NTC熱敏芯片鍵合工藝

隨著半導(dǎo)體技術(shù)的持續(xù)創(chuàng)新及進(jìn)步，NTC熱敏芯片鍵合工藝也不斷發(fā)展。目前，芯片鍵合工藝為順應(yīng)行業(yè)發(fā)展需求，正逐步往高度集成、低功耗、高可靠的方向前進(jìn)。為了讓大家更充分地了解NTC芯片鍵合工藝，EXSENSE為大家介紹一些熱敏芯片鍵合工藝：

一、回流焊

該焊接工藝的焊料一般為錫膏或錫片，主要通過回流溫度曲線使焊料熔接NTC熱敏芯片和基板。一般地，錫膏及錫片都含有助焊劑，也有客戶會根據(jù)實(shí)際情況額外涂覆助焊劑幫助焊接。回流焊工藝既可在空氣中焊接，也可在氮?dú)庵泻附?，甚至還有在還原氣氛（如氫氣、甲酸等）中焊接。因NTC芯片包含陶瓷體在內(nèi)的部分組成為氧化物，因此在還原氣氛中焊接需要注意起對NTC芯片的損傷程度。

回流焊工藝生產(chǎn)效率高、工藝簡單，被廣泛使用于電子集成行業(yè)。尤其是IGBT行業(yè)，其目前仍是主流的芯片鍵合工藝。不同的客戶其回流焊工藝亦有所不同，但總體還是分為預(yù)熱—焊接—冷卻三個階段。使用回流焊工藝，需注意以下幾點(diǎn)：

1、回流焊焊接時間過長容易導(dǎo)致NTC熱敏芯片的電極析出（吃銀），其不良表現(xiàn)為電阻值增大；

2、回流溫度曲線的溫度上升/下降速率過快時，所形成的較強(qiáng)溫度沖擊會導(dǎo)致熱敏芯片開裂，其不良表現(xiàn)為電阻值增大；

3、錫膏或錫片過多會導(dǎo)致NTC芯片側(cè)面形成旁路，其不良表現(xiàn)為電阻值減小。

二、銀膠/銀膏固化

該焊接工藝主要通過導(dǎo)電銀膠/銀膏內(nèi)部的兩個主要組成部分——導(dǎo)電填料（導(dǎo)電粒子）及基體樹脂的相互結(jié)合，從而形成導(dǎo)電通路以實(shí)現(xiàn)NTC熱敏芯片與基板的導(dǎo)電連接。因?qū)щ娿y膠/銀膏主要依靠內(nèi)部基體樹脂進(jìn)行固化，故其固化溫度不會過高，常見的溫度為100℃、150℃。使用銀膠/銀膏固化工藝，需注意以下幾點(diǎn)：

1、導(dǎo)電銀膠/銀膏溢出過多，沾到熱敏芯片的側(cè)面陶瓷體會導(dǎo)致電阻值減?。?/p>

2、導(dǎo)電銀膠/銀膏中的環(huán)氧樹脂屬于高分子材料，高溫會讓其變性并劣化NTC芯片，導(dǎo)致電阻值漂移增大。

三、銀燒結(jié)

該焊接工藝主要是將銀顆粒制成納米級別并加壓，使其在較低溫度中燒結(jié)成為高導(dǎo)電性的固體。要保證燒結(jié)致密性，需一定的溫度及壓強(qiáng)，一般壓強(qiáng)為15~20MPa，溫度一般為250~300℃，而燒結(jié)氣氛多為真空或氮?dú)?。因銀燒結(jié)需施加較大壓力，因此對于NTC熱敏芯片的平整度要求、抗壓能力要求較高。