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深入解析FDMS8023S N-Channel PowerTrench? SyncFETTM

lhl545545 ? 2026-04-16 09:45 ? 次閱讀
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深入解析FDMS8023S N-Channel PowerTrench? SyncFETTM

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域,功率轉(zhuǎn)換器件的性能對(duì)于整個(gè)系統(tǒng)的效率和穩(wěn)定性起著至關(guān)重要的作用。今天我們來(lái)詳細(xì)探討一下Fairchild(現(xiàn)屬ON Semiconductor)的FDMS8023S N-Channel PowerTrench? SyncFETTM,看看它在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中能為我們帶來(lái)哪些優(yōu)勢(shì)。

文件下載:FDMS8023S-D.pdf

產(chǎn)品背景與命名規(guī)則變更

Fairchild已成為ON Semiconductor的一部分。由于ON Semiconductor產(chǎn)品管理系統(tǒng)無(wú)法處理帶有下劃線(_)的部件命名,F(xiàn)airchild部件編號(hào)中的下劃線將改為破折號(hào)( - )。如果你在文檔中看到帶有下劃線的器件編號(hào),可前往ON Semiconductor網(wǎng)站核實(shí)更新后的編號(hào)。

產(chǎn)品概述

FDMS8023S是一款N溝道功率溝槽同步場(chǎng)效應(yīng)晶體管(SyncFET),專為降低功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的損耗而設(shè)計(jì)。它結(jié)合了先進(jìn)的硅和封裝技術(shù),在保持出色開(kāi)關(guān)性能的同時(shí),實(shí)現(xiàn)了極低的導(dǎo)通電阻 (r_{DS(on)}),并且還具有高效的單片肖特基二極管。

產(chǎn)品特性

低導(dǎo)通電阻

  • 在 (V{GS}=10 V),(I{D}=26 A) 時(shí),最大 (r_{DS(on)}=2.4 mΩ);
  • 在 (V{GS}=4.5 V),(I{D}=23 A) 時(shí),最大 (r_{DS(on)}=3.0 mΩ)。 這種低導(dǎo)通電阻有助于減少功率損耗,提高系統(tǒng)效率。

先進(jìn)的封裝與硅技術(shù)組合

采用先進(jìn)的封裝和硅技術(shù),實(shí)現(xiàn)了低 (r_{DS(on)}) 和高效率,同時(shí)還具備SyncFET肖特基體二極管,提升了器件的性能。

高可靠性

  • MSL1穩(wěn)健的封裝設(shè)計(jì),增強(qiáng)了器件的可靠性;
  • 100% UIL測(cè)試,確保了器件在各種應(yīng)用中的穩(wěn)定性;
  • 符合RoHS標(biāo)準(zhǔn),環(huán)保且滿足相關(guān)法規(guī)要求。

應(yīng)用領(lǐng)域

  • 同步整流:用于DC/DC轉(zhuǎn)換器,提高轉(zhuǎn)換效率。
  • 筆記本電腦:作為Vcore/GPU的低端開(kāi)關(guān),為電腦提供穩(wěn)定的電源。
  • 網(wǎng)絡(luò)負(fù)載點(diǎn):作為低端開(kāi)關(guān),滿足網(wǎng)絡(luò)設(shè)備的電源需求。
  • 電信二次側(cè)整流:在電信設(shè)備中實(shí)現(xiàn)高效的整流功能。

電氣特性

最大額定值

符號(hào) 參數(shù) 額定值 單位
(V_{DS}) 漏源電壓 30 V
(V_{GS}) 柵源電壓 ±20 V
(I_{D}) 漏極電流 - 連續(xù)(封裝限制) (T_{C}=25^{circ}C) 49 A
(I_{D}) 漏極電流 - 連續(xù)(硅限制) (T_{C}=25^{circ}C) 128 A
(I_{D}) 漏極電流 - 連續(xù) (T_{A}=25^{circ}C) 26 A
(I_{D}) 漏極電流 - 脈沖 100 A
(E_{AS}) 單脈沖雪崩能量 86 mJ
(P_{D}) 功率耗散 (T_{C}=25^{circ}C) 59 W
(P_{D}) 功率耗散 (T_{A}=25^{circ}C) 2.5 W
(T{J}, T{STG}) 工作和存儲(chǔ)結(jié)溫范圍 -55 至 +150 °C

熱特性

符號(hào) 參數(shù) 數(shù)值 單位
(R_{theta JC}) 結(jié)到外殼的熱阻 2.1 °C/W
(R_{theta JA}) 結(jié)到環(huán)境的熱阻 50 °C/W

電氣參數(shù)

包括關(guān)斷特性、導(dǎo)通特性、動(dòng)態(tài)特性、開(kāi)關(guān)特性和漏源二極管特性等,這些參數(shù)詳細(xì)描述了器件在不同工作條件下的性能。例如,在 (V{GS}=10 V),(I{D}=26 A) 時(shí),靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 (r_{DS(on)}) 為 2.0 - 2.4 mΩ。

典型特性曲線

文檔中提供了一系列典型特性曲線,直觀地展示了器件在不同條件下的性能表現(xiàn)。例如,導(dǎo)通區(qū)域特性曲線展示了不同柵源電壓下漏極電流與漏源電壓的關(guān)系;歸一化導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵源電壓的關(guān)系曲線,有助于我們了解器件在不同工作條件下的導(dǎo)通電阻變化情況。

封裝信息

FDMS8023S采用Power 56封裝,具體的封裝尺寸和引腳布局在文檔中有詳細(xì)說(shuō)明。同時(shí),還提供了封裝標(biāo)記和訂購(gòu)信息,方便工程師進(jìn)行采購(gòu)和使用。

注意事項(xiàng)

  • ON Semiconductor保留對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行更改的權(quán)利,且不另行通知。
  • 產(chǎn)品不適合用于生命支持系統(tǒng)、FDA Class 3醫(yī)療設(shè)備或類似分類的醫(yī)療設(shè)備,以及人體植入設(shè)備。如果購(gòu)買(mǎi)或使用產(chǎn)品用于此類非預(yù)期或未授權(quán)的應(yīng)用,買(mǎi)家需承擔(dān)相應(yīng)責(zé)任。
  • “典型”參數(shù)在不同應(yīng)用中可能會(huì)有所變化,實(shí)際性能也可能隨時(shí)間而變化,所有工作參數(shù)都需要由客戶的技術(shù)專家進(jìn)行驗(yàn)證。

總的來(lái)說(shuō),F(xiàn)DMS8023S是一款性能出色的功率轉(zhuǎn)換器件,在降低功率損耗、提高系統(tǒng)效率方面具有顯著優(yōu)勢(shì)。工程師在設(shè)計(jì)時(shí)可以根據(jù)具體的應(yīng)用需求,結(jié)合器件的特性和參數(shù),合理選擇和使用該器件。你在使用類似器件時(shí)遇到過(guò)哪些問(wèn)題呢?歡迎在評(píng)論區(qū)分享你的經(jīng)驗(yàn)和見(jiàn)解。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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