深入剖析FDMS86322 N-Channel Shielded Gate PowerTrench? MOSFET

一、背景與變更說明

Fairchild已成為ON Semiconductor的一部分。由于系統(tǒng)要求，部分Fairchild可訂購的零件編號需要更改，原編號中的下劃線（_）將改為破折號（-）。大家可通過ON Semiconductor網(wǎng)站（www.onsemi.com）核實(shí)更新后的設(shè)備編號，如有系統(tǒng)集成相關(guān)問題，可發(fā)郵件至Fairchild_questions@onsemi.com。

文件下載：FDMS86322-D.pdf

二、FDMS86322 MOSFET概述

（一）關(guān)鍵參數(shù)

FDMS86322是一款N溝道屏蔽柵PowerTrench? MOSFET，具備80V耐壓、60A電流處理能力，導(dǎo)通電阻 (r{DS(on)}) 低至7.65 mΩ（(V{GS}=10 V)，(I_{D}=13 A)）。

（二）主要特性

1. 屏蔽柵MOSFET技術(shù)：優(yōu)化了導(dǎo)通電阻，同時保持卓越的開關(guān)性能。
2. 先進(jìn)的封裝與硅片組合：實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻和高效率。
3. MSL1穩(wěn)健封裝設(shè)計(jì)：具有良好的可靠性。
4. 100% UIL測試：確保產(chǎn)品質(zhì)量。
5. RoHS合規(guī)：符合環(huán)保要求。

三、電氣特性分析

（一）最大額定值

（二）靜態(tài)特性

1. 截止特性：如漏源擊穿電壓 (B{VDS}) 為80V（(I{D}= 250 μA)，(V{GS}= 0 V)），零柵壓漏極電流 (I{DSS}) 為800 nA（(V{DS}= 64 V)，(V{GS}= 0 V)）等。
2. 導(dǎo)通特性：柵源閾值電壓 (V{GS(th)}) 在2.0 - 4.0V之間（(I{D}= 250 μA)），不同 (V{GS}) 和 (I{D}) 下的導(dǎo)通電阻 (r{DS(on)}) 不同，例如 (V{GS}= 10V)，(I{D}=13 A) 時，(r{DS(on)}) 為6.1 - 7.65 mΩ。

（三）動態(tài)特性

包括輸入電容 (C{iss})、輸出電容 (C{oss})、反向傳輸電容 (C{rss}) 以及柵極電阻 (R{g}) 等參數(shù)，這些參數(shù)對于MOSFET的開關(guān)速度和性能有重要影響。

（四）開關(guān)特性

如開通延遲時間 (t{d(on)})、上升時間 (t{r})、關(guān)斷延遲時間 (t{d(off)})、下降時間 (t{f}) 以及總柵極電荷 (Q_{g}) 等，這些參數(shù)決定了MOSFET在開關(guān)過程中的表現(xiàn)。

（五）漏源二極管特性

源漏二極管正向電壓 (V{SD}) 在不同電流下有不同值，反向恢復(fù)時間 (t{rr}) 和反向恢復(fù)電荷 (Q_{rr}) 也是重要的參數(shù)。

四、典型特性曲線

（一）導(dǎo)通區(qū)域特性

展示了不同 (V{GS}) 下漏極電流 (I{D}) 與漏源電壓 (V_{DS}) 的關(guān)系，有助于了解MOSFET在導(dǎo)通狀態(tài)下的性能。

（二）歸一化導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系

可以直觀地看到不同 (V_{GS}) 下導(dǎo)通電阻隨漏極電流的變化情況，為設(shè)計(jì)中選擇合適的工作點(diǎn)提供參考。

（三）歸一化導(dǎo)通電阻與結(jié)溫的關(guān)系

了解導(dǎo)通電阻隨結(jié)溫的變化規(guī)律，對于熱設(shè)計(jì)和可靠性分析非常重要。

（四）導(dǎo)通電阻與柵源電壓的關(guān)系

幫助工程師確定合適的柵源電壓以獲得較低的導(dǎo)通電阻。

（五）傳輸特性

體現(xiàn)了漏極電流與柵源電壓的關(guān)系，對于理解MOSFET的放大特性有幫助。

（六）源漏二極管正向電壓與源電流的關(guān)系

有助于分析二極管在不同電流下的正向壓降。

（七）柵極電荷特性

展示了柵極電荷與柵源電壓的關(guān)系，對于開關(guān)速度和驅(qū)動電路設(shè)計(jì)有指導(dǎo)意義。

（八）電容與漏源電壓的關(guān)系

了解電容隨漏源電壓的變化，對于高頻應(yīng)用中的性能分析很關(guān)鍵。

（九）非鉗位電感開關(guān)能力

體現(xiàn)了MOSFET在雪崩狀態(tài)下的性能。

（十）最大連續(xù)漏極電流與殼溫的關(guān)系

為散熱設(shè)計(jì)提供依據(jù)，確保MOSFET在不同溫度下能正常工作。

（十一）正向偏置安全工作區(qū)

確定MOSFET在不同電壓和電流下的安全工作范圍。

（十二）單脈沖最大功率耗散

了解MOSFET在單脈沖情況下的功率處理能力。

（十三）結(jié)到環(huán)境的瞬態(tài)熱響應(yīng)曲線

對于熱管理和散熱設(shè)計(jì)有重要參考價值。

五、封裝與訂購信息

FDMS86322采用Power 56封裝，盤徑為13英寸，膠帶寬度為12mm，每盤數(shù)量為3000個。

六、注意事項(xiàng)

1. 由于ON Semiconductor產(chǎn)品管理系統(tǒng)無法處理含下劃線的零件編號，F(xiàn)airchild部分編號需更改。
2. “典型”參數(shù)在不同應(yīng)用中會有所變化，實(shí)際性能可能隨時間改變，所有工作參數(shù)需由客戶技術(shù)專家針對每個應(yīng)用進(jìn)行驗(yàn)證。
3. ON Semiconductor產(chǎn)品不設(shè)計(jì)、不打算也未獲授權(quán)用于生命支持系統(tǒng)、FDA 3類醫(yī)療設(shè)備或類似分類的醫(yī)療設(shè)備以及人體植入設(shè)備。若用于此類非預(yù)期或未授權(quán)應(yīng)用，買方需承擔(dān)相關(guān)責(zé)任。

大家在使用FDMS86322 MOSFET進(jìn)行設(shè)計(jì)時，一定要充分考慮上述特性和注意事項(xiàng)，以確保設(shè)計(jì)的可靠性和性能。你在實(shí)際應(yīng)用中有沒有遇到過類似MOSFET的特殊問題呢？歡迎在評論區(qū)分享。