電子發(fā)燒友網報道（文/吳子鵬）半導體設備作為半導體產業(yè)的根基與先導力量，具有技術壁壘森嚴、研發(fā)周期漫長、客戶驗證門檻高等顯著特征。當前，人工智能的蓬勃發(fā)展對高性能芯片需求激增，推動半導體制造正以前所未有的速度向三維堆疊與埃級精度演進，帶動半導體設備市場同步增長。根據國際半導體產業(yè)協(xié)會（SEMI）發(fā)布的《年終總半導體設備預測報告》，2025年全球半導體制造設備總銷售額預計達1330億美元，同比增長13.7%，創(chuàng)下歷史新高。

在這一藍海市場里，總部位于東京的半導體設備巨頭 Tokyo Electron（TEL），憑借其覆蓋芯片制造關鍵環(huán)節(jié)的完整產品矩陣與前瞻性的技術布局，正成為驅動這場產業(yè)躍遷的關鍵力量。

堅定投資奠定行業(yè)領先地位

自 1963 年成立以來，TEL 完成了從半導體設備代理到全球頂尖平臺型設備商的蛻變，如今穩(wěn)居全球半導體設備廠商前列，其核心競爭力在于覆蓋半導體制造全流程的產品矩陣和各細分領域的市場統(tǒng)治力。

TEL 中國區(qū)市場副總裁倪曉峰表示：“在芯片前道制造的四大核心工藝——成膜、涂膠顯影、刻蝕、清洗中，TEL擁有完整的產品布局，同時各類產品均占據全球第一或第二的市場份額。特別是涂膠顯影設備領域，TEL 擁有 92% 的市占率；如果具體到 EUV 相關的涂膠顯影設備，TEL 的市占率是 100%，與 ASML 的 EUV 光刻機形成深度技術綁定。”

市場地位的背后是扎實的經營實力和研發(fā)投入。2025 財年，TEL 實現(xiàn)凈銷售額約 2.4315 萬億日元，營業(yè)利潤率達 28.7%，營業(yè)利潤突破 6973 億日元；其還為 2027 財年設定了 3 萬億日元銷售額、35% 營業(yè)利潤率的戰(zhàn)略目標。2025 至 2029 財年，TEL 更規(guī)劃了 1.5 萬億日元研發(fā)投資、7000 億日元資本支出，并以每年 2000 人的節(jié)奏新增 1 萬名員工，完成人才、資金與基礎設施的全面布局。

在全球市場布局中，中國是 TEL 的核心戰(zhàn)略市場，近年來銷售占比一直占據高位。TEL 以上海為中國區(qū)總部，在昆山設立制造中心，并在北京、西安、合肥等主要半導體產業(yè)城市布局銷售與現(xiàn)場服務基地，構建起覆蓋廣泛的本地化支持體系，深度契合中國半導體產業(yè)的發(fā)展需求。

先進制造：前道工藝全鏈突破，性能參數定義行業(yè)標準

半導體前道制造是芯片性能的核心決定環(huán)節(jié)，如上所述，TEL 圍繞成膜、涂膠顯影、刻蝕、清洗四大工藝的技術突破，成為先進制程落地的關鍵支撐。

涂膠顯影是 TEL 產品最具影響力的領域，在這一細分市場排名全球第一。其中，CLEAN TRACK? LITHIUS Pro? Z 是 TEL 最先進的 300mm 涂膠顯影設備，與上一代 LITHIUS Pro? 和 Pro V 相比，LITHIUS Pro? Z 在缺陷控制、生產力、運營成本三大關鍵領域顯著提升，并提供了更高的工藝靈活性，以支持先進浸沒式光刻，包括雙/多重圖案化方案以及 EUV 工藝。而 TEL 推出的 Ultimate Wet Development 技術，與現(xiàn)有設備高度兼容，率先在 D1b DRAM 節(jié)點實現(xiàn)量產導入，并向 D1c DRAM 及更先進節(jié)點推進。

刻蝕工藝是 TEL 近年來重點突破的領域，核心競爭力在于對氣體供給、副產物排出與能量垂直傳導三大參數的精細調控。通過將方波與脈沖參數相結合，TEL 能針對客戶具體的器件結構提供高度定制化解決方案，其代表性產品 Tactras?覆蓋了從普通刻蝕到高深寬比刻蝕的廣泛應用場景。Tactras? 系列是一款高可靠性的 300mm 等離子刻蝕設備，針對高深寬比孔洞、溝槽刻蝕、掩膜刻蝕、介質刻蝕及后道（BEOL）介質刻蝕提供定制化解決方案，可顯著提升刻蝕工藝生產效率。并且，Tactras? 系列最多可搭載 6 個刻蝕腔室，各腔室可根據需求獨立適配不同刻蝕工藝。

在成膜領域，TEL 產品線覆蓋從氧化擴散到原子層沉積的多種路徑，并正積極布局 PECVD、PVD 等下一代技術，切入晶體管形成與先進互連等關鍵環(huán)節(jié)，為更先進的制程節(jié)點提前卡位。在該領域，TEL 的旗下產品線涵蓋 TELINDY PLUS?、NT333?、Episode?1 等。其中，TELINDY PLUS? 實現(xiàn)了成熟量產經驗與前沿熱處理技術的深度融合，其應用范圍覆蓋傳統(tǒng)硅基工藝（擴散氧化、退火）、低壓化學氣相沉積（LPCVD）硅基薄膜（多晶硅、非晶硅）、二氧化硅（SiO?）、氮化硅（Si?N?），以及前沿的 ALD 二氧化硅、氮化硅、高介電常數（高?k）介質膜，同時支持自由基（非等離子體）氧化工藝。

此外，清洗工藝隨著半導體器件結構的復雜化，已成為不可或缺的關鍵環(huán)節(jié)。TEL 的 Certas LEAGA? 與 CELLESTA? 已在業(yè)內建立廣泛客戶基礎。值得一提的是，TEL 清洗設備的搬送系統(tǒng)與涂膠顯影設備同源，實現(xiàn)了 7.5 億次晶圓搬運零誤差，在保護晶圓的同時保障了量產穩(wěn)定性。

先進封裝：卡位 3D 集成黃金賽道，鍵合技術引領產業(yè)升級

隨著摩爾定律逼近物理極限，半導體產業(yè)從“平面微縮”走向“立體堆疊”，3D 集成成為提升芯片性能的核心方向，而晶圓鍵合技術則是先進封裝的關鍵工藝。TEL 精準卡位這一賽道，憑借在鍵合設備領域的技術積累和量產經驗，成為 3D IC、HBM、先進邏輯芯片封裝的核心設備供應商。

根據 TEL 的預測數據，2025 至 2030 年全球鍵合設備市場年復合增長率將高達 24%，2030 年市場規(guī)模將達到 3000 億日元，增速遠超整體晶圓制造設備市場。目前 TEL 在鍵合設備市場的份額已超 20%，并在 CMOS 圖像傳感器和 HBM 領域積累了豐富的量產交付經驗，其核心產品 Synapse? 系列晶圓鍵合機成為全球先進封裝的核心設備。

比如，TEL 推出的 Synapse? Si 是面向 300mm 晶圓的永久性鍵合系統(tǒng)，支持熔融鍵合與銅混合鍵合。該系統(tǒng)沿用前端生產線已驗證的涂膠顯影平臺架構、清洗技術及等離子處理模塊設計，在實現(xiàn)超高對準精度與高產能的同時，保障大批量制造（HVM）的可靠性。TEL 相關人士表示：“Synapse? Si 在全球應用極為廣泛，幾乎所有國際主流半導體廠商都在使用該鍵合設備，覆蓋從 BSI、3D Stack、背面供電，到 3DNAND、SoIC 等先進封裝領域?！?br />
Synapse? ZF 主要用于鍵合不良的返工處理，旨在與現(xiàn)已廣泛應用于多類器件量產的 Synapse? Si 形成互補。Synapse? ZF 可在晶圓鍵合后、退火工藝前執(zhí)行返修。依托 TEL 成熟的解鍵合技術，Synapse? ZF 可為熔融鍵合與銅混合鍵合晶圓提供完整返修方案，助力客戶在永久性鍵合工藝中提升良率、降低制造成本、優(yōu)化產品質量。TEL 相關人士指出：“器件晶圓成本非常高，一旦鍵合不合格不能直接報廢。Synapse? ZF 的作用是在退火之前進行解鍵合與鍵合強度檢測，重新進行 CMP、清洗等工藝處理，之后再重新鍵合。因此，Synapse? ZF 能夠讓昂貴的器件晶圓得以回收、返工再利用?！?br />
在 HBM 制造領域，TEL 的臨時鍵合/解鍵合設備同樣占據重要位置。盡管混合鍵合被視為未來方向，但出于良率考量，目前主流 HBM 產品仍大量采用傳統(tǒng) TCB 熱壓鍵合工藝。TEL 的設備通過涂膠工藝將器件晶圓與載體晶圓臨時鍵合，完成減薄等加工后，再轉移到藍膜載體上進行解鍵合，最終通過 TCB 完成堆疊。TEL相關人士透露：“公司在 HBM 臨時鍵合/解鍵合方面的設備一直持續(xù)供貨，產線排期非常滿?！?br />
相關設備型號為 Synapse? V 與 Synapse? Z Plus，屬于 300mm 晶圓鍵合/解鍵合系統(tǒng)，可高效完成晶圓臨時鍵合與解鍵合工藝。其中，Synapse? V 為臨時鍵合系統(tǒng)，可通過多種粘接材料實現(xiàn)兩片晶圓的鍵合。該系統(tǒng)集成材料涂覆、高溫加熱、鍵合功能，可在單臺設備內完成一體化晶圓鍵合工藝。其自主研發(fā)的晶圓對準單元與晶圓鍵合模塊，可實現(xiàn)極佳的總厚度偏差（TTV）控制精度與鍵合對準精度。Synapse? Z Plus 配備晶圓解鍵合、芯片晶圓及載體晶圓清洗功能，可在 TSV 工藝后通過單臺設備完成復雜的晶圓解鍵合流程。該系統(tǒng)搭載全新研發(fā)的專用功能，能夠實現(xiàn)厚度約 50μm 以下超薄晶圓的穩(wěn)定傳輸，并確保工藝安全運行。

此外，TEL 還有很多創(chuàng)新設備可以賦能先進封裝。比如在激光相關產品線上，TEL推出了 Ulucus? LX 激光剝離系統(tǒng)和 Ulucus? L 激光修整系統(tǒng)；在最新開發(fā)的高端研磨設備 Ulucus? G 上，能將傳統(tǒng)的 TTV（總厚度變化）從0.5到1 微米壓縮至 0.3 微米以下，為后續(xù)鍵合拓展了更大的工藝窗口。

綠色工廠：技術創(chuàng)新驅動可持續(xù)發(fā)展

隨著全球對碳排放的要求日益嚴苛，半導體制造中高昂的能耗與大量化學品的使用成為業(yè)界關注的焦點。TEL 深刻認識到，真正的技術領先不僅在于提升芯片性能，更在于降低制造過程對環(huán)境的影響。TEL 正從設備底層邏輯出發(fā)，多維度幫助客戶打造綠色工廠。

倪曉峰指出，綠色節(jié)能是 TEL 很早就關注且將持續(xù)關注的技術演進方向，并取得了一些積極的進展：

一方面，TEL 致力于提升設備的集成度，減小設備占地面積。在同等產能下，更小的設備意味著 Fab 需要建設的潔凈室面積更小，從而直接大幅降低廠房空調、凈化、照明等基礎設施的長期運營成本與能耗。

另一方面，通過提升工藝速率來減少資源投入是 TEL 的核心理念。例如，最新超高深寬比干刻設備速率提升 1.5 倍，能耗降低43%，碳足跡減少83%；CELLESTA? MS2 正背面同時清洗機基于創(chuàng)新的腔體設計和晶圓固位技術，不僅大幅改善顆粒控制性能（particle performance），在提升產能的同時大幅降低了水、氮氣消耗——COC 下降達 73%，WPH 顯著提升1.5倍以上。

結語

從平面擴展到 3D 堆疊，從單純追求制程微縮到兼顧綠色制造，半導體產業(yè)正處于一個關鍵的轉折點。TEL 憑借其在涂膠顯影、鍵合、清洗等核心工藝的深厚積累，以及對 HBM、綠色工廠等新興趨勢的敏銳洞察，正展現(xiàn)出強大的增長韌性。未來五年，TEL 計劃投入 1.5 萬億日元的研發(fā)資金，并擴招 1 萬名員工，這一雄心勃勃的計劃預示著，這家半導體巨頭將繼續(xù)在技術演進的浪潮中扮演關鍵角色。