深入解析FDMS86310 N-Channel PowerTrench? MOSFET

一、前言

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET 作為關(guān)鍵的功率器件，對(duì)電路性能起著至關(guān)重要的作用。今天，我們將深入探討 ON Semiconductor 的 FDMS86310 N - Channel PowerTrench? MOSFET，了解其特性、參數(shù)及應(yīng)用，為電子工程師們?cè)趯?shí)際設(shè)計(jì)中提供參考。

文件下載：FDMS86310-D.pdf

二、品牌整合與注意事項(xiàng)

Fairchild 已成為 ON Semiconductor 的一部分。由于系統(tǒng)要求，部分 Fairchild 可訂購(gòu)的零件編號(hào)需要更改，原編號(hào)中的下劃線（_）將改為破折號(hào)（-）。大家可通過(guò) ON Semiconductor 網(wǎng)站（www.onsemi.com）驗(yàn)證更新后的器件編號(hào)。若對(duì)系統(tǒng)集成有疑問(wèn)，可發(fā)郵件至 Fairchild_questions@onsemi.com。

三、FDMS86310 MOSFET 特性

3.1 基本參數(shù)

FDMS86310 是一款 80 V、50 A、4.8 mΩ 的 N - Channel PowerTrench? MOSFET。在不同的柵源電壓和漏極電流條件下，其導(dǎo)通電阻表現(xiàn)如下：

• 在 (V{GS}=10 V)，(I{D}=17 A) 時(shí)，最大 (r_{DS(on)} = 4.8 mΩ)；
• 在 (V{GS}=8 V)，(I{D}=14 A) 時(shí)，最大 (r_{DS(on)} = 6.7 mΩ)。

3.2 技術(shù)優(yōu)勢(shì)

• 先進(jìn)封裝與硅片組合：實(shí)現(xiàn)了低 (r_{DS(on)}) 和高效率，有助于降低功率損耗，提高電路效率。
• 下一代增強(qiáng)型體二極管技術(shù)：經(jīng)過(guò)精心設(shè)計(jì)，具有軟恢復(fù)特性，可減少開關(guān)過(guò)程中的電壓尖峰和電磁干擾。
• MSL1 穩(wěn)健封裝設(shè)計(jì)：提高了器件的可靠性和穩(wěn)定性，適應(yīng)不同的工作環(huán)境。
• 100% UIL 測(cè)試：確保器件在非鉗位感性負(fù)載條件下的可靠性。
• RoHS 合規(guī)：符合環(huán)保要求，滿足綠色電子設(shè)計(jì)的需求。

四、應(yīng)用領(lǐng)域

FDMS86310 適用于多種應(yīng)用場(chǎng)景，包括：

• 初級(jí)開關(guān)：在電源電路中作為初級(jí)開關(guān)，控制電源的通斷，實(shí)現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換。
• 同步整流：提高電源的效率，減少能量損耗。
• 電機(jī)開關(guān)：用于控制電機(jī)的啟動(dòng)、停止和調(diào)速，實(shí)現(xiàn)電機(jī)的精確控制。

五、電氣參數(shù)

5.1 最大額定值

5.2 熱特性

5.3 電氣特性

• 關(guān)斷特性：包括漏源擊穿電壓 (BV{DSS})、擊穿電壓溫度系數(shù) (Delta BV{DSS}/Delta T{J})、零柵壓漏極電流 (I{DSS}) 和柵源泄漏電流 (I_{GSS}) 等參數(shù)。
• 導(dǎo)通特性：如柵源閾值電壓 (V{GS(th)})、柵源閾值電壓溫度系數(shù) (Delta V{GS(th)}/Delta T{J})、靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻 (r{DS(on)}) 和正向跨導(dǎo) (g_{FS}) 等。
• 動(dòng)態(tài)特性：涉及輸入電容 (C{iss})、輸出電容 (C{oss})、反向傳輸電容 (C{rss}) 和柵極電阻 (R{g}) 等。
• 開關(guān)特性：包含導(dǎo)通延遲時(shí)間 (t{d(on)})、上升時(shí)間 (t{r})、關(guān)斷延遲時(shí)間 (t{d(off)})、下降時(shí)間 (t{f})、總柵極電荷 (Q{g})、柵源電荷 (Q{gs}) 和柵漏“米勒”電荷 (Q_{gd}) 等。
• 漏源二極管特性：有源漏二極管正向電壓 (V{SD})、反向恢復(fù)時(shí)間 (t{rr}) 和反向恢復(fù)電荷 (Q_{rr}) 等參數(shù)。

六、典型特性曲線

文檔中給出了多個(gè)典型特性曲線，直觀地展示了該 MOSFET 在不同條件下的性能表現(xiàn)，例如：

• 導(dǎo)通區(qū)域特性曲線：展示了不同柵源電壓下，漏極電流與漏源電壓的關(guān)系。
• 歸一化導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵源電壓的關(guān)系曲線：有助于工程師了解導(dǎo)通電阻在不同工作條件下的變化情況。
• 歸一化導(dǎo)通電阻與結(jié)溫的關(guān)系曲線：反映了結(jié)溫對(duì)導(dǎo)通電阻的影響。

七、封裝與訂購(gòu)信息

八、總結(jié)與思考

FDMS86310 N - Channel PowerTrench? MOSFET 憑借其低導(dǎo)通電阻、高效率、先進(jìn)的封裝和技術(shù)等優(yōu)勢(shì)，在電源、電機(jī)控制等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。電子工程師們?cè)趯?shí)際設(shè)計(jì)中，需要根據(jù)具體的應(yīng)用需求，結(jié)合該器件的電氣參數(shù)和典型特性曲線，合理選擇和使用該 MOSFET。同時(shí)，要注意 ON Semiconductor 關(guān)于零件編號(hào)更改和產(chǎn)品使用的相關(guān)說(shuō)明，確保設(shè)計(jì)的可靠性和合規(guī)性。大家在使用這款 MOSFET 時(shí)，有沒有遇到過(guò)什么問(wèn)題或者有什么獨(dú)特的應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)?zāi)?？歡迎在評(píng)論區(qū)分享交流。