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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>IGBT/功率器件>

IGBT/功率器件

電子發(fā)燒友網(wǎng)IGBT/功率器件欄目提供igbt器件,功率器件,功率半導體器件,功率開關器件,igbt功率模塊,igbt功率管,大功率igbt驅(qū)動,大功率igbt等IGBT/功率器件設計所需的所有最新行業(yè)新聞、產(chǎn)品信息及技術(shù)熱點方案及介紹。

面向大功率家電,ST推出第二代IH系列1600V IGBT

電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 最近,意法半導體推出了一款面向大功率家電應用的第二代IH系列1600V IGBT STGWA30IH160DF2,該器件兼具1600 V的額定擊穿電壓、優(yōu)異的熱性能和軟開關拓撲高效運行等優(yōu)勢,特...

2025-07-28 標簽:STIGBT 895

TO-252封裝N溝道MOSFET,智能機器人領域的首選器件

TO-252封裝N溝道MOSFET,智能機器人領域的首選器件

從工廠流水線到家庭服務,人形機器人正掀起新一輪革命。但無論是奔跑跳躍的關節(jié)電機,還是精準避障的傳感器,背后都離不開最基礎的“隱形功臣”——二極管、三極管、MOS管。這些看似簡...

2025-03-14 標簽:MOSFETN溝道智能機器人 1197

功率器件熱設計基礎(十三)——使用熱系數(shù)Ψth(j-top)獲取結(jié)溫信息

功率器件熱設計基礎(十三)——使用熱系數(shù)Ψth(j-top)獲取結(jié)溫信息

/前言/功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎,只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識,才能完成精確熱設計,提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。...

2025-01-20 標簽:驅(qū)動器功率器件熱設計 1446

IGBT雙脈沖實驗說明

IGBT雙脈沖實驗說明

IGBT雙脈沖實驗 1.1 IGBT雙脈沖實驗目的 1、通過實驗獲取IGBT驅(qū)動板及IGBT模塊的主要動態(tài)參數(shù),如延時、上升、下降時間、開關損耗等; 2、通過實驗獲得功率組件設計中濾波電容、吸收電容、復...

2025-01-27 標簽:脈沖IGBT 1353

MOSFET規(guī)格書中單脈沖雪崩能量EAS如何理解?電路設計咋用它計算MOS會損壞嗎?

MOSFET規(guī)格書中單脈沖雪崩能量EAS如何理解?電路設計咋用它計算MOS會損壞嗎?

單脈沖雪崩能量簡稱是EAS,這一參數(shù)是描述MOSFET在雪崩模式下能承受的能量極限的參數(shù),我們一般在電路設計中拿這個參數(shù)來評估MOSFET 的瞬態(tài)過壓耐受能力,進而來評估器件在異常瞬態(tài)過壓情...

2024-11-25 標簽:MOSFET電路設計MOSEAS 6130

專訪博世半導體高管:8英寸SiC產(chǎn)線良率高,用SiC創(chuàng)新應對價格戰(zhàn)

專訪博世半導體高管:8英寸SiC產(chǎn)線良率高,用SiC創(chuàng)新應對價格戰(zhàn)

博世半導體在中國的策略是怎樣的?在8英寸碳化硅的布局和量產(chǎn)節(jié)奏如何?在此次展會上,博世半導體在碳化硅領域帶來的旗艦產(chǎn)品有哪些優(yōu)勢?和本土供應商對比,博世半導體最大的優(yōu)勢是...

2024-09-23 標簽:SiC功率模塊博世pcimpcimSiC功率模塊博世 3778

聚焦綠色能源四大細分市場,英飛凌SiC和GaN新品亮相PCIM展會

聚焦綠色能源四大細分市場,英飛凌SiC和GaN新品亮相PCIM展會

在PCIM Asia展上,英飛凌展示了廣泛的硅(Si)、碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率電子產(chǎn)品組合,其中多款應用于可再生能源、電動交通、智能家居的產(chǎn)品和解決方案首次亮相。電子發(fā)燒友記者...

2024-09-04 標簽:英飛凌SiCGaNpcim 4012

引領電動汽車革新,羅姆PCIM展重磅展出二合一SiC模塊

引領電動汽車革新,羅姆PCIM展重磅展出二合一SiC模塊

8月28日到30日,羅姆半導體亮相于深圳舉辦的 “2024深圳國際電力元件、可再生能源管理展覽會(以下簡稱PCIM Asia),在本次展會上,羅姆首次展出其今年最新發(fā)布的適用于車載引逆變器的新型...

2024-09-03 標簽:SiC功率模塊羅姆pcimpcimSiC功率模塊羅姆 6467

發(fā)力新能源汽車和儲能市場,威兆半導體推出新一代700V SiC MOSFET

發(fā)力新能源汽車和儲能市場,威兆半導體推出新一代700V SiC MOSFET

8月27日,在Elexcon2024深圳國際電子展上,威兆半導體正式發(fā)布了全新一代高性能碳化硅(SiC)MOSFET HCF2030MR70KH0,這款產(chǎn)品采用了緊湊高效的SOT-227封裝,專為追求能效與高可靠性的功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)而...

2024-09-02 標簽:新能源汽車MOSFETIGBTSiC儲能碳化硅威兆半導體 6793

功率系統(tǒng)中SiC MOSFET/Si IGBT柵極參數(shù)自動測試與計算新方案

功率系統(tǒng)中SiC MOSFET/Si IGBT柵極參數(shù)自動測試與計算新方案

柵極參數(shù)設計是通過理論計算或建模仿真,模擬器件的開關狀態(tài),掌握其動態(tài)特性。常用的仿真軟件有ANSYS和MATLAB等,其核心還是理論計算。...

2024-04-29 標簽:MOSFETIGBTemcSiC變流器 1809

深入解析三極管工作原理

深入解析三極管工作原理

統(tǒng)講法一般分三步,以NPN型為例(以下所有討論皆以NPN型硅管為例),如示意圖A。1.發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入電子;2.電子在基區(qū)的擴散與復合;3.集電區(qū)收集由基區(qū)擴散過來的電子?!?注1)...

2024-04-29 標簽:三極管二極管集電極光敏二極管NPN 1520

比亞迪e5高壓電控總成內(nèi)IGBT模塊技術(shù)分析

比亞迪e5高壓電控總成內(nèi)IGBT模塊技術(shù)分析

用9 V電池作為電源接至G11觸發(fā)上橋臂中的1號IGBT,用萬用表的二極管擋測量上橋臂“+”與“~”之間的導通性,顯示導通,壓降為0.379 V。...

2024-04-28 標簽:二極管原理圖萬用表比亞迪IGBT 1734

MOS管為什么還要考慮電流大小呢?

MOS管為什么還要考慮電流大小呢?

當MOS管驅(qū)動能力不足時,我們會使用推挽電路來放大電流,但是MOS管明明是壓控型器件,為什么要去考慮電流大小呢?...

2024-04-28 標簽:三極管電流MOS管驅(qū)動電路電源IC 2494

Tanner L-Edit在功率器件設計中的應用有哪些呢?

Tanner L-Edit在功率器件設計中的應用有哪些呢?

像GaN、SiC,、第三代半導體、車用功率器件等功率器件是處理高電壓、大電流的半導體分立器件,常用在電子電力系統(tǒng)中進行變壓、變頻、變流及功率管理等。...

2024-04-28 標簽:CMOS晶圓大電流功率器件 1160

探究內(nèi)阻較小的MOS管發(fā)熱之謎

探究內(nèi)阻較小的MOS管發(fā)熱之謎

這個主要是Drain加反偏電壓后,使得Drain/Bulk的PN結(jié)耗盡區(qū)延展,當耗盡區(qū)碰到Source的時候,那源漏之間就不需要開啟就形成了 通路,所以叫做穿通(punch through)。...

2024-04-28 標簽:二極管MOS管漏極電壓MOS管二極管內(nèi)阻漏極電壓電源反接 1297

MOSFET在開關電源中的作用

MOSFET在開關電源中的作用

MOSFET作為開關元件,在開關電源中需要頻繁地切換兩種狀態(tài):導通和截止,以控制電流的通斷。這種切換過程對于電源的穩(wěn)定輸出至關重要。...

2024-04-25 標簽:集成電路MOSFET開關電源穩(wěn)壓電源MOSFET開關電源電壓電源穩(wěn)壓電源集成電路 2589

如何選擇開關電源的MOSFET

如何選擇開關電源的MOSFET

DC/DC 開關控制器的 MOSFET 選擇是一個復雜的過程。僅僅考慮 MOSFET 的額定電壓和電流并不足以選擇到合適的 MOSFET。...

2024-04-25 標簽:MOSFET開關電源控制電路DCDC開關控制器 5558

普通三極管電路的步驟

普通三極管電路的步驟

三極管是晶體管的一種,三極管的三個極分別是基極(Base)、發(fā)射極(Emitter)、集電極(Collector)。...

2024-04-25 標簽:三極管MOS管晶體管數(shù)字電路 1070

高效大電流穩(wěn)壓器電路設計方案

高效大電流穩(wěn)壓器電路設計方案

LT1083穩(wěn)壓器(參見圖1中的符號和引腳排列)允許調(diào)整正電壓,并能高效地提供高達7.5 A的電流。內(nèi)部電路設計用于輸入和輸出之間以高達1 V的壓差工作。...

2024-04-25 標簽:二極管負載電流穩(wěn)壓器二極管低電流穩(wěn)壓器穩(wěn)壓器負載電流 1407

常用的MOS做電源開關的電路分享

常用的MOS做電源開關的電路分享

由于NMOS和PMOS在原理和生產(chǎn)工藝上存在差異,導致同價格的NMOS在開通速度、額定電流、導通內(nèi)阻這些參數(shù)上均優(yōu)于PMOS,所以設計中盡量優(yōu)先選擇NMOS。...

2024-04-25 標簽:電機控制導通電阻電源開關MOS低導通電阻 5340

比亞迪高壓電控總成IGBT模塊檢測指南

比亞迪高壓電控總成IGBT模塊檢測指南

.通電導通性檢查 用9 V電池作為電源接至G11觸發(fā)上橋臂中的1號IGBT,用萬用表的二極管擋測量上橋臂“+”與“~”之間的導通性,顯示導通,壓降為0.379 V。...

2024-04-23 標簽:二極管萬用表比亞迪IGBT 1756

恒流電路設計三種常用方案解析

恒流電路設計三種常用方案解析

運放的恒流電路,主要是利用運放的“電壓跟隨特性”,即運放的兩個輸入引腳Pin3與Pin2電壓相等電路特性;當在電阻R4輸入Vin穩(wěn)定電源電壓時,電阻R7兩端的電壓也為Vin不變,因此無論外界電路...

2024-04-23 標簽:三極管穩(wěn)壓二極管電壓電源三極管恒流電路電壓電源穩(wěn)壓二極管 885

信號線上串聯(lián)小電阻的作用與意義

信號線上串聯(lián)小電阻的作用與意義

為了保護接口,抵抗小能量電壓脈沖,防止信號脈沖損壞接口的。 舉個簡單的例子: 一個串口通訊的提示信號,當接上串口時,因為瞬間的插拔產(chǎn)生了一個很窄的電壓脈沖...

2024-04-23 標簽:電阻串口通訊信號線電壓脈沖 1822

MOSFET柵極驅(qū)動電路設計方案

MOSFET柵極驅(qū)動電路設計方案

必須在基極和發(fā)射極之間施加電流,以在集電極中產(chǎn)生電流。圖1.2示出了MOSFET,當在柵極和源極端子之間施加電壓時在漏極中產(chǎn)生電流。...

2024-04-22 標簽:MOSFET電容雙極晶體管電壓驅(qū)動MOSFET雙極晶體管柵極驅(qū)動電路電壓驅(qū)動電容 4372

簡要探討石英晶體與振蕩

簡要探討石英晶體與振蕩

石英晶體振蕩器中使用的石英晶體是一塊非常小的、薄的石英切割片或晶片,其兩個平行表面被金屬化以進行所需的電連接。一塊石英晶體的物理尺寸和厚度受到嚴格控制,因為它會影響振蕩的...

2024-04-22 標簽:振蕩器電源電壓石英晶體晶體振蕩振蕩器晶體振蕩電源電壓石英晶體等效阻抗 973

二極管保護電路的工作原理

二極管保護電路的工作原理

二極管是一種允許電流流經(jīng)一個方向但不允許另一方向流過的器件,因此,它可以用于電路中,僅允許電流僅在正向流動,而在反向流動中阻止電流。當電路中的組件可能會因反向(錯誤)方向...

2024-04-22 標簽:led二極管保護電路 3130

常見的電平轉(zhuǎn)換方法

常見的電平轉(zhuǎn)換方法

當 3.3V 器件輸出高電平信號,由于上拉 5V 作用,信號輸入器件被上拉為 5V 電平。 當 3.3V 器件輸出低電平信號,使 OUTPUT 信號被拉低,從而信號輸入器件信號被拉低。...

2024-04-22 標簽:三極管二極管上拉電阻MOS電平轉(zhuǎn)換 4964

關于MOS管電路工作原理的講解

關于MOS管電路工作原理的講解

MOS管的話題雖說是老生常談,但這份資料幾年前就有人給我分享過,這是網(wǎng)上評價非常高的一篇關于MOS管電路工作原理的講解,從管腳的識別,到極性的分辨,再到常用功能,應用電路等等...

2024-04-22 標簽:MOS管MOS寄生二極管 878

電子元器件識別與質(zhì)量判定技巧

電子元器件識別與質(zhì)量判定技巧

電子元器件的認識和判斷好壞是電工必備的技能。以下是一些常見電子元器件的認識和判斷好壞的方法...

2024-04-22 標簽:繼電器電阻電子元器件萬用表電容 2405

電阻、電感及電容元件在交流電路中的特性分析

電阻、電感及電容元件在交流電路中的特性分析

在電阻元件的交流電路中,電流和電壓是同相的。 在電阻元件電路中,電壓的幅值(或有效值)與電流的幅值(或有效值)之比值,就是電阻R。...

2024-04-27 標簽:交流電路電感元件電容元件交流電路電容元件電感元件電阻元件 1629

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