光刻技術(shù)中的晶圓形貌效應(yīng)詳解

第一次對(duì)非平面襯底上的光刻曝光的詳細(xì)研究出現(xiàn)在20世紀(jì)80年代后期,Matsuzawa等人72]采用有限元方法來(lái)描述硅襯底上高臺(tái)階的光散射,他們證明了散...

2026-03-24 標(biāo)簽：晶圓光刻散射 153 0

高數(shù)值孔徑投影光刻中的偏振效應(yīng)

在前面的部分中,使用標(biāo)量模型描述了成像過(guò)程,但其中不包括任何偏振現(xiàn)象，而高數(shù)值孔徑系統(tǒng)的應(yīng)用引入了幾個(gè)重要的偏振效應(yīng)。本節(jié)將概述照明必須考慮的相關(guān)偏振效...

2026-03-19 標(biāo)簽：光刻偏振模型 396 0

一文讀懂高精度衍射光學(xué)分束器的光刻制備、工藝優(yōu)化與表征分析

衍射光學(xué)分束器的性能表現(xiàn)，既依賴于優(yōu)化的仿真設(shè)計(jì)方案，也深受材料選擇與加工工藝的影響。當(dāng)前相關(guān)研究多聚焦于通過(guò)理論仿真和設(shè)計(jì)優(yōu)化追求高性能，而針對(duì)加工誤...

2026-03-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光學(xué)光刻 1.2k 0

一文詳解多重曝光技術(shù)

有一些光學(xué)分辨率增強(qiáng)技術(shù)是非常依賴于圖形特征的。例如，可以通過(guò)合適方向的二極照明來(lái)增強(qiáng)密集線空?qǐng)D形的成像性能，但是，不同方向的線空?qǐng)D形需要不同方向的二極...

2026-02-03 標(biāo)簽：照明光學(xué)光刻 521 0

從基于規(guī)則到基于模型的OPC和反演光刻技術(shù)

通過(guò)觀察偏移、輔助圖形、襯線和其他掩模校正方法對(duì)光刻成像的影響，可以建立用作掩模版圖校正的規(guī)則。

2026-01-28 標(biāo)簽：光刻模型掩模 432 0

半導(dǎo)體“刻蝕（Etch）”工藝技術(shù)的詳解；

【博主簡(jiǎn)介】本人“ 愛(ài)在七夕時(shí) ”，系一名半導(dǎo)體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者，旨在業(yè)余時(shí)間不定期的分享半導(dǎo)體行業(yè)中的：產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎(chǔ)應(yīng)用...

2025-11-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻刻蝕 6.2k 0

集成電路芯片制備中的光刻和刻蝕技術(shù)

光刻與刻蝕是納米級(jí)圖形轉(zhuǎn)移的兩大核心工藝，其分辨率、精度與一致性共同決定器件性能與良率上限。

2025-10-24 標(biāo)簽：集成電路光刻刻蝕 2.4k 0

【新啟航】玻璃晶圓 TTV 厚度在光刻工藝中的反饋控制優(yōu)化研究

一、引言 玻璃晶圓在半導(dǎo)體制造、微流控芯片等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，光刻工藝作為決定器件圖案精度與性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，對(duì)玻璃晶圓的質(zhì)量要求極為嚴(yán)苛 ?？偤穸绕睿═...

2025-10-09 標(biāo)簽：晶圓光刻碳化硅 904 0

光阻去除屬于什么制程

光阻去除（即去膠工藝）屬于半導(dǎo)體制造中的光刻制程環(huán)節(jié)，是光刻技術(shù)流程中不可或缺的關(guān)鍵步驟。以下是其在整個(gè)制程中的定位和作用：1.在光刻工藝鏈中的位置典型...

2025-07-30 標(biāo)簽：光刻半導(dǎo)體制造 1.4k 0

芯片制造的四大工藝介紹

這一篇文章介紹幾種芯片加工工藝,在Fab里常見(jiàn)的加工工藝有四種類型,分別是圖形化技術(shù)（光刻）?摻雜技術(shù)?鍍膜技術(shù)和刻蝕技術(shù)。

2025-07-16 標(biāo)簽：芯片制造光刻加工工藝 4.3k 0

電子束曝光與顯影工藝解讀

EBL就像是納米世界里的精密畫(huà)筆，能夠在極其微小的尺度上"畫(huà)"出任何你想要的二維圖案。

2025-07-09 標(biāo)簽：納米光刻電子束 4.9k 0

ADI 數(shù)據(jù)采集解決方案在先進(jìn)光刻芯片制造領(lǐng)域大放異彩l

作者：Pete Bartolik 投稿人：DigiKey 北美編輯 在半導(dǎo)體芯片銷(xiāo)售額從 2022 年的 6000 億美元增至 2030 年的 1 萬(wàn)億...

2025-05-25 標(biāo)簽：芯片ADI數(shù)據(jù)采集 1.1k 0

一文詳解電子束光刻技術(shù)

本文系統(tǒng)梳理了直寫(xiě)式、多電子束與投影式EBL的關(guān)鍵技術(shù)路徑，涵蓋掃描策略、束流整形、鄰近效應(yīng)校正與系統(tǒng)集成等方面，并探討其在精度、效率與成本間的技術(shù)矛盾...

2025-04-30 標(biāo)簽：工藝光刻電子束 5k 0

光阻的基礎(chǔ)知識(shí)

本文將系統(tǒng)介紹光阻的組成與作用、剝離的關(guān)鍵工藝及化學(xué)機(jī)理，并探討不同等離子體處理方法在光阻去除中的應(yīng)用。 ? 一、光阻（Photoresist，PR）的...

2025-02-13 標(biāo)簽：光刻半導(dǎo)體制造 4.9k 0

芯片制造:光刻工藝原理與流程

光刻是芯片制造過(guò)程中至關(guān)重要的一步，它定義了芯片上的各種微細(xì)圖案，并且要求極高的精度。以下是光刻過(guò)程的詳細(xì)介紹，包括原理和具體步驟。?? 光刻原理???...

2025-01-28 標(biāo)簽：芯片制造光刻 4.8k 0

光刻掩膜技術(shù)介紹

?? 光刻掩膜簡(jiǎn)介 ?? ? 光刻掩膜（Photomask）又稱光罩、光掩膜、光刻掩膜版等，通常簡(jiǎn)稱“mask”，是半導(dǎo)體制造過(guò)程中用于圖案轉(zhuǎn)移的關(guān)鍵工...

2025-01-02 標(biāo)簽：半導(dǎo)體光刻掩膜 6.5k 0

接觸孔工藝的制造流程

接觸孔工藝是指在 ILD 介質(zhì)層上形成很多細(xì)小的垂直通孔，它是器件與第一層金屬層的連接通道。通孔的填充材料是金屬鎢（W），接觸孔材料不能用Cu，因?yàn)?C...

2024-11-15 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻 2.6k 0

柵氧化層工藝的制造流程

與亞微米工藝類似，柵氧化層工藝是通過(guò)熱氧化形成高質(zhì)量的柵氧化層，它的熱穩(wěn)定性和界面態(tài)都非常好。

2024-11-05 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻 2.8k 0

有源區(qū)工藝的制造過(guò)程

有源區(qū)工藝是指通過(guò)刻蝕去掉非有源區(qū)的區(qū)域的硅襯底，而保留器件的有源區(qū)。

2024-10-31 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻 2.5k 0

頂層金屬工藝是指什么

頂層金屬工藝是指形成最后一層金屬互連線，頂層金屬互連線的目的是實(shí)現(xiàn)把第二層金屬連接起來(lái)。頂層金屬需要作為電源走線，連接很長(zhǎng)的距離，需要比較低的電阻，需要...

2024-10-29 標(biāo)簽：晶圓工藝光刻 1.9k 0