光度很高，隨后用于光學(xué)玻璃的光柵蝕刻，成為光刻膠的先驅(qū)。

1942年，英國(guó)Eisler發(fā)明印刷電路板 [39]，重鉻酸鹽感光材料作為光敏抗蝕劑用于制造印刷線路板。重鉻酸在紫外光作用下還原成三價(jià)鉻離子，三價(jià)鉻離子可和水溶性聚合物中的羰基、胺基、羥基等作用形成不溶的配位絡(luò)合物。

1943年，美國(guó)杜邦公司提交了世界第一份有關(guān)光引發(fā)劑的發(fā)明專(zhuān)利，盡管這種二硫代氨基甲酸酯化合物感光活性較低，后來(lái)也未能轉(zhuǎn)化為實(shí)際應(yīng)用，但確實(shí)開(kāi)啟了一種全新的聚合物材料加工技術(shù)。

1948年，美國(guó)專(zhuān)利中出現(xiàn)第一個(gè)光固化油墨配方和實(shí)施技術(shù)的專(zhuān)利。

1949年德國(guó)Kalle公司首先開(kāi)發(fā)成功紫外正性光刻膠。

1954年，由柯達(dá)公司的明斯克(L. M. Minsk)等人研究成功的光敏劑增感的聚乙烯醇肉桂酸酯成為第一個(gè)光固化性能的光刻膠 [39]，牌號(hào)KPR。先用于印刷工業(yè)，后用于電子工業(yè)。

1958年，柯達(dá)公司發(fā)展出了疊氮-橡膠系的負(fù)性光刻膠 ，牌號(hào)為KMER和KTFR。

1960年，出現(xiàn)鄰重氮萘醌-酚醛樹(shù)脂紫外正性光刻膠 。

1968年美國(guó)IBM公司的Haller等人發(fā)明聚甲基丙烯酸甲酯電子束光刻膠。

1973年由Bell實(shí)驗(yàn)室和Bowden發(fā)明聚烯砜類(lèi)電子束光刻膠。

1976年，美國(guó)麻省理工學(xué)院的H. Smith提出X射線曝光技術(shù)。

1989年，日本科學(xué)家Kinoshita提出極紫外光刻技術(shù)（EUVL）。

1990年后，開(kāi)始出現(xiàn)248 nm化學(xué)增幅型光刻膠。

1992年，IBM使用甲基丙烯酸異丁酯的聚合物作為化學(xué)增幅的193 nm光刻膠材料。同年Kaimoto等也發(fā)現(xiàn)了非芳香性的抗蝕刻劑，而且在193 nm有較好的透光性 。

20世紀(jì)90年代中期，美國(guó)明尼蘇達(dá)大學(xué)納米結(jié)構(gòu)實(shí)驗(yàn)室提出了一種叫做“納米壓印成像”（nanoimprint lithography）的新技術(shù)。

1996年，歐洲主要成立了4個(gè)極紫外光刻相關(guān)研究項(xiàng)目，約110個(gè)研究單位參與，其中比較重要的項(xiàng)目為MEDEA和MORE MOORE。

1997年，Intel公司成立了包括AMD、Motorola、Micron、Infineon和IBM的EUV LLC，并與由LBNL、LLNL和SNL組成的國(guó)家技術(shù)實(shí)驗(yàn)室（VNL）簽訂了極紫外光刻聯(lián)合研發(fā)協(xié)議（CRADA）。

1998年，日本開(kāi)始極紫外光刻研究工作，并于2002年6月成立極紫外光刻系統(tǒng)研究協(xié)會(huì)（EUVA） 。

1962年，中國(guó)北京化工廠接受中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所的委托，著手研究光刻膠，以吡啶為原料，采用熱法工藝，制成聚乙烯醇肉桂酸酯膠。

1967年，中國(guó)第一個(gè)KPR型負(fù)性光刻膠投產(chǎn)。

1970年，103B型、106型兩種負(fù)膠投產(chǎn)，環(huán)化橡膠系負(fù)膠BN-302、BN-303也相繼開(kāi)發(fā)成功。

2018年5月24日，國(guó)家科技重大專(zhuān)項(xiàng)（02專(zhuān)項(xiàng)）極紫外光刻膠項(xiàng)目順利通過(guò)國(guó)家驗(yàn)收。

2018年5月30日，國(guó)家科技重大專(zhuān)項(xiàng)“極大規(guī)模集成電路制造裝備與成套工藝”專(zhuān)項(xiàng)（02專(zhuān)項(xiàng)）項(xiàng)目“極紫外光刻膠材料與實(shí)驗(yàn)室檢測(cè)技術(shù)研究”，經(jīng)過(guò)項(xiàng)目組全體成員的努力攻關(guān)，完成了EUV光刻膠關(guān)鍵材料的設(shè)計(jì)、制備和合成工藝研究、配方組成和光刻膠制備、實(shí)驗(yàn)室光刻膠性能的初步評(píng)價(jià)裝備的研發(fā)，達(dá)到了任務(wù)書(shū)中規(guī)定的材料和裝備的考核指標(biāo)。

2019年11月25日，8種“光刻膠及其關(guān)鍵原材料和配套試劑”入選工信部《重點(diǎn)新材料首批次應(yīng)用示范指導(dǎo)目錄（2019年版）》 。

三、光刻膠（PR）的介紹

光刻膠，英文全稱：Photoresist，簡(jiǎn)稱：PR，也稱為光致抗蝕劑。光刻膠（PR）是一種對(duì)光敏感的混合液體，是微電子技術(shù)中微細(xì)圖形加工的關(guān)鍵材料。它由光引發(fā)劑（光增感劑、光致產(chǎn)酸劑）、光刻膠（PR）樹(shù)脂、溶材料劑、單體（活性稀釋劑）和其他助劑組成。

四、光刻膠（PR）的成分組成

光刻膠是一種對(duì)光敏感的混合液體，主要由以下部分組成:

1、基體材料

通常為樹(shù)脂，一種惰性的聚合物，是用于粘合光刻膠中的不同成分，構(gòu)成光刻膠（PR）的基本骨架，決定其機(jī)械性能和化學(xué)穩(wěn)定性。提高光刻膠的化學(xué)抗腐蝕性能和膠膜厚度等基本性能。

2、感光化合物(PAC)

控制光刻膠在曝光前后的溶解性變化。

3、正性光刻膠

PAC在曝光前抑制溶解，曝光后促進(jìn)溶解。

4、負(fù)性光刻膠

PAC在曝光后引發(fā)交聯(lián)反應(yīng)，使曝光區(qū)域不溶解。

5、溶劑

調(diào)節(jié)光刻膠的黏滯性，溶解光刻膠的各種組成成分，確保其在涂覆時(shí)保持液體狀態(tài)，并均勻成膜，也是后續(xù)光刻化學(xué)反應(yīng)的介質(zhì)。

五、光刻膠（PR）基礎(chǔ)知識(shí)分享

以下就是本章節(jié)要跟大家分享的：半導(dǎo)體芯片材料“光刻膠（Photoresist）”基礎(chǔ)知識(shí)培訓(xùn)的內(nèi)容，如有遺漏或是不足之處，希望大家見(jiàn)諒，分享內(nèi)容如下：

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六、光刻膠（PR）的主要技術(shù)參數(shù)

1、分辨率(resolution)

區(qū)別硅片表面相鄰圖形特征的能力。一般用關(guān)鍵尺寸(CD，Criical Dimension)來(lái)衡量分辨率。形成的關(guān)鍵尺寸越小，光刻膠（PR）的分辨率越好。

2、對(duì)比度(Contrast)

指光刻膠（PR）從曝光區(qū)到非曝光區(qū)過(guò)渡的陡度。對(duì)比度越好，形成圖形的側(cè)壁越陡峭，分辨率越好。

3、敏感度(Sensitivity)

光刻膠（PR）上產(chǎn)生一個(gè)良好的圖形所需一定波長(zhǎng)光的最小能量值(或最小曝光量)。單位:毫焦/平方厘米或mJ/cm2。光刻膠（PR）的敏感性對(duì)于波長(zhǎng)更短的深紫外光(DUV)、極深紫外光(EUV)等尤為重要。

4、粘滯性/黏度(Viscosiy)

衡量光刻膠（PR）流動(dòng)特性的參數(shù)。粘滯性隨著光刻膠（PR）中的溶劑的減少而增加;高的粘滯性會(huì)產(chǎn)生厚的光刻膠（PR）;越小的粘滯性，就有越均勻的光刻膠（PR）厚度。光刻膠（PR）的比重(SG，Specifc Gravitvy)是衡量光刻膠（PR）的密度的指標(biāo)。它與光刻膠（PR）中的固體含量有關(guān)。較大的比重意味著光刻膠（PR）中含有更多的固體，粘滯性更高、流動(dòng)性更差。粘度的單 位:泊(poise)，光刻膠（PR）一般用厘泊(cps，厘泊為1%泊)來(lái)度量。百分泊即厘泊為絕對(duì)粘滯率;運(yùn)動(dòng)粘滯率定義為:運(yùn)動(dòng)粘滯率=絕對(duì)粘滯率/比重。 單位:百分斯托克斯(cs)=cps/SG。

5、粘附性(Adherence)

表征光刻膠（PR）粘著于襯底的強(qiáng)度。光刻膠（PR）的粘附性不足會(huì)導(dǎo)致硅片表面的圖形變形。光刻膠（PR）的粘附性必須經(jīng)受住后續(xù)工藝(刻蝕、離子注入等)。

6、抗蝕性(Anti-etching)

光刻膠（PR）必須保持它的粘附性，在后續(xù)的刻蝕工序中保護(hù)襯底表面。耐熱穩(wěn)定性、抗刻蝕能力和抗離子轟擊能力。

7、表面張力(Suface Tension)

液體中將表面分子拉向液體主體內(nèi)的分子間吸引力。光刻膠（PR）應(yīng)該具有比較小的表面張力，使光刻膠（PR）具有良好的流動(dòng)性和覆蓋。

8、存儲(chǔ)和傳送(Storage and Transmision)

能量(光和熱)可以激活光刻膠（PR）。應(yīng)該存儲(chǔ)在密閉、低溫、不透光的盒中。同時(shí)必須規(guī)定光刻膠（PR）的閑置期限和存貯溫度環(huán)境。一旦超過(guò)存儲(chǔ)時(shí)間或較高的溫度范圍，負(fù)膠會(huì)發(fā)生交聯(lián)，正膠會(huì)發(fā)生感光延遲。

七、光刻膠（PR）的分類(lèi)

光刻膠（PR）并非單一產(chǎn)品，而是一個(gè)龐大的家族。

1、根據(jù)光刻膠按照如何響應(yīng)紫外光的特性可以分為兩類(lèi):負(fù)性光刻膠和正性光刻膠。

a. 負(fù)性光刻膠(Negative Photo Resist)

最早使用，一直到20世紀(jì)70年代。曝光區(qū)域發(fā)生交聯(lián)，難溶于顯影液。

原理：曝光區(qū)域PAC引發(fā)交聯(lián)反應(yīng)，形成不溶性網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)，未曝光部分溶解。

特性：良好的粘附能力、良好的阻擋作用、感光速度快;顯影時(shí)發(fā)生變形和膨脹。所以只能用于2um的分辨率。

應(yīng)用場(chǎng)景：厚膜光刻、特殊封裝工藝。

b. 正性光刻膠(Positive Photo Resist)

20世紀(jì)70年代，有負(fù)性轉(zhuǎn)用正性。正性光刻膠的曝光區(qū)域更加容易溶解于顯影液。

原理：曝光區(qū)域PAC發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)，從抑制劑變?yōu)榇龠M(jìn)劑，使曝光部分溶于顯影液

特性：分臺(tái)階覆蓋好、對(duì)比度好;粘附性差、抗刻蝕能力差、高成本。辨率高。

主流應(yīng)用：先進(jìn)芯片制造(如邏輯電路、存儲(chǔ)器)、微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)。

正膠與負(fù)膠優(yōu)缺點(diǎn)的對(duì)比：

正膠與負(fù)膠的區(qū)別：

負(fù)膠是最早使用，一直到20世紀(jì)70年代。特性為，具有良好的粘附能力和阻擋作用、感光速度快；顯影時(shí)發(fā)生變形和膨脹，所以只能用于2μm的分辨率。

負(fù)膠顯影中保留部分的膠會(huì)吸收顯影液，造成光刻膠的變相“膨脹”，從而使圖形扭曲，一般分辨率只能達(dá)到光刻膠厚度的2-3倍；而正膠在顯影過(guò)程中則不會(huì)吸收顯影液，從而獲得較高的分辨率！

20世紀(jì)70年代，有負(fù)性轉(zhuǎn)用正性。正膠具有很好的對(duì)比度，所以生成的圖形具有良好的分辨率，其他特性如，臺(tái)階覆蓋好、對(duì)比度好；粘附性差、抗刻蝕能力差、高成本。

現(xiàn)在最小尺寸小于3um一般都會(huì)用正膠！

目前一般都是用正膠，對(duì)于線寬要求不高的時(shí)候或者一些特殊的用途（比如PSS等）可以選擇負(fù)膠。

2、根據(jù)光刻膠能形成圖形的最小光刻尺寸來(lái)分:傳統(tǒng)光刻膠和化學(xué)放大光刻膠。

a. 傳統(tǒng)光刻膠

適用于I線(365nm)、H線(405nm)和G線(436nm)，關(guān)鍵尺寸在0.35um及其以上。

b. 化學(xué)放大光刻膠(CAR，ChemicalAmplifedResist)

適用于深紫外線(DUV)波長(zhǎng)的光刻膠。KrF(248nm)和ArF(193nm)。

其實(shí)，關(guān)于光刻膠（PR）的分類(lèi)，根據(jù)應(yīng)用行業(yè)、顯示效果、化學(xué)結(jié)構(gòu)、曝光波長(zhǎng)......等等，可分的類(lèi)別太多太多了，這里我就不一一贅述了。

八、光刻膠（PR）的工作原理

光刻膠的基本原理是利用紫外線或電子束等高能輻射照射光刻膠，使其發(fā)生化學(xué)或物理變化，形成圖案。具體來(lái)說(shuō)，光刻膠通常由兩層組成，即敏化劑層和樹(shù)脂層。敏化劑層包含一些化學(xué)物質(zhì)，可以吸收光線并將其轉(zhuǎn)化為化學(xué)能，從而導(dǎo)致光刻膠的化學(xué)反應(yīng)發(fā)生變化。而樹(shù)脂層則是一種聚合物材料，其化學(xué)性質(zhì)可以受到敏化劑層的影響，從而發(fā)生聚合或交聯(lián)反應(yīng)，形成所需的圖案。

在光刻過(guò)程中，首先將光刻膠涂覆在襯底表面，并進(jìn)行軟烤處理，使光刻膠形成一定的膜厚和表面特性。然后，將光掩模置于光刻膠表面，利用紫外線或電子束等高能輻射照射光刻膠，使得光刻膠在照射區(qū)域發(fā)生化學(xué)或物理變化。經(jīng)過(guò)顯影處理后，未被照射的區(qū)域的光刻膠被去除，而被照射的區(qū)域的光刻膠則被保留在襯底表面上，形成所需的圖案。

不同類(lèi)型的光刻膠，其化學(xué)體系和工作機(jī)制也大相徑庭。

g線和i線光刻膠均使用線性酚醛樹(shù)脂作為樹(shù)脂主體，重氮萘醌（DQN體系）作為感光劑。

曝光后，重氮萘醌基團(tuán)轉(zhuǎn)變?yōu)橄┩c水接觸時(shí)，進(jìn)一步轉(zhuǎn)變?yōu)檐崃u酸，從而在曝光區(qū)被稀堿水顯影時(shí)除去。

而KrF（248nm）和ArF（193nm）等深紫外光刻膠則采取了完全不同的技術(shù)體系——化學(xué)放大光阻體系（CAR，Chemically Amplified Resist）。

在CAR技術(shù)體系中，光刻膠中的光致酸劑（PAG，Photo Acid Generator）經(jīng)過(guò)曝光后并不直接改變光刻膠在顯影液中的溶解度，而是產(chǎn)生酸。

在后續(xù)的熱烘焙流程（PEB，Post-Exposure Bake）的高溫環(huán)境下，曝光產(chǎn)生的酸作為催化劑改變光刻膠在顯影液中的溶解度。

CAR光刻膠的光敏感性很強(qiáng)，所需要從深紫外輻射中吸收的能量很少，大大提高了光刻的效率，其曝光速度是DQN光刻膠的10倍左右。

九、光刻膠（PR）的應(yīng)用和未來(lái)發(fā)展方向

1、新型微電子器件的制造

光刻膠在微電子器件的制造中已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用。未來(lái)，隨著微納技術(shù)的不斷發(fā)展和新型器件的出現(xiàn)，光刻膠的應(yīng)用將更加多樣化和精細(xì)化，如制造高速器件、量子器件等。

2、3D微納加工技術(shù)的發(fā)展

隨著3D打印技術(shù)的發(fā)展，3D微納加工技術(shù)也逐漸成為一個(gè)新的研究熱點(diǎn)。光刻膠在3D微納加工中具有重要的應(yīng)用前景，可以制造出更加復(fù)雜的三維微納結(jié)構(gòu)。

3、生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用

光刻膠在生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域中的應(yīng)用也有很大的潛力。未來(lái)，光刻膠可以用于制備更加復(fù)雜的生物芯片、微型醫(yī)療器械、組織工程等。

4、納米光學(xué)器件的制備

光刻膠在納米光學(xué)器件的制備中具有重要的應(yīng)用前景，如制造表面等離子體共振傳感器、納米光學(xué)器件等。

十、光刻膠（PR）的未來(lái)展望

中國(guó)光刻膠產(chǎn)業(yè)要實(shí)現(xiàn)真正的突破，必須從產(chǎn)業(yè)鏈、技術(shù)研發(fā)和產(chǎn)業(yè)生態(tài)三方面著手。

1、在產(chǎn)業(yè)鏈方面，必須實(shí)現(xiàn)全鏈條協(xié)同發(fā)展。

光刻膠的發(fā)展離不開(kāi)光刻機(jī)的進(jìn)步。目前，我國(guó)光刻機(jī)的國(guó)產(chǎn)化率不足3%，2023年進(jìn)口光刻機(jī)數(shù)量高達(dá)225臺(tái)，進(jìn)口金額高達(dá)87.54億美元。僅有上海微電子能制造90nm工藝節(jié)點(diǎn)DUV光刻機(jī)，與ASML差距極大。

2、在技術(shù)研發(fā)方面，需要持續(xù)加大投入，尤其是在新型光刻膠的研發(fā)上。

近期，清華大學(xué)與浙江大學(xué)的聯(lián)合團(tuán)隊(duì)全球首次提出了“點(diǎn)擊光刻”新方法，并成功開(kāi)發(fā)出與之匹配的超高感光度光刻膠樣品。這種新型的光刻膠材料，能在極低曝光劑量下實(shí)現(xiàn)高對(duì)比度成像，大大降低了光刻曝光劑量，提高光刻效率。

3、在產(chǎn)業(yè)生態(tài)方面，必須與下游企業(yè)深度合作，形成自己的產(chǎn)業(yè)生態(tài)體系。

就像日本光刻膠企業(yè)一樣，與晶圓廠深度合作，嵌入其全產(chǎn)業(yè)生態(tài)中，構(gòu)建起牢不可破的產(chǎn)業(yè)壁壘。隨著芯片制程不斷邁向7nm、5nm、3nm乃至更小線寬，光刻技術(shù)也在不斷演進(jìn)。在EUV光刻膠領(lǐng)域，中國(guó)雖然起步較晚，但通過(guò)產(chǎn)學(xué)研各界的共同努力，正逐步縮小與國(guó)際先進(jìn)水平的差距，一步步點(diǎn)亮芯片制造的關(guān)鍵材料版圖。

十一、寫(xiě)在最后面的話

回顧光刻膠的歷史和發(fā)展，我們可以看到一個(gè)從簡(jiǎn)單到復(fù)雜，從微觀到納米的進(jìn)化軌跡。這種材料不僅推動(dòng)了電子產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步，還成為跨學(xué)科研究和應(yīng)用的橋梁。面對(duì)未來(lái)，光刻膠將繼續(xù)與時(shí)俱進(jìn)，滿足我們對(duì)更高技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的追求，同時(shí)為新的創(chuàng)新和發(fā)現(xiàn)奠定基礎(chǔ)。

伴隨全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)東移，加上我國(guó)持續(xù)增長(zhǎng)的下游需求和政策支持力度。同時(shí)，國(guó)內(nèi)晶圓廠進(jìn)入投產(chǎn)高峰期，由于半導(dǎo)體光刻膠與下游晶圓廠具有伴生性特點(diǎn)，國(guó)內(nèi)光刻膠廠商將直接受益于晶圓廠制造產(chǎn)能的大幅擴(kuò)張。當(dāng)前我國(guó)高端光刻膠與全球先進(jìn)水平有近40年的差距，半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化的大趨勢(shì)下，國(guó)內(nèi)企業(yè)有望逐步突破與國(guó)內(nèi)集成電路制造工藝相匹配的光刻膠，所以我們必須要對(duì)光刻膠足夠的重視，不斷向日本和歐美等發(fā)達(dá)國(guó)家學(xué)習(xí)，努力開(kāi)發(fā)出性能優(yōu)異的國(guó)產(chǎn)光刻膠，使我國(guó)在未來(lái)的市場(chǎng)中占據(jù)一席之地。

參考資料

1. 證券時(shí)報(bào)網(wǎng)，《填補(bǔ)空白！EUV光刻膠標(biāo)準(zhǔn)立項(xiàng)，技術(shù)突破好消息不斷（附股）》，2025年

2. 新材料在線，《光刻膠》

3. 中國(guó)科學(xué)院深圳先進(jìn)技術(shù)研究院大型儀器共享平臺(tái)，《光刻工藝簡(jiǎn)要流程介紹》，2025年

4. 中商情報(bào)網(wǎng)，《2025年中國(guó)光刻膠行業(yè)企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力排名》，2025年

5. 36氪，《中國(guó)光刻膠，如何突圍？》，2025年

6. 雪球，《2025當(dāng)下，全球高端光刻膠市場(chǎng)被日本企業(yè)壟斷93%份額》，2025年

7. 英語(yǔ)詞典，《固體光刻膠》

8. OFweek光刻膠網(wǎng)，《一文看懂光刻膠技術(shù)發(fā)展史》，2021年

9. 應(yīng)用化學(xué)，《g-線/i-線光刻膠研究進(jìn)展》，2021年

10. 科普中國(guó)，《光刻》，2021年

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