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      標(biāo)簽　>　開(kāi)關(guān)電路

      開(kāi)關(guān)電路

      開(kāi)關(guān)電路

      +關(guān)注60人關(guān)注

      開(kāi)關(guān)電路是指具有“接通”和“斷開(kāi)”兩種狀態(tài)的電路。輸入、輸出信號(hào)具有兩種狀態(tài)的電路就是一種開(kāi)關(guān)電路。邏輯門(mén)電路、雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器也都是開(kāi)關(guān)電路。 開(kāi)關(guān)電路的原理是由開(kāi)關(guān)管和PWM（Pulse Width Modulatioon）控制芯片構(gòu)成振蕩電路，產(chǎn)生高頻脈沖。

      文章：493個(gè) 瀏覽：68559次 帖子：154個(gè)

      開(kāi)關(guān)電路技術(shù)

      優(yōu)化三極管驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)與上升沿性能提升

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      一、為什么驅(qū)動(dòng)性能如此關(guān)鍵？三極管作為基礎(chǔ)的分立器件，在各種控制、放大和開(kāi)關(guān)電路中都有廣泛應(yīng)用。然而，在驅(qū)動(dòng)負(fù)載或級(jí)聯(lián)其它器件（如MOSFET、繼電器等...

      2026-01-26 標(biāo)簽：三極管開(kāi)關(guān)電路驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì) 266 0

      功率MOSFET器件的單脈沖雪崩能量參數(shù)解讀

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      在功率MOSFET器件的設(shè)計(jì)與選型中，單脈沖雪崩能量（Single Pulse Avalanche Energy, EAS）是一個(gè)至關(guān)重要的參數(shù)。它量化...

      2026-01-20 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電路MOSFET電路設(shè)計(jì) 5.1k 0

      深入剖析電阻的用法和作用

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      信號(hào)線(xiàn)上，為什么要接電阻？你一定想不到小小電阻，竟然有這么大的作用。本期貿(mào)澤科普實(shí)驗(yàn)室，就讓我們一起來(lái)重新認(rèn)識(shí)——電阻。

      2025-08-21 標(biāo)簽：傳感器led電阻 4.5萬(wàn) 0

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      我們通過(guò)仿真電路來(lái)模擬上一期介紹的開(kāi)關(guān)電路，對(duì)實(shí)際設(shè)計(jì)有一定的參考意義。以下電路采用方波duty=50%為例，以不同的輸入端頻率進(jìn)行仿真測(cè)試。首先，Vc...

      2025-06-26 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電路光耦晶體管 742 0

      一般光耦的開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)

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      在高速數(shù)據(jù)傳送中，設(shè)計(jì)人員選擇高速率的光電耦合器時(shí)，對(duì)于大多數(shù)應(yīng)用，只需要合理應(yīng)用廠(chǎng)商設(shè)計(jì)的數(shù)據(jù)傳輸速率（DTR），一般都可以正常通過(guò)設(shè)計(jì)論證。相較于高...

      2025-06-24 標(biāo)簽：開(kāi)關(guān)電路光耦DTR 905 0

      SiC MOSFET計(jì)算損耗的方法

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      本文將介紹如何根據(jù)開(kāi)關(guān)波形計(jì)算使用了SiC MOSFET的開(kāi)關(guān)電路中的SiC MOSFET的損耗。這是一種在線(xiàn)性近似的有效范圍內(nèi)對(duì)開(kāi)關(guān)波形進(jìn)行分割，并使...

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      本文只介紹作為開(kāi)關(guān)管使用時(shí)的電路設(shè)計(jì)介紹電路之前，我們需要了解一下壓控和流控的概念壓控：是指電壓作為控制信號(hào)，理想狀態(tài)下，對(duì)于MOS只要VGS的電壓滿(mǎn)足...

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      雙穩(wěn)態(tài)開(kāi)關(guān)電路是一種在兩種穩(wěn)定狀態(tài)之間切換的電路，廣泛應(yīng)用于數(shù)字電路、計(jì)算機(jī)儲(chǔ)存器、脈沖發(fā)生器以及控制電路中。以下將詳細(xì)闡述雙穩(wěn)態(tài)開(kāi)關(guān)電路的工作原理和基本結(jié)構(gòu)。

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