2026年3月31日，斯達半導（603290）發(fā)布2025年度業(yè)績快報，全年實現(xiàn)營業(yè)收入40.12億元，同比增長18.34%；然而，歸母凈利潤卻同比下降20.2%至4.05億元。這一“增收不增利”的背后，是公司對技術研發(fā)的持續(xù)高投入——2025年，斯達半導研發(fā)費用同比增加1.27億元，同比增長35.94%。2024年，斯達半導的研發(fā)費為3.54億元，較2023年同期增長23.27%。成為影響利潤的核心因素。

研發(fā)驅動：下一代IGBT與寬禁帶材料雙線突破

斯達半導的研發(fā)重心聚焦于兩大方向：下一代IGBT技術迭代與寬禁帶半導體（SiC/GaN）產業(yè)化。

1. IGBT技術升級：公司重點推進基于第七代微溝槽Trench Field Stop技術的1200V/750V車規(guī)級IGBT模塊研發(fā)，相關產品已批量應用于800V高壓電動車平臺，并新增多個主電機控制器項目定點。此外，針對工業(yè)控制與電源領域，公司開發(fā)出高可靠性、低損耗的IGBT單管，覆蓋戶用光伏到大型儲能全場景。
2. SiC/GaN布局加速：2025年，斯達半導1200V SiC MOSFET模塊通過車規(guī)級認證，并進入比亞迪、長安汽車等頭部車企供應鏈；GaN功率芯片在數(shù)據(jù)中心電源、AI服務器等領域實現(xiàn)小批量供貨，技術指標達到國際先進水平。公司同步推進6英寸SiC芯片產線建設，預計2026年產能將達6萬片/年，滿足新能源汽車與光伏逆變器需求。
3. 生態(tài)協(xié)同創(chuàng)新：斯達半導將驅動IC、工業(yè)級/車規(guī)級MCU芯片與功率模塊深度融合，推出集成化智能功率解決方案。例如，其車規(guī)級MCU芯片已與IGBT模塊形成協(xié)同設計，顯著提升電機控制器能效與可靠性。

戰(zhàn)略布局：新興市場與全球化雙輪并進

在技術突破的同時，斯達半導通過市場拓展與產能擴張鞏固行業(yè)地位：

1. 新興領域爆發(fā)增長：
   • 新能源汽車：作為全球第五大、中國第一大IGBT模塊供應商，斯達半導2025年車規(guī)級產品出貨量同比增長超30%，配套車型覆蓋A級轎車到高端SUV，并拓展至電子助力轉向、車載空調等輔助系統(tǒng)。
   • 新能源發(fā)電：公司IGBT模塊在地面光伏電站、大型儲能項目中的市占率提升至25%，并首次進入北美市場，實現(xiàn)海外營收同比增長40%。
   • AI與機器人：針對數(shù)據(jù)中心高功率密度需求，斯達半導推出定制化SiC模塊，已通過英偉達、浪潮信息認證；工業(yè)機器人領域，其高開關頻率IGBT模塊成為埃斯頓、匯川技術等企業(yè)的首選。
2. 全球化產能布局：
   • 國內方面，公司太原工廠300mm硅片產能達85萬片/月，支撐高端IGBT芯片自給；晉科硅材料通過多家客戶體系認證，為SiC模塊量產奠定基礎。
   • 海外方面，斯達半導在歐洲設立研發(fā)中心，貼近大眾、寶馬等客戶需求；東南亞生產基地進入試產階段，規(guī)避貿易壁壘風險。
3. 供應鏈韌性提升：
   面對原材料成本上漲壓力，斯達半導通過與中芯國際、華虹集團等晶圓廠建立聯(lián)合研發(fā)機制，保障產能供應；同時與上游硅料企業(yè)簽訂長期協(xié)議，平抑價格波動影響。