研究人員制造出直徑近30厘米的光學超表面

再見鏡頭，你好超表面。所謂的超表面可以幫助使光學系統(tǒng)在未來變得更薄，同時增加其功能。 到目前為止，傳統(tǒng)的制造工藝通常只能實現(xiàn)小的超表面，通常小于一平方毫...

2023-08-07 標簽：光刻電子束 1.3k 0

光刻技術的發(fā)展如何彎道超車或者換道超車

三十年來，半導體掩模技術基本保持不變，掩模的制作是在可變成形機上進行的，這些機器將可變元件限制在 45 度角。隨著功能縮小并變得更加復雜，電子束和多束掩...

2023-08-01 標簽：光刻EUV光刻膠 960 0

cmp是什么意思 cmp工藝原理

CMP 主要負責對晶圓表面實現(xiàn)平坦化。晶圓制造前道加工環(huán)節(jié)主要包括7個相互獨立的工藝流程：光刻、刻蝕、薄膜生長、擴散、離子注入、化學機械拋光、金屬化 C...

2023-07-18 標簽：光刻CMP晶圓制造 2.5萬 1

Overlay如何與EUV圖案保持同步

套刻計量（Overlay metrology）工具可提高精度，同時提供可接受的吞吐量，解決日益復雜的設備中的競爭要求。

2023-07-10 標簽：內(nèi)存光刻機器學習 3.3k 0

《先進半導體封裝材料及工藝-2023版》

從封裝的角度來看，要提高帶寬，需要考慮兩個關鍵因素：I/O（輸入/輸出）總數(shù)和每個I/O的比特率。增加I/O總數(shù)需要在每個布線層/再分布層（RDL）中實...

2023-07-05 標簽：光刻半導體封裝3D芯片 1.9k 0

半導體圖案化工藝流程之刻蝕(一)

圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。其中，刻蝕工藝是光刻(Photo)工藝的下一步...

2023-06-26 標簽：半導體晶圓光刻 3.6k 0

綜述：聚合物薄膜的非光刻圖案化方法

非光刻圖案化方法可以從圖案設計的自由度上分為三大類，第一類能夠自由形成任意圖案，主要包括掃描探針刻?。⊿PL）和噴墨打印；第二類需要在模板或預圖案化基材...

2023-06-21 標簽：傳感器光刻噴墨打印 3.7k 0

面向光刻的設計規(guī)則建立及優(yōu)化

中國科學院大學集成電路學院是國家首批支持建設的示范性微電子學院。為了提高學生對先進光刻技術的理解，本學期集成電路學院開設了《集成電路先進光刻技術與版圖設...

2023-06-14 標簽：集成電路光刻微電子 974 0

半導體制造光刻工藝制作流程

金屬-氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的革命，讓我們可以在相同面積的晶圓上同時制造出更多晶體管。MOSFET體積越小，單個 MOSFET的耗電量...

2023-06-13 標簽：MOSFET光刻 1.8k 0

半導體制備的主要方法

光刻法是微電子工藝中的核心技術之一，常用于形成半導體設備上的微小圖案。過程開始于在硅片上涂布光刻膠，隨后對其進行預熱。接著，選擇一種光源（如深紫外光或X...

2023-06-09 標簽：半導體工藝光刻 6.6k 0

一文看懂EUV光刻

極紫外 (EUV) 光刻系統(tǒng)是當今使用的最先進的光刻系統(tǒng)。本文將介紹這項重要但復雜的技術。

2023-06-06 標簽：半導體晶圓光刻 2.2k 0

PCB上的死銅對電路性能的影響

在PCB的制造和設計過程中，可能會出現(xiàn)一種叫做"死銅"的問題。本文將解析死銅在PCB上的含義、成因、對電路性能的影響以及解決方法。

2023-06-05 標簽：電路pcbPCB設計 2.1k 0

EUV光源四種產(chǎn)生方式及對比分析

隨著光刻技術的進步，光刻光源的曝光波長已經(jīng)減小很多。早期投影式光刻技術的曝光波長為436nm、365nm （分別來自于汞弧燈可見光g線和紫外光i線），所...

2023-06-01 標簽：集成電路光刻EUV 3.5k 0

逆向光刻的原理及其優(yōu)勢

中國科學院大學集成電路學院是國家首批支持建設的示范性微電子學院。為了提高學生對先進光刻技術的理解，本學期集成電路學院開設了《集成電路先進光刻技術與版圖設...

2023-05-26 標簽：集成電路光刻光刻技術 1.6k 0

樂趣探索不一樣的計算光刻

之前的小講堂有介紹過，光刻過程就好比用照相機拍照，將掩模版上的芯片設計版圖曝光到晶圓上，從而制造出微小的電路結構。ASML光刻機的鏡片組使用極其精密的加...

2023-05-25 標簽：光刻微電路ASML 1.8k 0

光刻技術：光學關鍵尺寸測量（OCD）原理

　　集成電路芯片持續(xù)朝著密度不斷增加和器件尺寸不斷微縮的方向發(fā)展，其中最為關鍵的一個參數(shù)就是柵極線條寬度。任何經(jīng)過光刻后的光刻膠線條寬度或刻蝕后柵極線條...

2023-05-24 標簽：集成電路光刻OCD 1.2萬 0

EUV光刻技術優(yōu)勢及挑戰(zhàn)

EUV光刻技術仍被認為是實現(xiàn)半導體行業(yè)持續(xù)創(chuàng)新的關鍵途徑。隨著技術的不斷發(fā)展和成熟，預計EUV光刻將在未來繼續(xù)推動芯片制程的進步。

2023-05-18 標簽：光刻人工智能EUV 4.5k 0

光刻技術的種類介紹

根據(jù)維基百科的定義，光刻是半導體器件制造工藝中的一個重要步驟，該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫幾何圖形結構，然后通過刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉移到所...

2023-04-25 標簽：光刻半導體器件光刻膠 2.8k 0

光刻技術的原理及發(fā)展前景分析

光刻就是把芯片制作所需要的線路與功能區(qū)做出來。利用光刻機發(fā)出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發(fā)生性質變化，從而使光罩上得圖形...

2023-04-25 標簽：芯片電子元件光刻 5.3k 0

光刻技術簡述

光刻技術是將掩模中的幾何形狀的圖案轉移到覆蓋在半導體晶片表面的薄層輻射敏感材料（稱為抗蝕劑）上的過程

2023-04-25 標簽：半導體光刻光刻工藝 3k 0