優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)

• 非常低的 V_IN(MIN)：1.5V
• 超快的瞬態(tài)響應(yīng)
• 真正的電流模式控制
• 用于 N 溝道 MOSFET 的 5V 驅(qū)動(dòng)免除了 5V 輔助電源
• 無需檢測(cè)電阻器
• 采用標(biāo)準(zhǔn)的 5V 邏輯電平 N 溝道 MOSFET
• V_OUT(MIN)：0.4V
• V_OUT 跟蹤 1/2 V_IN 或外部 V_REF
• 對(duì)稱的供應(yīng)和吸收輸出電流限制
• 可調(diào)的開關(guān)頻率
• t_ON(MIN) < 100ns
• 電源良好輸出電壓監(jiān)視器
• 可編程軟啟動(dòng)
• 輸出過壓保護(hù)
• 任選的短路停機(jī)定時(shí)器
• 小外形 24 引腳 SSOP 封裝
  

產(chǎn)品詳情

LTC

^?

3718 是一款用于 DDR 和 QDR^? 存儲(chǔ)器終端的高電流、高效率同步開關(guān)穩(wěn)壓控制器。該器件采用一個(gè)低至 1.5V 的輸入工作，并提供一個(gè)等于 (0.5)V_IN 的穩(wěn)定輸出電壓。該控制器采用一種谷值電流控制架構(gòu)以實(shí)現(xiàn)高工作頻率和非常低的接通時(shí)間，而無需使用一個(gè)檢測(cè)電阻器。工作頻率利用一個(gè)外部電阻器來選擇，并針對(duì) V_IN 及 V_OUT 中的變化進(jìn)行補(bǔ)償。LTC3718 采用一對(duì)標(biāo)準(zhǔn)的 5V 邏輯電平 N 溝道外部 MOSFET，從而免除了增設(shè)昂貴 P 溝道或低門限器件的需要。

強(qiáng)制連續(xù)操作可降低噪聲及 RF 干擾。故障保護(hù)由內(nèi)部折返電流限制、一個(gè)輸出過壓比較器和任選的短路停機(jī)定時(shí)器提供。針對(duì)電源排序的軟啟動(dòng)能力可采用一個(gè)外部定時(shí)電容器來實(shí)現(xiàn)。OPTI-LOOP

^?

補(bǔ)償?shù)倪\(yùn)用使得能夠在一個(gè)很寬的負(fù)載和輸出電容數(shù)值范圍內(nèi)優(yōu)化瞬態(tài)響應(yīng)。

應(yīng)用

• 總線終端：DDR/QDR 存儲(chǔ)器、SSTL、HSTL …
• 服務(wù)器、RAID 系統(tǒng)
• 分布式電源系統(tǒng)
• 同步降壓和通用升壓
  

方框圖