探索FDMS86250 N-Channel Shielded Gate PowerTrench? MOSFET

引言

在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種極為關(guān)鍵的器件，廣泛應(yīng)用于各種電路中。今天我們要深入探討的是FDMS86250 N - Channel Shielded Gate PowerTrench? MOSFET，它由Fairchild Semiconductor生產(chǎn)，現(xiàn)在歸屬于ON Semiconductor。

文件下載：FDMS86250-D.pdf

背景知識(shí)：Fairchild與ON Semiconductor的整合

Fairchild Semiconductor已成為ON Semiconductor的一部分。在整合過程中，部分Fairchild可訂購的零件編號需要更改，以滿足ON Semiconductor的系統(tǒng)要求。由于ON Semiconductor的產(chǎn)品管理系統(tǒng)無法處理帶有下劃線（_）的零件命名，F(xiàn)airchild零件編號中的下劃線將改為破折號（ - ）。大家可通過ON Semiconductor網(wǎng)站核實(shí)更新后的器件編號。

FDMS86250 MOSFET的特性

1. 基本參數(shù)

FDMS86250是一款N - 溝道MOSFET，具有150 V的耐壓、30 A的連續(xù)漏極電流以及低至25 mΩ的導(dǎo)通電阻（在(V{GS}=10 V)，(I{D}=6.7 A)時(shí)）。這些參數(shù)使得它在功率轉(zhuǎn)換等應(yīng)用中表現(xiàn)出色。

2. 技術(shù)優(yōu)勢

• 屏蔽柵MOSFET技術(shù)：采用先進(jìn)的屏蔽柵技術(shù)，優(yōu)化了導(dǎo)通電阻，同時(shí)保持了卓越的開關(guān)性能。這種技術(shù)在提高效率的同時(shí)，降低了功耗。
• 先進(jìn)的封裝與硅片組合：為低導(dǎo)通電阻和高效率提供了保障。MSL1穩(wěn)健的封裝設(shè)計(jì)，增強(qiáng)了器件的可靠性。
• 全面測試：經(jīng)過100% UIL測試，確保了產(chǎn)品的質(zhì)量和穩(wěn)定性。并且該器件符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)，環(huán)保性能良好。

應(yīng)用領(lǐng)域

FDMS86250主要應(yīng)用于DC - DC轉(zhuǎn)換電路。在DC - DC轉(zhuǎn)換中，其低導(dǎo)通電阻和高效的開關(guān)性能能夠有效減少能量損耗，提高轉(zhuǎn)換效率。

電氣特性詳解

1. 最大額定值

2. 電氣特性參數(shù)

• 關(guān)斷特性：如(B{VDS})（漏源擊穿電壓）為150 V，(I{DSS})（零柵壓漏極電流）在(V{DS}=120 V)，(V{GS}=0 V)時(shí)為1 μA等。
• 導(dǎo)通特性：(r{DS(on)})（靜態(tài)漏源導(dǎo)通電阻）在不同的(V{GS})和(I{D})條件下有不同的值，例如在(V{GS}=10 V)，(I_{D}=6.7 A)時(shí)為19 - 25 mΩ。
• 動(dòng)態(tài)特性：包括輸入電容(C{iss})、輸出電容(C{oss})、反向傳輸電容(C_{rss})等。
• 開關(guān)特性：如開通延遲時(shí)間(t{d(on)})、上升時(shí)間(t{r})、關(guān)斷延遲時(shí)間(t{d(off)})和下降時(shí)間(t{f})等。
• 漏源二極管特性：如源 - 漏二極管正向電壓(V_{SD})等。

典型特性曲線分析

文檔中給出了多個(gè)典型特性曲線，這些曲線對于工程師理解器件的性能非常有幫助。

• 導(dǎo)通區(qū)域特性曲線：展示了不同(V{GS})下漏極電流(I{D})與漏源電壓(V_{DS})的關(guān)系。
• 歸一化導(dǎo)通電阻與漏極電流和柵極電壓的關(guān)系曲線：幫助我們了解導(dǎo)通電阻在不同工作條件下的變化情況。
• 歸一化導(dǎo)通電阻與結(jié)溫的關(guān)系曲線：反映了結(jié)溫對導(dǎo)通電阻的影響。

封裝與訂購信息

FDMS86250采用Power 56封裝，器件標(biāo)記為FDMS86250，卷盤尺寸為13英寸，膠帶寬度為12 mm，每卷數(shù)量為3000個(gè)單位。

注意事項(xiàng)

ON Semiconductor提醒用戶，其產(chǎn)品不適合用于生命支持系統(tǒng)、FDA Class 3醫(yī)療設(shè)備或類似分類的醫(yī)療設(shè)備以及人體植入設(shè)備。如果用戶將產(chǎn)品用于非預(yù)期或未經(jīng)授權(quán)的應(yīng)用，需要承擔(dān)相應(yīng)的責(zé)任。同時(shí)，所有的“典型”參數(shù)在不同應(yīng)用中可能會(huì)有所變化，用戶需要由技術(shù)專家對每個(gè)應(yīng)用的操作參數(shù)進(jìn)行驗(yàn)證。

總結(jié)

FDMS86250 N - Channel Shielded Gate PowerTrench? MOSFET憑借其先進(jìn)的技術(shù)、良好的電氣性能和可靠的封裝設(shè)計(jì)，在DC - DC轉(zhuǎn)換等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。電子工程師在設(shè)計(jì)相關(guān)電路時(shí)，可以充分考慮該器件的特性和優(yōu)勢，以實(shí)現(xiàn)高效、穩(wěn)定的電路設(shè)計(jì)。大家在實(shí)際應(yīng)用中，是否遇到過類似MOSFET的使用問題呢？歡迎在評論區(qū)分享交流。