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標(biāo)簽 > 光刻
光刻是平面型晶體管和集成電路生產(chǎn)中的一個主要工藝。是對半導(dǎo)體晶片表面的掩蔽物（如二氧化硅）進(jìn)行開孔，以便進(jìn)行雜質(zhì)的定域擴(kuò)散的一種加工技術(shù)。
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什么是光刻：光刻是IC制造業(yè)中最為重要的一道工藝,占據(jù)了芯片制造中大約一半的步驟.光刻占所有成本的三分之一以上。通常可用光刻次數(shù)及所需Mask的塊數(shù)來表...
清華大學(xué)在分焦面超像素陣列光刻制造領(lǐng)域取得新進(jìn)展
圖1.接觸-干涉混合光刻加工流程 分焦平面陣列因具備高集成度、高魯棒性和高動態(tài)適應(yīng)性等優(yōu)勢，在偏振成像領(lǐng)域受到廣泛關(guān)注。制造分焦平面陣列的關(guān)鍵在于制備陣...
2026-01-21 標(biāo)簽：光刻 219 0
定義光刻精度標(biāo)準(zhǔn)——華林科納顯影濕法設(shè)備：納米級圖形化解決方案
導(dǎo)語 顯影工藝作為光刻制程的核心環(huán)節(jié)，直接決定晶圓圖形轉(zhuǎn)移的精度與良率。顯影濕法設(shè)備憑借高均勻性噴淋、精準(zhǔn)溫度控制及智能缺陷攔截系統(tǒng)，突破16nm以下制...
半導(dǎo)體“光刻（Photo）”工藝技術(shù)的詳解；
【博主簡介】本人“ 愛在七夕時 ”，系一名半導(dǎo)體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者，旨在業(yè)余時間不定期的分享半導(dǎo)體行業(yè)中的：產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎(chǔ)應(yīng)用...
圖1 肘形圖形為目標(biāo)圖形，不同方法得到的全息掩模分布、空間像與光刻膠輪廓 近日，中國科學(xué)院上海光學(xué)精密機(jī)械研究所高端光電裝備部李思坤研究員團(tuán)隊在全息光刻...
白光干涉儀在晶圓光刻圖形 3D 輪廓測量中的應(yīng)用解析
引言 晶圓光刻圖形是半導(dǎo)體制造中通過光刻工藝形成的微米至納米級三維結(jié)構(gòu)（如光刻膠線條、接觸孔、柵極圖形等），其線寬、高度、邊緣粗糙度等參數(shù)直接決定后續(xù)蝕...
一、引言 在半導(dǎo)體制造、微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）等高新技術(shù)領(lǐng)域，1um 以下光刻深度、凹槽深度和寬度的精確測量至關(guān)重要。這類微小尺寸的測量精度直接影響產(chǎn)品...
極紫外光刻（EUVL）技術(shù)作為實現(xiàn)先進(jìn)工藝制程的關(guān)鍵路徑，在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域占據(jù)著舉足輕重的地位。當(dāng)前，LPP-EUV 光源是極紫外光刻機(jī)所采用的主流光源...
引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域，光刻圖形線寬變化直接影響器件性能與集成度。精確控制光刻圖形線寬是保障工藝精度的關(guān)鍵。本文將介紹改善光刻圖形線寬變化的方...
用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕光刻膠剝離液及白光干涉儀在光刻圖形的測量
引言 在顯示面板制造的 ARRAY 制程工藝中，光刻膠剝離是關(guān)鍵環(huán)節(jié)。銅布線在制程中廣泛應(yīng)用，但傳統(tǒng)光刻膠剝離液易對銅產(chǎn)生腐蝕，影響器件性能。同時，光刻...
低含量 NMF 光刻膠剝離液和制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量
引言 在半導(dǎo)體制造過程中，光刻膠剝離液是不可或缺的材料。N - 甲基 - 2 - 吡咯烷酮（NMF）雖在光刻膠剝離方面表現(xiàn)出色，但因其高含量使用帶來的成...
進(jìn)入過無塵間光刻區(qū)的朋友，應(yīng)該都知道光刻區(qū)里用的都是黃燈，這個看似很簡單的問題的背后卻蘊含了很多鮮為人知的道理，那為什么實驗室光刻要用黃光呢？ 光刻是微...
2025-06-16 標(biāo)簽：光刻 1.5k 0
TFT-LCD 顯示屏光刻膠剝離方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量
引言 在 TFT-LCD 顯示屏制造工藝中，光刻膠剝離是關(guān)鍵工序之一，其效果直接影響顯示屏的質(zhì)量與性能。隨著 TFT-LCD 技術(shù)向高分辨率、窄邊框方向...
引言 隨著半導(dǎo)體技術(shù)向高密度、高性能方向發(fā)展，疊層晶圓技術(shù)成為關(guān)鍵。在疊層晶圓制造過程中，光刻膠剝離液的性能對工藝質(zhì)量和器件可靠性影響重大。同時，精確測...
一、光刻工藝概述 光刻工藝是半導(dǎo)體制造的核心技術(shù)，通過光刻膠在特殊波長光線或者電子束下發(fā)生化學(xué)變化，再經(jīng)過曝光、顯影、刻蝕等工藝過程，將設(shè)計在掩膜上的圖...
引言 在半導(dǎo)體制造和微納加工領(lǐng)域，光刻膠剝離是光刻工藝的重要環(huán)節(jié)。水平式光刻膠剝離工藝憑借其獨特優(yōu)勢在工業(yè)生產(chǎn)中占據(jù)一席之地，而準(zhǔn)確測量光刻圖形對保障工...
引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域，光刻膠剝離液是光刻膠剝離環(huán)節(jié)的核心材料，其性能優(yōu)劣直接影響光刻膠去除效果與基片質(zhì)量。同時，精準(zhǔn)測量光刻圖形對把控工藝質(zhì)...
納米壓印制備硅基 OLED 微型顯示器的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量
引言 硅基 OLED 微型顯示器憑借高分辨率、高對比度等優(yōu)勢，在虛擬現(xiàn)實、增強(qiáng)現(xiàn)實等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。納米壓印技術(shù)為其制備提供了新方向，而精確測量光刻圖形是...
Micro OLED 陽極像素定義層制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量
? 引言 ? Micro OLED 作為新型顯示技術(shù)，在微型顯示領(lǐng)域極具潛力。其中，陽極像素定義層的制備直接影響器件性能與顯示效果，而光刻圖形的精準(zhǔn)測量...
清華大學(xué)在激光干涉光刻全局對準(zhǔn)領(lǐng)域取得新進(jìn)展
圖1.拼接曝光加工系統(tǒng) 衍射光柵廣泛應(yīng)用于精密測量、激光脈沖壓縮、光譜分析等領(lǐng)域。干涉光刻作為一種無掩膜曝光光刻方法，在衍射光柵加工制造方面具有高效率、...
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