深入解析FDMS86202 N-Channel Shielded Gate PowerTrench? MOSFET
深入解析FDMS86202 N-Channel Shielded Gate PowerTrench? MOSFET
在電子工程領域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導體場效應晶體管）是一種至關重要的電子元件，廣泛應用于各種電路設計中。今天，我們將深入探討Fairchild（現(xiàn)屬ON Semiconductor）的FDMS86202 N-Channel Shielded Gate PowerTrench? MOSFET，了解它的特點、性能參數(shù)以及應用場景。
文件下載：FDMS86202-D.pdf
1. 公司背景與產(chǎn)品編號變更
Fairchild已成為ON Semiconductor的一部分。由于系統(tǒng)要求，部分Fairchild可訂購的產(chǎn)品編號需要更改，原編號中的下劃線（_）將改為破折號（-）。大家可訪問ON Semiconductor的網(wǎng)站（www.onsemi.com）核實更新后的設備編號。若對系統(tǒng)集成有疑問，可發(fā)郵件至Fairchild_questions@onsemi.com。
2. FDMS86202 MOSFET的特點
2.1 先進技術
FDMS86202采用了Shielded Gate MOSFET技術，結合了先進的PowerTrench?工藝。這種工藝在優(yōu)化導通電阻的同時，還能保持出色的開關性能。
2.2 低導通電阻與高效率
在 (V{GS}=10 V)，(I{D}=13.5 A) 時，最大 (r{DS(on)}=7.2 mΩ)；在 (V{GS}=6 V)，(I{D}=11.5 A) 時，最大 (r{DS(on)}=10.3 mΩ)。先進的封裝和硅片組合，實現(xiàn)了低導通電阻和高效率。
2.3 穩(wěn)健的封裝設計
采用MSL1穩(wěn)健封裝設計，并且經(jīng)過100% UIL測試，符合RoHS標準。
3. 應用場景
FDMS86202適用于DC - DC轉(zhuǎn)換電路。在這種電路中，其低導通電阻和良好的開關性能能夠有效提高轉(zhuǎn)換效率，減少能量損耗。
4. 產(chǎn)品參數(shù)
4.1 最大額定值
| Symbol | Parameter | Ratings | Units |
|---|---|---|---|
| (V_{DS}) | Drain to Source Voltage | 120 | V |
| (V_{GS}) | Gate to Source Voltage | ±20 | V |
| (I_{D}) | Drain Current - Continuous ((T_{C} = 25 °C)) | 64 | A |
| (I_{D}) | Drain Current - Continuous ((T_{A} = 25 °C)) | 13.5 | A |
| (I_{D}) | Drain Current - Pulsed | 240 | A |
| (E_{AS}) | Single Pulse Avalanche Energy | 600 | mJ |
| (P_{D}) | Power Dissipation ((T_{C} = 25 °C)) | 156 | W |
| (P_{D}) | Power Dissipation ((T_{A} = 25 °C)) | 2.7 | W |
| (T{J}, T{STG}) | Operating and Storage Junction Temperature Range | -55 to +150 | °C |
4.2 熱特性
| (R_{θJC}) | Thermal Resistance, Junction to Case | 0.8 | °C/W |
|---|---|---|---|
| (R_{θJA}) | Thermal Resistance, Junction to Ambient | 45 | °C/W |
4.3 電氣特性
4.3.1 關斷特性
| (BV_{DSS}) | Drain to Source Breakdown Voltage | 120 | V |
|---|---|---|---|
| (frac{Delta BV{DSS}}{Delta T{J}}) | Breakdown Voltage Temperature Coefficient | 103 | mV/°C |
| (I_{DSS}) | Zero Gate Voltage Drain Current | 1 | μA |
| (I_{GSS}) | Gate to Source Leakage Current | ±100 | nA |
4.3.2 導通特性
| (V_{GS(th)}) | Gate to Source Threshold Voltage | 2.0 - 4.0 | V |
|---|---|---|---|
| (frac{Delta V{GS(th)}}{Delta T{J}}) | Gate to Source Threshold Voltage Temperature Coefficient | -10 | mV/°C |
| (r_{DS(on)}) | Static Drain to Source On Resistance | 6.0 - 13.2 | mΩ |
| (g_{FS}) | Forward Transconductance | 44 | S |
4.3.3 動態(tài)特性
| (C_{iss}) | Input Capacitance | 3195 - 4250 | pF |
|---|---|---|---|
| (C_{oss}) | Output Capacitance | 449 - 600 | pF |
| (C_{rss}) | Reverse Transfer Capacitance | 17 - 30 | pF |
| (R_{g}) | Gate Resistance | 0.1 - 2.7 | Ω |
4.3.4 開關特性
| (t_{d(on)}) | Turn - On Delay Time | 21 | ns |
|---|---|---|---|
| (t_{r}) | Rise Time | 13 | ns |
| (t_{d(off)}) | Turn - Off Delay Time | 44 | ns |
| (t_{f}) | Fall Time | 11 | ns |
| (Q_{g}) | Total Gate Charge | 33 - 64 | nC |
4.3.5 漏源二極管特性
| (V_{SD}) | Source to Drain Diode Forward Voltage | 0.69 - 1.3 | V |
|---|---|---|---|
| (t_{rr}) | Reverse Recovery Time | 73 - 118 | ns |
| (Q_{rr}) | Reverse Recovery Charge | 117 - 187 | nC |
5. 典型特性曲線
文檔中給出了多個典型特性曲線，這些曲線直觀地展示了FDMS86202在不同條件下的性能表現(xiàn)。例如，導通區(qū)域特性曲線展示了不同 (V{GS}) 下，漏極電流 (I{D}) 與漏源電壓 (V_{DS}) 的關系；歸一化導通電阻與漏極電流和柵極電壓的關系曲線，有助于工程師了解導通電阻在不同工作條件下的變化情況。
6. 封裝標記與訂購信息
| Device Marking | Device | Package | Reel Size | Tape Width | Quantity |
|---|---|---|---|---|---|
| FDMS86202 | FDMS86202 | Power 56 | 13 ’’ | 12 mm | 3000 units |
7. 注意事項
ON Semiconductor保留對產(chǎn)品進行更改的權利，且不承擔產(chǎn)品用于特定目的的適用性保證，也不承擔因產(chǎn)品應用或使用產(chǎn)生的任何責任。同時，該產(chǎn)品不適合用于生命支持系統(tǒng)、FDA Class 3醫(yī)療設備等特定應用。
作為電子工程師，在選擇和使用FDMS86202 MOSFET時，我們需要充分了解其特點和性能參數(shù)，結合具體的應用場景進行合理設計。大家在實際應用中遇到過哪些與MOSFET相關的問題呢？歡迎在評論區(qū)分享交流。
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