功率器件
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Wolfspeed成功制造出單晶300mm碳化硅晶圓
球碳化硅技術引領者 Wolfspeed, Inc. (美國紐約證券交易所上市代碼: WOLF) 今日宣布了一項重大行業(yè)里程碑：成功制造出單晶 300 mm（12英寸）碳化硅晶圓。憑借著業(yè)內最為龐大、最具基礎性的碳化硅...
AI數(shù)據(jù)中心需求爆發(fā)、車用疲軟！三大國際功率半導體廠商Q3業(yè)績分化
截止11月12日，國際功率半導體三家大廠陸續(xù)發(fā)布2025年第三季度財報，英飛凌、意法半導體和安森美。當前功率半導體市場發(fā)生了怎樣的變化？哪些業(yè)務有明顯改善？大廠如何看未來的走勢？本...
analog devices方案：在LTspice仿真中使用GaN FET模型
近年來，工業(yè)電源市場對氮化鎵(GaN) FET和碳化硅(SiC) FET等高帶隙器件的興趣日益濃厚。GaN器件憑借顯著降低的電荷特性，能夠在較高開關頻率下實現(xiàn)高功率密度，而MOSFET在相同條件下運行時會產(chǎn)...
面向AI服務器總線 圣邦微電子推出 85V、16 位、帶 I2C 接口的高精度功率監(jiān)控器
圣邦微電子推出面向 AI 服務器總線的功率監(jiān)控器 SGM838，一款具有報警功能的 85V、16 位、帶 I2C 兼容接口的高精度功率監(jiān)控器。 除 48V AI 服務器外，器件適用范圍還包括：企業(yè)級服務器、電信設...
2025-09-04 標簽：圣邦微電子AI服務器AI服務器圣邦微電子高精度功率監(jiān)控 42438
華為海思入局碳化硅！推出1200V工規(guī)級SiC單管
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 最近海思半導體在官網(wǎng)上架了兩款工規(guī)1200V SiC MOSFET單管產(chǎn)品，ASO1K2H020M1T4和ASO1K2H035M1T4，導通電阻分別為20mΩ和35mΩ。海思表示，兩款SiC單管器件憑借優(yōu)良的導通特性，快...
納微車規(guī)級第三代“快速”碳化硅MOSFET助力Brightloop打造氫燃料電池充電器
GeneSiC MOSFET技術為燃料電池和重型運輸領域的高壓大功率‘多變換器’賦予無與倫比的功率密度 日前；納微半導體宣布與法國知名電力電子制造商——Brightloop達成合作： 納微的車規(guī)級第三代“...
納微半導體GaNSafe?氮化鎵功率芯片正式通過車規(guī)認證
? 納微高功率GaNSafe氮化鎵功率芯片已達到電動汽車所需的量產(chǎn)表現(xiàn)，可為車載充電機（OBC）和高壓轉低壓的DC-DC變換器解鎖前所未有的功率密度和效率表現(xiàn) 加利福尼亞州托倫斯 2025年4月15日訊—...
意法半導體：推進8英寸SiC戰(zhàn)略，引領行業(yè)規(guī)?；l(fā)展
???????? ? ??文章來源：行家說三代半 ? ??作者：行家說-許若冰 ? ? 回顧2024年，碳化硅和氮化鎵行業(yè)在多個領域取得了顯著進步，并經(jīng)歷了重要的變化。展望2025年，行業(yè)也將面...
兆易創(chuàng)新與納微半導體達成戰(zhàn)略合作 高算力MCU+第三代功率半導體的數(shù)字電源解
? ? ? 今日，兆易創(chuàng)新宣布與納微半導體正式達成戰(zhàn)略合作！雙方將強強聯(lián)合，通過將兆易創(chuàng)新先進的高算力MCU產(chǎn)品和納微半導體高頻、高速、高集成度的氮化鎵技術進行優(yōu)勢整合，打造智能、...
2025-04-08 標簽：mcu功率半導體兆易創(chuàng)新納微半導體第三代半導體 4007
意法半導體與英諾賽科簽署氮化鎵技術開發(fā)與制造協(xié)議 借力雙方制造產(chǎn)能
??雙方簽署氮化鎵（GaN）技術聯(lián)合開發(fā)協(xié)議，致力于為AI數(shù)據(jù)中心、可再生能源發(fā)電與存儲、汽車等領域打造面向未來的功率電子技術。 ??英諾賽科可借助意法半導體在歐洲的制造產(chǎn)能，意...
第三代功率半導體廠商納微半導體榮獲領益智造“金石供應商”稱號
? 日前，廣東領益智造股份有限公司（簡稱“領益智造”）2025年供應商大會于廣東深圳領益大廈成功召開。納微達斯（無錫）半導體有限公司（簡稱“納微半導體”）憑借領先的第三代功率半...
氮化鎵系統(tǒng) (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
氮化鎵系統(tǒng) (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案...
CGD 獲得3,200萬美元融資，以推動在全球功率半導體領域的增長
2025 年 2 月 19 日 英國劍橋 - 氮化鎵（GaN）功率器件的領先創(chuàng)新者 Cambridge GaN Devices (CGD) 已成功完成3,200萬美元的C輪融資。該投資由一位戰(zhàn)略投資者牽頭、英國耐心資本參與，并獲得了現(xiàn)有投資者...
2025-02-19 標簽：CGD 371
英飛凌達成200mm碳化硅(SiC)新里程碑：開始交付首批產(chǎn)品
2月18日，英飛凌科技股份公司在200 mm SiC產(chǎn)品路線圖上取得重大進展。公司將于2025年第一季度向客戶提供首批基于先進的200 mm SiC技術的產(chǎn)品。這些產(chǎn)品在位于奧地利菲拉赫的生產(chǎn)基地制造，將為...
第四代半導體新進展：4英寸氧化鎵單晶導電型摻雜
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 最近氧化鎵領域又有了新的進展。今年1月，鎵仁半導體宣布基于自主研發(fā)的氧化鎵專用晶體生長設備進行工藝優(yōu)化，采用垂直布里奇曼（VB）法成功實現(xiàn)4英寸氧化鎵單晶...
2025-02-17 標簽：氧化鎵 1387
低降電壓變換器如何判斷好壞呢
在電子系統(tǒng)設計中，低降電壓變換器（Low-Dropout Regulator, LDO）扮演著至關重要的角色。它們能夠在輸入電壓接近輸出電壓的微小壓差下，提供穩(wěn)定且干凈的輸出電壓，這對于許多精密電子設備而...
2025-01-30 標簽：ldo變換器電子系統(tǒng)設計 4481
低降電壓變換器的作用，降低變壓器輸出電壓的方法
在電力電子領域，低降電壓變換器（Low-Voltage Dropout Regulator, LDO）和變壓器輸出電壓的調節(jié)是兩項至關重要的技術。本文旨在深入探討低降電壓變換器的作用，以及降低變壓器輸出電壓的多種方...
聞泰科技榮獲“2023年中國半導體行業(yè)功率器件十強企業(yè)”
7月23日至24日，第十八屆中國半導體協(xié)會半導體分立器件年會暨2024年中國半導體器件技術創(chuàng)新及產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇在四川成都盛大召開。本次大會期間，聞泰科技憑借在半導體功率器件領域的卓越表...
PMOS管如何作開關使用
PMOS管常作開關使用，如果負載是較大的容性負載，則在PMOS管開通瞬間，造成前級電源電壓跌落。如下面的示例： 圖1 PMOS作電源開關，開通瞬間前級電源電壓跌落 現(xiàn)象描述： PMOS管打開時，會使...
2024-06-04 標簽：串聯(lián)電阻電流電源電壓PMOS管 11988
鈞敏科技三相全橋智能功率模塊（IPM）-CS5755MTP/CS5755MTO解讀
? ? 三相全橋智能功率模塊（IPM） CS5755MTP/CS5755MTO ? 產(chǎn)品概述 ? CS5755MT 是一款高度集成、高可靠性的三相無刷直流電機驅動電路，主要應用于較低功率電機驅動，如風扇電機。 其內置了6 個快...
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